高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料制造技术

一种高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，属于氧化物陶瓷材料领域。它包括烧结助剂选择，特点是：（１）原料：共沉淀制备的超细氧化锆陶瓷粉体，其一次粒径为２０～４０ｎｍ；（２）稳定剂；Ｙ＃－［２］Ｏ＃－［３］，其加入量为１．８～４ｍｏｌ％；（３）烧结助剂：ＭｇＯ－Ａｌ＃－［２］Ｏ＃－［３］－ＳｉＯ＃－［２］系统的玻璃相为主成份，其加入量为１０～３０ｗｔ％；（４）烧结温度：１１００～１３００℃，时间０．５小时。本发明专利技术具有可降低烧结温度、缩短烧结时间、低化烧结成本、节省能耗、晶粒大小控制在＜０．２μｍ范围的优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术步及一种高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，属于氧化物陶瓷材料领域。利用液相烧结不失为是可降低烧结温度的良好方法，然而在降至的1220～1450℃温度范围进行常压(无压)烧结，因温度仍相对偏高而需较长的烧结时间(通常需1～2小时)，烧结时间越长，晶粒增长则越难于控制，而且耗能大、经济性欠显。特别是用上述温度烧结所获得的氧化锆陶瓷材料的晶粒大小一般只能控制在0.5μm以上，这种材料便受到用途的制约，例如不能将其用于制作光纤陶瓷插芯，因为光纤陶瓷插芯材料的晶粒大小要求在0.3μm以下。JP平-2-22170公开了一种高强度氧化锆陶瓷的制备方法，该方法旨在解决的技术问题是提高氧化锆陶瓷抗弯强度和热稳定性及耐酸性。其选用的烧结助剂为AL2O3-MgO系，烧结时间长达5小时。前述烧结时间越长，晶粒增长则愈难以拉制，因此该方法因烧结时间相对较长而无法抑制晶粒成长，造成烧结后的晶粒大小≥0.5μm。这种材料不适宜用作晶粒大小要求在0.3μm以下的光纤陶瓷插芯材料。本专利技术包括以下具体实施方法(1)原料用共沉淀制备的超细氧化锆陶瓷粉体，其一次粒径为20～40nm；(2)稳定剂Y2O3，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，包括烧结助剂选择，其特征在于：（１）原料：共沉淀制备的超细氧化锆陶瓷粉体，其一次粒径为２０～４０ｎｍ；（２）稳定剂：Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］，其加入量为１．８～４ｍｏｌ％；（３）烧结助剂：ＭｇＯ－ Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］－ＳｉＯ↓［２］系统的玻璃相为主成份，其加入量为１０～３０Ｗｔ％；（４）烧结温度：１１００～１３００℃，时间０．５小时。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：屈静江，林彬，
申请(专利权)人：江苏天大亚舟高技术陶瓷有限责任公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]