触摸处理器制造技术

本发明专利技术是有关于一种触摸处理器，应用于一电容式触摸屏，该电容式触摸屏包括相互露出的一导电条结构与一屏蔽结构。导电条结构包括被提供一驱动信号的多条第一导电条与提供互电容性耦合信号的多条第二导电条，并且屏蔽结构被提供一直流信号。触控笔具有一导电笔头与一笔身。在握持笔身的人体没有接触耦合于导电笔身时，藉由导电笔头电容性耦合于屏蔽结构与导电条结构来提供足够的电容性耦合变化，导电笔头的位置可以被判断出来。

【技术实现步骤摘要】
本案是申请号为201110243997.X，申请日为2011年08月19日，专利技术名称为“电容式触摸屏的书写方法与电容式书写系统”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及于一种触摸处理器，特别是涉及一种降低负触影响的触摸处理器。
技术介绍
请参阅图1A-1、图1A-2所示,当驱动信号D经一条被驱动的导电条时,信号可能由同一只手的第一指A流到第二指B，造成在扫瞄感测资讯SI的过程中，相应于第一指A与第二指B的被感测的导电条都会感测到互电容性耦合信号变化，分别如触碰相关感测资讯SA与SB所示。由图1A-1、图1A-2可得知，其中触碰相关感测资讯SA与SB的变化升降顺序相反，亦即信号相反。触碰相关感测资讯SA代表相应于第一指A所在的被感测导电条与被驱动导电条交会区PA的电容性耦合的变化,存在正触(realtouch)。同样地，触碰相关感测资讯SB代表相应于第一指B所在的被感测导电条与被驱动导电条交会区的电容性耦合的变化，然而，触碰相关感测资讯SB所代表的交会区PB并没有被触碰，误判出了负触(unrealtouch)，即鬼点(phantomtouch)。在以下的说明中，因第一手指A的电容性耦合而流出导电条的信号称为正触信号，并且因第二手指B的电容性耦合而流入导电条的信号称为负触信号。因此由导电条侦测到相应于正触信号与负触信号的电容性耦合变化分别为正触的触碰相关感测资讯与负触的触碰相关感测资讯。请参阅图1B-1、图1B-2所示，当第一指A与第二指B位于相近或相同的被感测的导电条时，相应的触碰相关感测资讯SA与SB因信号相反而造成相互抵消，使得信号变小。当触碰相关感测资讯SA与SB强度接近时,可能造成信号过小而无法判读出正触。在以下的说明中，因负触信号与正触信号邻近而造成侦测到的正触的电容性耦合变化量失真的情形称为负触效应。在上述例子中，第一指A与第二指B是隔着一绝缘表层与导电条电容性耦合，当绝缘表层越薄时，负触效应越大。亦即，侦测到的正触的电容性耦合变化量失真得越严重。此外，当造成负触的第二手指B的数量越多时，负触信号的总量越大，侦测到的正触的电容性耦合变化量失真得越严重,甚至将原本正触的触碰相关感测资讯呈现为负触的触碰相关感测资讯。换言之，在最糟情形(worstcase)下,所有第二指B与一第一指A都位于相同的被侦测导电条(detectedelectrodestrips),此时负触效应为最大。显然地，在互电容式侦测时，对负触效应的容忍能力决定了是否能正确侦测出正触的位置与能够同时侦测出的正触位置的数量。上述的负触效应在可携式装置上更为严重,这是因为可携式装置系统的地与人体接触的地不同。由于市场的需求,可携式装置被要求越来越薄,因此电容式触摸屏也被要求必需越来越薄。电容式触摸屏往往被配置在显示器上面，显示器传导来的噪声会不断干扰电容式触摸屏，最直接的方法是在电容式触摸屏的背面(靠近显示器的部分)加上一层后屏蔽层(rearshieldinglayer)，后屏蔽层上加载一接地电位，以隔离显示器传导来的噪声。然而，后屏蔽层的增加，必然增加电容式触摸屏的厚度，比较难以符合市场需求。要在不增加后屏蔽层的情形下,同时降低显示器传导来的噪声的干扰,最常采用的技术手段就是在双层结构(DITO；doubleITO)中，将被提供驱动信号的导电条(被驱动的导电条)置于下层，并且将被感测的导电条置于上层，其中被驱动的导电条覆盖大部分的显示器，除了被提供驱动信号的导电条外，皆被耦合于接地电位，产生类似后屏蔽层的效果。由于被感测的导电条在上层，为了降低负触效应,绝缘表层的厚度便无法有效地变薄。当绝缘表层使用的是玻璃材质时，被感测的导电条需要与手指头间需要保持在大约1.1mm以上。即使是使用塑胶材质来贴合用于支持的玻璃，被感测的导电条需要与手指头间保持在大约0.7mm以上。在绝缘表层的厚度有这样严格限制的情况下，就只能缩小被驱动导电条与被感测导电条间的绝缘中介层的厚度。相对于双层结构，单层结构(SITO；singleITO)的绝缘表层也有同样的绝缘表层的厚度限制，但由于没有绝缘中介层，整体厚度相对于双层结构薄了许多,但也失去了上述的类似后屏蔽层的效果。如果无法有效降低显示器传导来的噪声的干扰，单层结构较适合设置在显示器内(Incell)。若是要置于显示器上方，后屏蔽层就可能成为必要的选择。显示器传导来的噪声的干扰降低了判断出正触的位置的能力，而负触效应影响了判断多正触位置的能力。显然地，要将电容式触摸屏的厚度降低,可能需要考量到被感测的导电条需要与手指头间的距离，甚至还可能要考量如何抵抗显示器传导来的噪声的干扰。此外，在使用触控笔在电容式触摸屏上书写时，触控笔是作为手的延伸,亦即触控笔的导电笔头经由导电笔身接触性耦合于人体。当手使用手套时，导电笔身无法有效地与人体接触性耦合时，将无法在电容式触摸屏上书写，相当地不便。由此可见，上述现有技术显然存在有不便与缺陷,而极待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的电容式触摸屏的书写方法与电容式书写系统，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有技术存在的缺陷，而提供新的电容式触摸屏的书写方法与电容式书写系统，所要解决的技术问题是使其相互露出的导电条结构与屏蔽结构，让导电笔头在没有与握持笔身的人体接触性耦合的情况下，仍能靠导电笔头电容性耦合导电条结构与屏蔽结构来提供足够的电容性耦合变化，以判断出导电笔头的位置，非常适于实用。本专利技术的另一目的在于，克服现有技术存在的缺陷，而提供一种新的电容式触摸屏的书写方法与电容式书写系统，所要解决的技术问题是使其藉由互电容式多点触摸屏的导电条结构促使被驱动导电条与外部导电物件的电容性耦合大于被侦测导电条与外部导电物件的电容性耦合，降低驱动信号隔着绝缘表层藉由多个外部导电物件的电容性耦合从导电条流出后再流入被侦测导电条的比例。藉此，负触效应能够被降低，随着负触信号的降低，绝缘表层的厚度就可以更薄，从而更加适于实用。本专利技术的再一目的在于，克服现有技术存在的缺陷，而提供一种新的电容式触摸屏的书写方法与电容式书写系统，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸处理器，应用于一电容式触摸屏，该电容式触摸屏包括一导电条结构与一屏蔽结构，该导电条结构包括交叠并且相互露出的多条第一导电条与多条第二导电条，该屏蔽结构与该导电条结构相互露出，其特征在于：提供一驱动信号给该导电条结构与该屏蔽结构之一；提供一直流信号给该导电条结构与该屏蔽结构的另一个，其中具有一导电笔头与一绝缘笔身的一笔同时覆盖该导电条结构与该屏蔽结构，并且该导电笔头并没有接触耦合至握持该绝缘笔身的接地物件时，该导电笔头分别电容性耦合于该导电条结构与该屏蔽结构，造成该导电条结构产生电容性耦合变化；以及侦测该导电条结构上的电容性耦合变化判断出该笔的位置。

