成像装置制造方法及图纸

一种导电玻璃料，包含低熔点玻璃粉末和表面上覆有金属膜的玻璃微粒填料。该导电玻璃料用于将成像装置中的间隔件粘接到电子源基片和以之间，能保证机械固定强度和电连接性能。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

Imaging device

A conductive glass material comprising a low melting point glass powder and a glass particulate filler coated with a metal film. The electrically conductive glass material is used to bond a spacer in an imaging device to an electronic source substrate and to ensure mechanical strength and electrical connection performance.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种特殊导电玻璃料(以粉末、糊状或烘固材料的形式)以及利用这种导电玻璃料实现的成像装置。已知有各种形式的包括金属和玻璃的粉末状混合物的导电玻璃料。日本专利申请公开文本No-56-30240公开了一种为银和玻璃的粉末混合物的导电材料。而一个利用电子器件的成像装置通常包括一用于维持内部真空状态的封壳、一用于发射电子的电子源、一电子源的驱动电路、一具有荧光物质的成像元件，当被电子击中时间生荧光、一用于使电子朝着成像元件加速运动的加速电极、一用于加速电极和其它元件的高压电原。平面型成像装置包含的一个扁平的封壳设有使其能承受大气压力的间隔件。(参见由本专利申请的申请人申请的日本专利申请公开文件No 2-299136的内容)。下面将介绍用于成像装置电子源的电子发射器件。已知有两种类型的电子发射器件，即热电子发射型和冷阴极电子发射型。在两种之中，冷阴极发射型指包括场发射型(下文称为FE型，器件，金属/绝缘层/金属型(下文称为MIM型)电子发射器件以及表面导电电子发射器件。FE型器件的实例包括由W.P.DyKe & W.W.Dolan于(1956)8期现代电子物理第89页“场发射”中提出的，以及由C.A.Spindt在应用物理(1976)47期5284页的“具有钼锥形头部的薄膜场发射阴极的物理性质”提出的实例。MIM器件的实例公开在包括由C.A.Mead在(1961)应用物理32期，646页上的“隧道发射放大器”的各种刊物上。表面导电电子发射器件的实例包括由M.I.Elinson在无线电工程。电子物理10期(1965)上提出的器件。表面导电电子发射器件是利用这样一种现象实现的，即当迫使电流与薄膜表面平行方向流过时，由该形成在基片上的小的薄膜能发射出电子。Elinson提出使用SnO2薄膜作为这种类型的器件，在G.Diffmer“将固体薄膜”(1972)9期317页上提出使用金薄膜，而同时由M.Harlwell和C.G.Fonstad在“IEEE Trans.ED Conf(1975)519页上和由H.Araki等人在“真空”(1983)第26卷第一篇第22页中分别讨论了使用In2O3/SnO2薄膜和碳薄膜的问题。附附图说明图13示意地表示了由M.Hartwell提出的典型的表面导电型电子发射器件。在图13中，参考数字31标注一基片。参考数字34标注一导电薄膜，其通常由通过溅射产生H形薄的金属氧化物薄膜制备的，它的一部分最终构成一电子发射区35，这是在该薄膜处于下文将要介绍的被称为“激励形成”的电流导通过程中才构成的。要指出，所示电子发射区35仅是示意的，是因为它的位置和形状是未知的。按照常规方式，通过对器件的导电薄膜34进行被称为“激励形成”的初步电流导通处理，在表面导电型电子发射器件中产生电子发射区35。在激励形成过程中，将一恒定DC电压或一通常按照1V/1min(分)的速率上升的缓慢上升的DC电压加到导电薄膜34的对置的端部上，以使该薄膜局部破坏、(destroy)变形式转变，以及产生高电阻的电子发射区35。因而，电子发射区35是导电薄膜34的一部分，通常其中包含一或多个断口(fissure)，使得从该处可以发射电子。