一种界面修饰材料制造技术

本发明专利技术涉及卟啉衍生物在倒置钙钛矿型太阳能电池中空穴传输层/钙钛矿层的界面修饰方面的应用，器件结构为：ITO/空穴传输层/钙钛矿层/电子传输层/阴极。将卟啉用于钙钛矿太阳能电池中的空穴传输层/钙钛矿层的界面上，首先，可调节钙钛矿层的形貌，减少膜中的缺陷密度，提高钙钛矿层的质量；其次，引入卟啉界面修饰层，可以有效地阻挡电子从钙钛矿向空穴传输层的传输，同时有利于空穴从钙钛矿向空穴传输层的注入与传输，从而有利于器件效率的提高。此外，由于卟啉的溶解性较好，可通过溶液旋涂法将其引入到钙钛矿太阳能电池中，操作非常简单，可重复性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及卟啉衍生物在倒置钙钛矿型太阳能电池中空穴传输层/钙钛矿层的界面修饰方面的应用。
技术介绍
21世纪以来，能源问题日益突出，目前煤炭、石油等非可再生化石能源是当今社会的主要能量来源，但它们在开采、运输加工及使用的过程中会造成严重的环境污染，如温室效应、雾霾、土壤结块等等，因此开发可再生的清洁能源迫在眉睫。其中，太阳能资源取之不尽、用之不竭，且清洁无污染，可安全使用，所以合理地利用太阳能是解决能源问题的有效途径之一，而太阳能电池能将太阳能直接转化成电能，一直受到研究者们的关注。自太阳能电池被报道以来，其发展历程可划分为四代：第一代是以单晶硅、多晶硅为代表的硅基太阳能电池；第二代是以碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CIGS)为代表的薄膜太阳能电池；第三代是以染料敏化(DSSC)、有机(OPV)及量子点为代表的太阳能电池；第四代是以钙钛矿为代表的新型太阳能电池。其中第-、二代太阳能电池均已实现了商业化，但是这些太阳能电池技术的大规模生产存在着生产耗能大、成本高及环境污染等问题。相比之下，第三、四代太阳能电池成本低、易于制备，发展前景广阔，尤其是新兴的钙钛矿太阳能电池自2009年本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于卟啉衍生物的钙钛矿太阳能电池中空穴传输层/钙钛矿层的界面修饰材料，分子结构式如下：其中，n＝1‑16，M＝Zn2+，Fe2+，Co2+，Ni2+，Cu2+，X＝‑SAc。

【技术特征摘要】
1.一种基于卟啉衍生物的钙钛矿太阳能电池中空穴传输层/钙钛矿层的界面修饰材料，分子结构式如下：其中，n＝1-16，M＝Zn2+，Fe2+，Co2+...

【专利技术属性】
技术研发人员：高德青，李波波，郑朝月，朱杰，黄维，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32