【技术特征摘要】
2010.12.30 US 61/428,499;2011.01.24 US 61/435,568;1.一种触摸处理器，应用于一电容式触摸屏，该电容式触摸屏包括一
导电条结构与一屏蔽结构，该导电条结构包括交叠并且相互露出的多条第
一导电条与多条第二导电条，该屏蔽结构与该导电条结构相互露出，其特
征在于：
提供一驱动信号给该导电条结构与该屏蔽结构之一；
提供一直流信号给该导电条结构与该屏蔽结构的另一个，其中具有一
导电笔头与一绝缘笔身的一笔同时覆盖该导电条结构与该屏蔽结构，并且
该导电笔头并没有接触耦合至握持该绝缘笔身的接地物件时，该导电笔头
分别电容性耦合于该导电条结构与该屏蔽结构，造成该导电条结构产生电
容性耦合变化；以及
侦测该导电条结构上的电容性耦合变化判断出该笔的位置。
2.根据权利要求1所述的触摸处理器，其特征在于其中所述的驱动信
号是提供给所述的第一导电条的至少一条，并且该直流信号是提供给该屏
蔽结构，其中所述的电容性耦合变化是由所述的第二导电条测得。
3.根据权利要求1所述的触摸处理器，其特征在于其中所述的驱动信
号是提供给该屏蔽结构，并且该直流信号是提供给该导电条结构，其中所
述的电容性耦合变化是由所述的导电条结构测得。
4.根据权利要求1所述的触摸处理器，其特征在于其中除了该导电笔
头与该电容式触摸屏的电容性耦合外，没有其他信号由该导电笔头传送给
该电容式触摸屏。
5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦富，
申请(专利权)人：禾瑞亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71