一种基于NAND FLASH的记录装置制造方法及图纸

技术编号:14999850 阅读:70 留言:0更新日期:2017-04-04 09:32
本实用新型专利技术公开了一种基于NAND FLASH的记录装置,包括FPGA、FLASH控制器和FLASH阵列,所述FPGA与FLASH控制器通信连接,所述FLASH控制器与FLASH阵列通信连接,所述FLASH阵列包括6片NAND FLASH芯片,每片NAND FLASH芯片存储容量为64GB,所述FPGA外接有两组NORFLASH和两组DDR3,FPGA通过标准的SPI总线与外界主机交互控制命令,FPGA通过标准的SPI通过自定义的数字视频总线从外界主机采集数据。本实用新型专利技术由6片NAND FLASH芯片组成FLASH阵列,与电子盘相比,使本实用新型专利技术体积小,重量轻,设计灵活,便于升级与扩展。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子控制
,具体的涉及一种基于NANDFLASH的记录装置。
技术介绍
在工业控制、电信、航空、军工等领域,常常需要通过实时控制系统来运行系统逻辑、执行复杂算法、与各个执行单元保持高速实时通讯,以及处理以太网、MVB网络、CAN网络、RS485网络等数据传输,这不但需要实时控制系统的存储单元具有庞大的数据存储能力,还需要其适应恶劣的工作条件。电子盘因其稳定性、保密性、高速性等特点,常被用于这些
实现数据的可靠存储。但是,随着电子技术的发展,电子盘一方面其容量不足于应付新型技术的数据存储,另一方面电子盘升级更新能力弱,已不能很好的满足市场需要了。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题,本技术在现有技术基础之上作进一步改进,本技术涉及一种基于于NANDFLASH的记录装置,本技术采用NANDFLASH作为实现存储功能,与电子盘相比,本技术体积小,重量轻,设计灵活,便于升级与扩展。本技术通过以下技术方案实现上述技术目的。一种基于NANDFLASH的记录装置,包括FPGA、FLASH控制器和FLASH阵列,所述FPGA与FLASH控制器通信连接,所述FLASH控制器与FLASH阵列通信连接,所述FLASH阵列包括6片NANDFLASH芯片,每片NANDFLASH芯片存储容量为64GB,所述FPGA外接有两组NORFLASH和两组DDR3,FPGA通过标准的SPI总线与外界主机交互控制命令,FPGA通过标准的SPI通过自定义的数字视频总线从外界主机采集数据。本技术方案中,FLASH控制器负责FLASH阵列的具体管理,读、写、擦除并实时进行数据校正。由6片NANDFLASH芯片组成FLASH阵列,与电子盘相比,使本技术体积小,重量轻,设计灵活,便于升级与扩展。控制与管理功能主要是由一片FPGA、两组DDR3和两组NORFLASH组成。FPGA接收SPI总线的控制命令,经过译码后,再去控制管理FLASH控制器。数据存储时,FPGA首先对数据分别进行编码处理,并且记录数据的相关信息;其次FPGA把编码完成后的数据传输给FLASH控制器,完成数据的存储。同时FPGA还需要把链路表和记录数据的相关信息存入NORFLASH中芯片,DDR3主要用于数字视频的缓存,以符合循环存储形式。进一步的,所述NANDFLASH芯片为三星公司的K9LCG08U0A-SCBO,当然也可以用其它64GB存储容量的NANDFLASH芯片。进一步的,所述FPGA为Xilinx公司的VC5VFX130T芯片,当然可根据实际需要选用其它Virtex-5系列的FPGA芯片。进一步的,所述数字视频总线采用LVTTL接口,为双向接口,数据宽度为16Bit。进一步的,所述SPI总线接口通过隔离芯片A与FPGA连接,所述LVTTL接口通过隔离芯片B与FPGA连接。进一步的,所述FPGA连接隔离芯片A和隔离芯片B的Bank电压为3.3V,以满足LVTTL电平规范,确保数字视频信号和SPI信号正确可靠的传输。进一步的,所述LVTTL接口的分辨率为320×280。本技术与现有技术相比,至少具有以下益效果:本技术由6片NANDFLASH芯片组成FLASH阵列,以Xilinx公司的VC5VFX130T芯片为FPGA,以三星公司的K9LCG08U0A-SCBO芯片NANDFLASH,与电子盘相比,使本技术体积小,重量轻,且存储容量大,设计调试灵活,便于升级与扩展。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本技术实施例的限定。在附图中:图1为本技术的原理框图;图2为本技术中FLASH阵列与FPGA连接关系图;图3为本技术中FLASH阵列与FLASH控制器连接关系图。图4为本技术中控制与管理原理框图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本技术作进一步的详细说明,本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术,并不作为对本技术的限定。实施例1:结合图1至图4所示,一种基于NANDFLASH的记录装置,包括FPGA、FLASH控制器和FLASH阵列,FPGA与FLASH控制器通信连接,FLASH控制器与FLASH阵列通信连接,FLASH阵列包括6片NANDFLASH芯片,每片NANDFLASH芯片存储容量为64GB,FPGA外接有两组NORFLASH和两组DDR3,FPGA通过标准的SPI总线与外界主机交互控制命令,FPGA通过标准的SPI通过自定义的数字视频总线从外界主机采集数据。本技术方案中,FLASH控制器负责FLASH阵列的具体管理,读、写、擦除并实时进行数据校正。由6片NANDFLASH芯片组成FLASH阵列,与电子盘相比,使本技术体积小,重量轻,设计灵活,便于升级与扩展。控制与管理功能主要是由一片FPGA、两组DDR3和两组NORFLASH组成。FPGA接收SPI总线的控制命令,经过译码后,再去控制管理FLASH控制器。数据存储时,FPGA首先对数据分别进行编码处理,并且记录数据的相关信息;其次FPGA把编码完成后的数据传输给FLASH控制器,完成数据的存储。同时FPGA还需要把链路表和记录数据的相关信息存入NORFLASH中芯片,DDR3主要用于数字视频的缓存,以符合循环存储形式。另外,NANDFLASH芯片为三星公司的K9LCG08U0A-SCBO,当然也可以用其它64GB存储容量的NANDFLASH芯片。FPGA为Xilinx公司的VC5VFX130T芯片,当然可根据实际需要选用其它Virtex-5系列的FPGA芯片。实施例2:本实施例是在上述实施例基础上做的进一步改进,如图1至4所示,在本实施例中,数字视频总线采用LVTTL接口,为双向接口,数据宽度为16Bit。SPI总线接口通过隔离芯片A与FPGA连接,所述LVTTL接口通过隔离芯片B与FPGA连接。FPGA连接隔离芯片A和隔离芯片B的Bank电压为3.3V,以满足LVTTL电平规范,确保数字视频信号和SPI信号正确可靠的传输。LVTTL接口的分辨率为320×280。如上所述,可较好的实施本技术。本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/55/201620806620.html" title="一种基于NAND FLASH的记录装置原文来自X技术">基于NAND FLASH的记录装置</a>

