【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电阻器基板制备
，特别是一种复合型膜电阻器基板的制备方法。
技术介绍
膜电阻器制备的过程中，起到电阻电学作用的膜层都需要在特制的基板上进行成膜，基板需要具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等性能。电阻器基板的性能优劣对于电阻膜的成膜性和电学性能都有着较大的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的是为解决现有技术中的问题，公开了一种复合型膜电阻器基板的制备方法。为实现上述目的，本专利技术公开了一种复合型膜电阻器基板的制备方法，其具体制备步骤为：（1）将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合，置入粉碎机中，加入混合物等质量的乙醇进行粉碎，粉碎2-3小时后置入烘干机烘干；（2）将烘干的混合料再置入球磨机中加入混合料1-2倍质量的水，进行球磨处理，球磨10-12小时后，将混合粉料置入烘干机中在140-160℃烘干；（3）再将混合粉料中加入模具中，置入烧结炉中在1600-1800℃下烧结，烧结60-80分钟后，先降温至1000℃，再降温至400℃，最后自然冷却。本专利技术的优点和积极效果是：本专利技术方法采用两段式粉碎研磨，使粉料更加精细，制备的基板组分更加均匀，并在烧结后采用梯度式冷却，减少基板的裂隙瑕疵。具体实施方式具体实施例一：一种复合型膜电阻器基板的制备方法，其具体制备步骤为：（1）将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合，置入粉碎机中，加入混合物等质量的乙醇进行粉碎，粉碎2小时后置入烘干机烘干；（2）将烘干的混合料再置入球磨机中加入混合料1倍质量的水，进行球磨处理，球磨10小时后，将...
【技术保护点】
一种复合型膜电阻器基板的制备方法，其特征在于其具体制备步骤为：（1）将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合，置入粉碎机中，加入混合物等质量的乙醇进行粉碎，粉碎2‑3小时后置入烘干机烘干；（2）将烘干的混合料再置入球磨机中加入混合料1‑2倍质量的水，进行球磨处理，球磨10‑12小时后，将混合粉料置入烘干机中在140‑160℃烘干；（3）再将混合粉料中加入模具中，置入烧结炉中在1600‑1800℃下烧结，烧结60‑80分钟后，先降温至1000℃，再降温至400℃，最后自然冷却。
【技术特征摘要】
1.一种复合型膜电阻器基板的制备方法，其特征在于其具体制备步骤为：（1）将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合，置入粉碎机中，加入混合物等质量的乙醇进行粉碎，粉碎2-3小时后置入烘干机烘干；（2）将烘干的混合料再置入球磨机中加入混合料1-2...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹维常，
申请(专利权)人：安徽斯迈尔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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