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本发明公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法,采用一个EEPROM存储器,可以正常进行EEPROM读写操作,采用一个Mn金属屏蔽层,将EEPROM存储器阵列区域覆盖,采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储...该专利属于上海华虹集成电路有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹集成电路有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法,采用一个EEPROM存储器,可以正常进行EEPROM读写操作,采用一个Mn金属屏蔽层,将EEPROM存储器阵列区域覆盖,采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储...