要指出，一旦经易激励形成处理，无论何时将一适当电压施加到导电薄膜34使电流流经该器件，表面导电电子发射器件就会发射电子。由于表面导电型电子发射器件具有特别简单的结构和可以按简单的方式制造，可以没有困难地便利地在大的面积上配置大量的这种器件。实际上已经进行了大量研究，充分发挥表面导电型电子发射器件的这一优点。例如，已经提出各种类型的成像装置，其包括该发射型平面成像装置。在一种包含大量表面导电型电子发射器件的电子源的典型实例中，可以按照平行的各行配置各器件并且将每行的各器件的正极/高电位侧)和负极(低电位侧)连接到各自共同的引线上(参阅，例如由本申请的申请人申请的日本专利申请公开文本No 1-31332)。包括图像显示的各种类型的成像装置可以通过选择一种电子源和成像元件来实现，该电子源包含大量的表面导电型电子发射器件，该成像元件则当被来自电子源的电子击中时，发出可见光(例如参阅)本专利申请的申请人的美国专利No 5066 883)。由于通过利用表面导电型电子发射器件可以相对容易地制备大显示屏幕的高质量发射的成像装置，可以预期在最近的将来这些装置将大量地取代CRT。例如，由本专利申请的申请人申请的日本专利申请公开文本No 2-257551中所公开的成像装置包含由大量按行配置的表面导电型电子发射器件构成电子源，通过向与各行表面导电型电子发射器件平行配置的各引线中所选择的一对(行向引线)以及与行向引线垂直配置的与控制电极相连接的且配置在电子和荧光体之间的间隔中的各引线中所选择的一条引线施加适当的驱动信号，可以选择该行中的每一个器件。然而，已经发现，常规类型的导电玻璃料和利用这种导电玻璃料的成像装置可能产生如下的问题。经一系列的深入细致的研究，本专利技术的专利技术人制备了采用该通过将粉末金属和低熔点的玻璃粉末综合形成的导电玻璃料的成像装置，所述装置包含至少一个具有荧光元件和一电子加速电极的面极、一与该面板面对面地配置的且具有电子源的电子源基片，以及在电子加速电极和电子源之间配置的导电的间隔件。结果发现，只有将各间隔件利用高超的技艺的严格控制的方式进行机械上固定到和电连接到电子加速电极和电子源的操作时才能以满意的方式将各间隔件机械上固定到并电连接到电子加速电极和电子源上。更确切地说，为了达到使固定就位的间隔件满意的机械强度值，如提高粉末玻璃相对粉末金属在导电玻璃料中的比率，但这不能使电连接性能达到满意的水平，使得间隔件可能带电改变了该处形成的电场，并且为了显示图像长时间使用之后，自然移动了电子轨道。然后，因此会使荧光元件改变它的荧光发光点的位置和形状。假如，相反，为了使电连接性能达到满意的水平提高粉末金属相对玻璃粉末在导电玻璃料中的比率，使导电玻璃料的热膨胀系数增加，并且在以玻璃为基的间隔件的热膨胀系数和导电玻璃料的热膨胀系数之间产生很大的差别，在它们结合的区域变得特别明显，从而导致损害间隔件和成像装置的其它元件。最终结果是使玻壳不能承受大气压力。考虑到上述问题，因此本专利技术的一个目的是提供一种特殊类型的导电玻璃料(以粉末、糊状或烘固的材料的形式)以及利用这种导电玻璃料实现的成像装置。本专利技术的另一目的是提供一种成像装置，其能有效地降代荧光发光点的位置和形状变化。根据本专利技术的第一个方面，可以解决上述技术问题，以及本专利技术目的的实现是通过提供这样一种导电玻璃料，其特征在于，它包含低熔点的玻璃粉末和表面上用金属涂覆的玻璃微粒填料。根据本专利技术的第二个方面，还提供一种导电玻璃料其特征在于，它包含低熔点的玻璃粉末、表面上涂覆金属的玻璃微粒填料以及低膨胀的陶瓷填料。根据本专利技术的第三个方面，还提供一种成像装置，它包含一具有荧光体和电子加速电极的面板、一与该面板面对面配置的且具有电子源的电子源基片以及配置在电子加速电极和/或电子源引线之间的导电间隔件，其特征在于，利用根据本专利技术的第一和第二方面的导电玻璃料，将所述导电间隔件固定到和电连接到电子加速电极和电子源上。利用上述配置解决了与上述相同的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电玻璃料，包含低熔点的玻璃粉末和表面上覆有金属膜的玻璃微料的填料。２．一种导电玻璃料，包含低熔点的玻璃粉末、表面上覆上金属膜的玻璃微粒的填料和低膨胀陶瓷填料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：河手信一，大木一弘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]