防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法技术

本发明专利技术公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，采用一个EEPROM存储器，可以正常进行EEPROM读写操作，采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上，采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，且k≠n。本发明专利技术可以防止通过紫外线照射方法擦除EEPROM数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器擦写及工艺版图设计领域，特别是涉及一种防止EEPROM(带电可擦可编程只读存储器)被紫外线擦写的版图实现方法。本专利技术还涉及一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。
技术介绍
EEPROM作为一种掉电后数据不丢失的存储芯片，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。EEPROM是器件中存在浮栅结构，EEPROM的写入就是通过某种效应让电子聚集在浮栅上，EEPROM擦除(非电擦除)是指在需要消去电子时,可以利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。通常嵌入式芯片中EEPROM从测试模式进入到应用模式后，EEPROM就不可以再被擦除。但可以采用上面的紫外线照射方法从物理层面将数据擦除。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，可以防止通过紫外线照射方法擦除EEPROM数据；为此，本专利技术还要提供一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。为解决上述技术问题，本专利技术的防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法是采用如下技术方案实现的：采用一个EEPROM存储器，可以正常进行EEPROM读写操作；采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；>采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，n和k均为正整数，且k≠n。所述防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，包括：一能够正常进行读写操作的EEPROM存储器；一位于EEPROM存储器芯片中的Mn金属屏蔽层；一位于EEPROM存储器芯片中的Mk金属屏蔽层；多个第一接地连接孔；多个第二接地连接孔；所述Mn金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层接地；所述Mk金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层接地；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，n和k均为正整数，且k≠n。随着芯片设计技术的发展，产品在实现更多功能的同时，芯片的安全变的越来越重要。本专利技术以较简单物理实现的方法，实现了在非授权情况下保护EEPROM数据被擦写的功能，从而提高了产品的安全和市场竞争力。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：附图是防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构示意图。具体实施方式从
技术介绍
部分的分析可以知道，当紫外线照射EEPROM芯片时，可以进行数据擦除；而通过版图设计方法能够禁止这种通过紫外线擦除EEPROM的方式。结合附图所示，所述防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，具体实现方式是：采用一个容量为P能够正常进行读写操作的EEPROM存储器，例如10K，40K…等的EEPROM。在EEPROM存储器阵列区域上方，布一层Mn金属屏蔽层同时通过Mn接地连接孔(第一接地连接孔)将屏蔽层接地。Mn指EEPROM存储器芯片中第n层金属。在EEPROM存储器阵列区域上方，布一层Mk金属屏蔽层同时通过Mk接地连接孔(第二接地连接孔)将屏蔽层接地。Mk指EEPROM存储器芯片中第k层金属，且k≠n。n和k均为正整数。EEPROM存储器中储存的数据经过以上两层金属屏蔽层的保护，在专用紫外线擦写器的照射下数据不能被擦写改变。以上通过具体实施方式和实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，其特征在于：采用一个EEPROM存储器，该EEPROM存储器能够正常进行读写操作；采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属；n和k均为正整数，且k≠n。

【技术特征摘要】
1.一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，其特征在于：
采用一个EEPROM存储器，该EEPROM存储器能够正常进行读写操作；
采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中
的地信号上；
采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中
的地信号上；
其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯
片中第k层金属；n和k均为正整数，且k≠n。
2.一种防止EEPROM...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖特，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：上海;31