【技术保护点】
一种基于NAND FLASH的记录装置,其特征在于:包括FPGA、FLASH控制器和FLASH阵列,所述FPGA与FLASH控制器通信连接,所述FLASH控制器与FLASH阵列通信连接,所述FLASH阵列包括6片NAND FLASH芯片,每片NAND FLASH芯片存储容量为64GB,所述FPGA外接有两组NORFLASH和两组DDR3, FPGA通过标准的SPI总线与外界主机交互控制命令,FPGA通过标准的SPI通过自定义的数字视频总线从外界主机采集数据。

【技术特征摘要】
1.一种基于NANDFLASH的记录装置,其特征在于:包括FPGA、FLASH控制器和FLASH阵列,所述FPGA与FLASH控制器通信连接,所述FLASH控制器与FLASH阵列通信连接,所述FLASH阵列包括6片NANDFLASH芯片,每片NANDFLASH芯片存储容量为64GB,所述FPGA外接有两组NORFLASH和两组DDR3,FPGA通过标准的SPI总线与外界主机交互控制命令,FPGA通过标准的SPI通过自定义的数字视频总线从外界主机采集数据。2.根据权利要求1所述的基于NANDFLASH的记录装置,其特征在于:所述NANDFLASH芯片为三星公司的K9LCG08U0A-SCBO芯片。3.根据权利要求1所述的基于NAN...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖红何凤义朱波王志红
申请(专利权)人:四川赛狄信息技术有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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