一种低漏磁空心电抗器制造技术

技术编号:15010668 阅读:76 留言:0更新日期:2017-04-04 15:50
本实用新型专利技术涉及一种低漏磁空心电抗器,包含上电抗器和下电抗器,上电抗器设置在下电抗器的上侧,上电抗器上设置有上铜排,下电抗器上设置有下铜排;所述下电抗器的线圈外侧设置有一圈导磁层,下电抗器的线圈的放置方向与导磁层垂直,上电抗器的线圈方向与下电抗器的线圈方向垂直;本实用新型专利技术的低漏磁空心电抗器,由上下两个电抗器形成组合结构,并在下电抗器的外围设置一圈导磁层,导磁层采用高导磁硅钢片,减小空心电感对外的漏磁,降低周边磁敏感元器件的损伤,使空心电感感量增大,体积变小,又能保留空心电抗器不饱和特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低漏磁空心电抗器
技术介绍
电抗器在电子设备领域应用广泛,其细分为串联电抗器、并联电抗器、限流电抗器、滤波电抗器、阻波器等,其型式有空心式、铁芯式等;其中空心电抗器是电力系统中用于限制短路电流、无功补偿和移相等的电感性高压电器,磁通经空气形成回路,故称空心式电抗器;一般的空心电抗器空心电感感量较小,而且会对外漏磁,对周边磁敏感元器件造成损伤。
技术实现思路
针对上述存在的技术问题,本专利技术的目的是:提出了一种低漏磁空心电抗器。本专利技术的技术解决方案是这样实现的:一种低漏磁空心电抗器,包含上电抗器和下电抗器,上电抗器设置在下电抗器的上侧,上电抗器上设置有上铜排,下电抗器上设置有下铜排;所述下电抗器的线圈外侧设置有一圈导磁层,下电抗器的线圈的放置方向与导磁层垂直,上电抗器的线圈方向与下电抗器的线圈方向垂直。优选的,所述导磁层由高导磁硅钢片组成,每两片硅钢片组成一层导磁单元,多层导磁单元交错堆叠组成导磁层。优选的,所述下电抗器的线圈为空心结构,线圈中部通过直角狗骨支撑,并在线圈中部设置温控开关和热敏电阻。优选的,所述上电抗器中设置有3个线圈。优选的,所述上电抗器的顶部设置有吊装环。由于上述技术方案的运用,本专利技术与现有技术相比具有下列优点:本专利技术的低漏磁空心电抗器,由上下两个电抗器形成组合结构,并在下电抗器的外围设置一圈导磁层,导磁层采用高导磁硅钢片,减小空心电感对外的漏磁,降低周边磁敏感元器件的损伤,使空心电感感量增大,体积变小,又能保留空心电抗器不饱和特点。附图说明下面结合附图对本专利技术技术方案作进一步说明:附图1为本专利技术的一种低漏磁空心电抗器的示意图。具体实施方式下面结合附图来说明本专利技术。如图1所示,本专利技术所述的一种低漏磁空心电抗器,包含上电抗器1和下电抗器2,上电抗器1的框架安装在下电抗器2的框架上,上电抗器1上设置有上铜排3,下电抗器2上设置有下铜排4;所述下电抗器2的线圈为空心结构,线圈中部通过直角狗骨支撑,并在线圈的空心部位中设置160℃常闭温控开关和70℃常开温控开关,以及两个相应的热敏电阻;所述下电抗器2的框架上,在线圈外侧设置有一圈导磁层5,导磁层5由多片高导磁硅钢片组成,每两片硅钢片组成一层导磁单元,多层导磁单元交错堆叠组成导磁层5;下电抗器2的线圈的放置方向与导磁层5的方向垂直;所述上电抗器1的顶部设置有吊装环6,上电抗器1中设置有3个线圈,上电抗器1的线圈方向与下电抗器2的线圈方向垂直。以上仅是本技术的具体应用范例,对本技术的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案,均落在本技术权利保护范围之内。本文档来自技高网...
一种低漏磁空心电抗器

【技术保护点】
一种低漏磁空心电抗器,其特征在于:包含上电抗器(1)和下电抗器(2),上电抗器(1)设置在下电抗器(2)的上侧,上电抗器(1)上设置有上铜排(3),下电抗器(2)上设置有下铜排(4);所述下电抗器(2)的线圈外侧设置有一圈导磁层(5),下电抗器(2)的线圈的放置方向与导磁层(5)垂直,上电抗器(1)的线圈方向与下电抗器(2)的线圈方向垂直。

【技术特征摘要】
1.一种低漏磁空心电抗器,其特征在于:包含上电抗器(1)和下电抗器(2),上电抗器(1)设置在下电抗器(2)的上侧,上电抗器(1)上设置有上铜排(3),下电抗器(2)上设置有下铜排(4);所述下电抗器(2)的线圈外侧设置有一圈导磁层(5),下电抗器(2)的线圈的放置方向与导磁层(5)垂直,上电抗器(1)的线圈方向与下电抗器(2)的线圈方向垂直。2.根据权利要求1所述的低漏磁空心电抗器,其特征在于:所述导磁层(5)由高导...

【专利技术属性】
技术研发人员:易志欣俞志刚杨瑞
申请(专利权)人:苏州腾冉电气设备股份有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1