半导体晶圆单质硅的提纯装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了半导体晶圆单质硅的提纯装置，包括氯化氢气体填充罐、反应罐、搅拌轴、计时器、温度计、投料口、筛板、倾斜导板、加热器、提纯箱、氢气填充罐、固体传输泵和回流管，所述的氯化氢气体填充罐与反应罐连通，反应罐内设有搅拌轴，搅拌轴上安装叶轮，反应罐侧壁上设有计时器，反应罐上设有温度计，反应罐侧壁上设有投料口，反应罐内部设有筛板，筛板下方设有倾斜导板，反应罐底端设有加热器，倾斜导板最低端处设有三氯化硅传输管，三氯化硅传输管另一端与提纯箱连接，氢气填充罐与提纯箱连通，回流管一端与提纯箱连接，回流管另一端与反应罐连接。本实用新型专利技术提高工作效率，对硅单质的提纯效果好，结构简单，使用方便，利于推广。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体晶制作设备，具体是半导体晶圆单质硅的提纯装置。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。现有的大部分制作单质硅的设备结构复杂，提纯的纯度不高，难以达到标准。
技术实现思路
本技术的目的在于提供半导体晶圆单质硅的提纯装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：半导体晶圆单质硅的提纯装置，包括氯化氢气体填充罐、反应罐、搅拌轴、计时器、温度计、投料口、筛板、倾斜导板、加热器、提纯箱、氢气填充罐、固体传输泵和回流管，所述的氯化氢气体填充罐与反应罐连通，反应罐内设有搅拌轴，搅拌轴上安装叶轮，反应罐侧壁上设有计时器，反应罐上设有温度计，反应罐侧壁上设有投料口，反应罐内部设有筛板，筛板下方设有倾斜导板，反应罐底端设有加热器，倾斜导板最低端处设有三氯化硅传输管，三氯化硅传输管另一端与提纯箱连接，氢气填充罐与提纯箱连通，回流管一端与提纯箱连接，回流管另一端与反应罐连接。作为本技术进一步的方案：所述的反应罐由透明材料制成。作为本技术再进一步的方案：所述的回流管上安装固体传输泵。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术在搅拌轴和叶轮的搅拌下加热均匀，提高工作效率，计时器记录反应时间，达到准确标准反应，温度计随时测量反应罐内温度，从投料口投入石英砂原料和焦炭，在加热器的加热下生成单质硅，单质硅与氯化氢气体填充罐通入的氯化氢作用下生成三氯化硅，三氯化硅从倾斜导板上流出，三氯化硅在氢气的作用下提纯单质硅，若纯度不足，在通过回流管回流到反应罐中继续提纯，直到达到标准，结构简单，使用方便，利于推广。附图说明图1为半导体晶圆单质硅的提纯装置的结构示意图。图中：1、氯化氢气体填充罐，2、反应罐，3、搅拌轴，4、计时器，5、温度计，6、叶轮，7、投料口，8、筛板，9、倾斜导板，10、加热器，11、提纯箱，12、氢气填充罐，13、固体传输泵，14、回流管，15、三氯化硅传输管。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。请参阅图1，半导体晶圆单质硅的提纯装置，包括氯化氢气体填充罐1、反应罐2、搅拌轴3、计时器4、温度计5、投料口7、筛板8、倾斜导板9、加热器10、提纯箱11、氢气填充罐12、固体传输泵13和回流管14，所述的氯化氢气体填充罐1与反应罐2连通，反应罐2内设有搅拌轴3，搅拌轴3上安装叶轮6，在搅拌轴3和叶轮6的搅拌下加热均匀，提高工作效率，反应罐2侧壁上设有计时器4，计时器4记录反应时间，达到准确标准反应，反应罐2上设有温度计5，温度计5随时测量反应罐2内温度，反应罐2侧壁上设有投料口7，反应罐2内部设有筛板8，筛板8下方设有倾斜导板9，反应罐2底端设有加热器10，从投料口7投入石英砂原料和焦炭，在加热器10的加热下生成单质硅，单质硅与氯化氢气体填充罐1通入的氯化氢作用下生成三氯化硅，三氯化硅从倾斜导板9上流出，倾斜导板9最低端处设有三氯化硅传输管15，三氯化硅传输管15另一端与提纯箱11连接，氢气填充罐12与提纯箱11连通，回流管14一端与提纯箱11连接，回流管14另一端与反应罐2连接，回流管14上安装固体传输泵13，三氯化硅在氢气的作用下提纯单质硅，若纯度不足，再通过回流管14回流到反应罐2中继续提纯，直到达到标准，反应罐2由透明材料制成，可以清楚的看到其中的情况。本技术的工作原理是：本技术在搅拌轴和叶轮的搅拌下加热均匀，提高工作效率，计时器记录反应时间，达到准确标准反应，温度计随时测量反应罐内温度，从投料口投入石英砂原料和焦炭，在加热器的加热下生成单质硅，单质硅与氯化氢气体填充罐通入的氯化氢作用下生成三氯化硅，三氯化硅从倾斜导板上流出，三氯化硅在氢气的作用下提纯单质硅，若纯度不足，在通过回流管回流到反应罐中继续提纯，直到达到标准，反应罐由透明材料制成，可以清楚的看到其中的情况。上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体晶圆单质硅的提纯装置，包括氯化氢气体填充罐、反应罐、搅拌轴、计时器、温度计、投料口、筛板、倾斜导板、加热器、提纯箱、氢气填充罐、固体传输泵和回流管，其特征在于，所述的氯化氢气体填充罐与反应罐连通，反应罐内设有搅拌轴，搅拌轴上安装叶轮，反应罐侧壁上设有计时器，反应罐上设有温度计，反应罐侧壁上设有投料口，反应罐内部设有筛板，筛板下方设有倾斜导板，反应罐底端设有加热器，倾斜导板最低端处设有三氯化硅传输管，三氯化硅传输管另一端与提纯箱连接，氢气填充罐与提纯箱连通，回流管一端与提纯箱连接，回流管另一端与反应罐连接。

【技术特征摘要】
1.半导体晶圆单质硅的提纯装置，包括氯化氢气体填充罐、反应罐、搅拌轴、计时器、温度计、投料口、筛板、倾斜导板、加热器、提纯箱、氢气填充罐、固体传输泵和回流管，其特征在于，所述的氯化氢气体填充罐与反应罐连通，反应罐内设有搅拌轴，搅拌轴上安装叶轮，反应罐侧壁上设有计时器，反应罐上设有温度计，反应罐侧壁上设有投料口，反应罐内部设有筛板，筛板下方设有倾斜导板，反应罐底端设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：何景瓷，
申请(专利权)人：何景瓷，
类型：新型
国别省市：江西;36