双沿触发微分法峰值检测器及峰值检测方法技术

技术编号:14649610 阅读:106 留言:0更新日期:2017-02-16 09:24
本发明专利技术公开了双沿触发微分法峰值检测器及峰值检测方法;一种双沿触发微分法信号峰值检测器,包括微分电路、双沿触发比较器电路及采样保持电路;其特征在于:所述微分电路用于对输入信号进行微分变换处理,得到输入信号的微分变换结果,且当输入信号处于峰值或谷值时,得到的微分变换输出信号正好处于零点或参考电压;所述双沿触发比较器电路接收微分电路的输出信号,将其与零点电压或参考电压进行比较,并根据比较结果输出双沿触发的数字控制信号,以控制采样保持电路进行采样或保持操作;本发明专利技术具有工作频率高、检测精度高、自复位等优点,实现了高频率高精度的峰值检测,可广泛应用在各种复杂信号采样系统中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及峰值检测,具体涉及双沿触发微分法峰值检测器及峰值检测方法
技术介绍
峰值检测的作用是对输入信号的峰值进行提取,产生输出电压等于输入信号峰值电压。峰值检测电路在自动增益控制(AGC)电路、传感器最值求取电路、AD/DA电路中广泛应用,平时一般作为程控增益放大器倍数选择的依据,峰值检测电路的检测精度及工作频率等指标直接决定了参数采集系统的性能。随着当前信号频率的不断提高,信号种类的多样化发展,对峰值检测器的工作频率及检测精度等也提出了更高的要求。传统峰值检测电路利用二极管的正偏特性作为采样保持的指令判断,具有检测精度高、结构简单的优势,但由于二极管的频率响应特性,其输入信号工作频率受到很大限制,而且在应用于输入信号幅度不断变化的复杂采样系统时,需要引入额外的复位电路及相应的逻辑算法,较难满足复杂参数采样系统的需求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供双沿触发微分法峰值检测器及峰值检测检测方法,实现对高频率输入信号的实时峰值检测。为了解决上述技术问题,本专利技术的第一个技术方案是:一种双沿触发微分法信号峰值检测器,包括微分电路、双沿触发比较器电路及采样保持电路本文档来自技高网...
双沿触发微分法峰值检测器及峰值检测方法

【技术保护点】
一种双沿触发微分法信号峰值检测器,包括微分电路(1)、双沿触发比较器电路(2)及采样保持电路(3);其特征在于:所述微分电路(1)用于对输入信号进行微分变换处理,得到输入信号的微分变换结果,且当输入信号处于峰值或谷值时,得到的微分变换输出信号正好处于零点或参考电压;所述双沿触发比较器电路(2)接收微分电路(1)的输出信号,将其与零点电压或参考电压进行比较,并根据比较结果输出双沿触发数字控制信号,控制采样保持电路(3)进行采样或保持操作;所述采样保持电路(3)包括两级射极跟随器、高速开关电路(5)及保持电容(C4);第一级射极跟随器(4)与微分电路(1)同时接受输入信号;高速开关电路(5)连接在...

【技术特征摘要】
1.一种双沿触发微分法信号峰值检测器,包括微分电路(1)、双沿触发比较器电路(2)及采样保持电路(3);其特征在于:所述微分电路(1)用于对输入信号进行微分变换处理,得到输入信号的微分变换结果,且当输入信号处于峰值或谷值时,得到的微分变换输出信号正好处于零点或参考电压;所述双沿触发比较器电路(2)接收微分电路(1)的输出信号,将其与零点电压或参考电压进行比较,并根据比较结果输出双沿触发数字控制信号,控制采样保持电路(3)进行采样或保持操作;所述采样保持电路(3)包括两级射极跟随器、高速开关电路(5)及保持电容(C4);第一级射极跟随器(4)与微分电路(1)同时接受输入信号;高速开关电路(5)连接在第一级射极跟随器(4)的输出与第二级射极跟随器(6)的输入之间,并且第二级射极跟随器的输入端通过保持电容接地,高速开关电路(5)的通断由双沿触发比较器电路(2)输出的双沿触发数字控制信号控制。2.根据权利要求1所述的双沿触发微分法信号峰值检测器,其特征在于:所述双沿触发比较器电路(2)中包含比较器核心电路(8)和数字控制信号产生电路(9);所述比较器核心电路(8)为处于开环状态的运算放大器,当微分电路(1)的输出信号达到零点电压或参考电压时,运算放大器输出电压为高电平,当微分电路(1)的输出信号低于零点电压或参考电压时,运算放大器输出电压为低电平;数字控制信号产生电路将运算放大器的输出信号转换成数字电平。3.根据权利要求2所述的双沿触发微分法信号峰值检测器,其特征在于:比较器核心电路(8)包括PMOS管MP1~MP13和NMOS管MN1~MN10;PMOS管MP1栅极和漏极连接,为电流输入端,MP1的源极接电源;PMOS管MP1、MP2、MP3的栅极相互连接,MP2、MP3的源极接电源;PMOS管MP4、MP5的栅级相互连接,PMOS管MP5的栅极和漏极相连,PMOS管MP4、MP5的源级接电源;PMOS管MP6、MP7构成输入级,MP6的栅极接输入正端,MP7的栅极接输入负端,PMOS管MP6、MP7的源级接MP3的漏极;MP7的漏级接MN13的漏极;PMOS管MP8的栅极和漏极相互连接,MP8的源极接MP9的漏极,PMOS管MP8、MP9的栅极相互连接,MP9的源极接电源;PMOS管MP10、MP11的栅极相互连接,MP10的源极接MP11的漏极,MP11的源极接电源;PMOS管MP12、MP13的栅极相互连接,MP12的源极接MP13的漏极,MP13的源极接电源,MP12的漏极接MP10的源极;NMOS管MN1的栅极和漏极相连,并连接到PMOS管MP2的漏极,NMOS管MN1、MN2的栅极相互连接,NMOS管MN2的漏极连接到NMOS管MN7、MN8的源极,NMOS管MN1、MN2的源极接地;NMOS管MN3、MN4的栅极相互连接,NMOS管MN3的栅级和漏极相互连接,并连接到PMOS管MP4及MP6的漏极,NMOS管MN4的源极接地;NMOS管MN5、MN6的栅极相互连接,NMOS管MN5的漏极连接到PMOS管MP10的漏极,NMOS管MN6的源极接地;NMOS管MN13、MN14的栅极相互连接,NMOS管MN13的栅极和漏极相互连...

【专利技术属性】
技术研发人员:张陶范麟徐骅李明剑艾斌斌万天才
申请(专利权)人:重庆西南集成电路设计有限责任公司
类型:发明
国别省市:重庆;50

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