一种高转换效率多晶硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能技术领域，尤其是一种高转换效率多晶硅片，包括多晶硅片、高透保护玻璃和反光背板，所述多晶硅片的上端面设置有二氧化硅钝化层，所述二氧化硅钝化层的上端面设置有减反层，所述减反层的表面呈矩阵状设置有多个用于增大与太阳光接触面积的减反射凹槽，多个所述减反射凹槽之间设置有粘接条，所述粘接条上粘接有用于保护减反层的高透保护玻璃，所述多晶硅片的下端面粘接有反光背板，该高转换效率多晶硅片对比平面的多晶硅片设置减反射凹槽增大了与太阳光接触的面积，降低了多晶硅片的反光率，提升了太阳光子利用率，达到了提高多晶硅片的光电转换效率的效果。

High conversion efficiency polycrystalline silicon sheet

The utility model relates to the technical field of solar energy, especially a high conversion efficiency of polycrystalline silicon films, including polysilicon film, high transparent protective glass and a backboard, wherein the polysilicon film is arranged on the upper end face of SiO2 passivation layer, the SiO2 passivation layer on the end surface is provided with an anti reflection layer, the surface layer of the anti reduction a matrix is provided with a plurality of light for contact with the solar reflective groove reduces the area increases, more of the anti reflection groove is arranged between the adhesive strips, the adhesive strips on the adhesive used to protect the anti reflection layer of high permeability protective glass, bonding the lower face of the polysilicon film reflective backplane, polysilicon film the high conversion efficiency of polycrystalline silicon wafer contrast plane antireflection groove set increases light contact with the sun area, reducing the reflection rate of the polysilicon film, improve the utilization rate of solar photons. To improve the photoelectric conversion efficiency of polycrystalline silicon chip.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能
，尤其涉及一种高转换效率多晶硅片。
技术介绍
目前太阳能电池的市场中，晶体硅太阳能电池占据90%以上的份额，而在晶体硅太阳能电池中，多晶硅占据主导地位。多晶硅包括P型多晶硅和N型多晶硅，P型多晶硅电池片工艺简单、成本低，转换效率高，N型多晶硅电池片的转换效率比P型多晶电池片更高，性能更突出。但是目前N型多晶电池偏的制绒多采用酸制绒，这种绒面使得反射率高，太阳光子利用率不高，电池的转换效率受到很大的限制。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高转换效率多晶硅片。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：设计一种高转换效率多晶硅片，包括多晶硅片、高透保护玻璃和反光背板，所述多晶硅片的上端面设置有二氧化硅钝化层，所述二氧化硅钝化层的上端面设置有减反层，所述减反层的表面呈矩阵状设置有多个用于增大与太阳光接触面积的减反射凹槽，多个所述减反射凹槽之间设置有粘接条，所述粘接条上粘接有用于保护减反层的高透保护玻璃，所述多晶硅片的下端面粘接有反光背板。优选的，所述减反射凹槽为底座呈正方形的倒置四角椎体。优选的，所述粘接条的厚度高出减反层表面两到三毫米。本技术提出的一种高转换效率多晶硅片，有益效果在于：通过在多晶硅片的表面设置有减反层，减反层的表面呈矩阵状设置有减反射凹槽，对比平面的多晶硅片设置减反射凹槽增大了与太阳光接触的面积，提升了太阳光子利用率，达到了提高多晶硅片的光电转换效率的功能，同时减反射凹槽为倒置底座呈正方形的倒置四角椎体，且其表面做磨砂处理，减小了多晶硅片的反光率，进一步的提升了该多晶硅片的光电转换效率。附图说明图1为本技术提出的一种高转换效率多晶硅片的结构示意图。图中：1多晶硅片、2二氧化硅钝化层、3减反层、4减反射凹槽、5粘接条、6高透保护玻璃、7反光背板。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，一种高转换效率多晶硅片，包括多晶硅片1、高透保护玻璃6和反光背板7，多晶硅片1的上端面设置有二氧化硅钝化层2，二氧化硅钝化层2的上端面设置有减反层3，减反层3的表面呈矩阵状设置有多个用于增大与太阳光接触面积的减反射凹槽4，多个减反射凹槽4之间设置有粘接条5，粘接条5上粘接有用于保护减反层3的高透保护玻璃6，多晶硅片1的下端面粘接有反光背板7。减反射凹槽4为底座呈正方形的倒置四角椎体，对比平面的多晶硅片设置减反射凹槽单位面积增大了与太阳光接触的面积，提升了太阳光的利用率，达到了提高多晶硅片的光电转换效率的功能，粘接条5的厚度高出减反层3表面两到三毫米，设置粘接条5用于粘接高透保护玻璃6，保护玻璃6用于保护减反层3，同时不影响减反层3的正常吸收太阳光。工作原理：多晶硅片1的表面设置有减反层3，减反层3的表面呈矩阵状设置有减反射凹槽4，对比平面的多晶硅片1设置减反射凹槽增大了与太阳光接触的面积，提升了太阳光利用率，达到了提高多晶硅片1的光电转换效率的功能。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高转换效率多晶硅片，包括多晶硅片（1）、高透保护玻璃（6）和反光背板（7），其特征在于，所述多晶硅片（1）的上端面设置有二氧化硅钝化层（2），所述二氧化硅钝化层（2）的上端面设置有减反层（3），所述减反层（3）的表面呈矩阵状设置有多个用于增大与太阳光接触面积的减反射凹槽（4），多个所述减反射凹槽（4）之间设置有粘接条（5），所述粘接条（5）上粘接有用于保护减反层（3）的高透保护玻璃（6），所述多晶硅片（1）的下端面粘接有反光背板（7）。

【技术特征摘要】
1.一种高转换效率多晶硅片，包括多晶硅片（1）、高透保护玻璃（6）和反光背板（7），其特征在于，所述多晶硅片（1）的上端面设置有二氧化硅钝化层（2），所述二氧化硅钝化层（2）的上端面设置有减反层（3），所述减反层（3）的表面呈矩阵状设置有多个用于增大与太阳光接触面积的减反射凹槽（4），多个所述减反射凹槽（4）之间设置有粘接条（5），所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡伦，
申请(专利权)人：温州巨亮光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33