具有黏度匹配的纤芯和内包覆层的低衰减光纤制造技术

一种单模光纤，其所含纤芯由二氧化硅和小于或等于约6.5重量％的氧化锗制成，且具有最大相对折射率Δ1最大。该光纤还具有包围纤芯的内包覆层，该内包覆层具有最小相对折射率Δ2最小。纤芯的软化点与内包覆层的软化点之差小于或等于约20℃，且Δ1最大＞Δ2最小。该单模光纤还可具有由二氧化硅或SiON制成的包围内包覆层的外包覆层。该外包覆层具有最大相对折射率Δ3最大，且Δ3最大＞Δ2最小。制造光纤的方法包括向第一炉提供预制件，预制件，由该预制件拉制光纤，并且在第二炉中冷却拉制的光纤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§119要求2014年6月24日提交的美国临时专利申请系列号62/016192的优先权，本申请基于其内容并通过引用将其内容整体结合于此。背景
本公开一般涉及光纤，具体涉及低衰减光纤。技术背景具有低衰减的玻璃光纤近来在通信领域受到明显关注。用于改善衰减性质的技术可对许多类型的光纤发挥重要作用，包括远程应用中使用的传输光纤，正在兴起的光纤到户应用中使用的多模光纤，以及许多设计的实际应用受到弯曲损耗限制的色散补偿光纤。在诸如远程应用这样的一些应用中，通过光信号准确传输数据需要低衰减。针对此问题提出的许多方案涉及对光纤及其折射率分布的显著改进。概述根据本申请所图示和描述的一个或多个实施方式，单模光纤具有由二氧化硅和小于或等于约6.5重量％的氧化锗制成的纤芯，所述纤芯具有最大相对折射率Δ1最大。该光纤还具有包围纤芯的内包覆层，该内包覆层具有最小相对折射率Δ2最小。纤芯的软化点与内包覆层的软化点之差小于或等于约20℃，且Δ1最大＞Δ2最小。根据本申请所图示和描述的一些实施方式，单模光纤还具有由二氧化硅或SiON制成的包围内包覆层的外包覆层。外包覆层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单模光纤，包含：包含二氧化硅和小于或等于约6.5重量％的氧化锗且具有最大相对折射率Δ1最大的纤芯；包围所述纤芯且具有最小相对折射率Δ2最小的内包覆层，其中所述纤芯的软化点与所述内包覆层的软化点之差小于或等于约20℃，且Δ1最大＞Δ2最小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.24 US 62/016,1921.一种单模光纤，包含：包含二氧化硅和小于或等于约6.5重量％的氧化锗且具有最大相对折射率Δ1最大的纤芯；包围所述纤芯且具有最小相对折射率Δ2最小的内包覆层，其中所述纤芯的软化点与所述内包覆层的软化点之差小于或等于约20℃，且Δ1最大＞Δ2最小。2.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述纤芯的软化点与所述内包覆层的软化点之差小于或等于约15℃。3.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述纤芯包含大于或等于约2.0重量％的氧化锗。4.如权利要求1、2或3所述的单模光纤，其中所述内包覆层包含大于或等于约0.1重量％的氟至小于或等于约0.65重量％的氟。5.如前述权利要求中的任一项所述的单模光纤，其中所述纤芯用GeO2掺杂，所述内包覆层用氟掺杂，且6＜GeO2(纤芯)/氟(内包覆层)＜35，其中GeO2和F以重量％计。6.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述纤芯的最大相对折射率Δ1最大为大于或等于约0.13％至小于或等于约0.37％。7.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述内包覆层的最小相对折射率Δ2最小为小于或等于约-0.04％至大于或等于约-0.21％。8.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述纤芯的径向厚度为大于或等于约3微米至小于或等于约7微米。9.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述内包覆层的径向厚度为大于或等于约12微米。10.如权利要求1所述的单模光纤，还包含包围所述内包覆层的外包覆层，其中所述外包覆层主要由二氧化硅或SiON组成；所述外包覆层具有最大相对折射率Δ3最大，且Δ3最大＞Δ2最小。11.如权利要求10所述的单模光纤，其中所述内包覆层的径向厚度为大于或等于约12微米至小于或等于约55微米。12.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述单模光纤在1550nm波长处具有小于或等于约0.18dB/km的衰减。13.如权利要求1所述的单模光纤，其中所述单模光纤在1550n...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·C·布克班德，MJ·李，H·B·马修斯三世，P·坦登，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US