用于嵌入式电池的电池控制系统技术方案

技术编号:14363024 阅读:81 留言:0更新日期:2017-01-09 10:29
本实用新型专利技术涉及一种用于嵌入式电池的电池控制系统。用于嵌入式电池的电池控制系统可以包括配置为与嵌入式电池耦接的电池控制电路、与电池控制电路耦接的放电FET和与电池控制电路耦接的充电FET。该系统还可以包括与电池耦接的正电池端子和与电池控制电路耦接的负电池端子以及与复位电路耦接的复位端子,该复位电路与电池控制电路耦接。复位电路和电池控制电路可以被包括在与放电FET和充电FET耦接的单个半导体芯片中。本实用新型专利技术解决的一个技术问题是防止电池组过热,实现的一个技术效果是减少电池组的过热。

【技术实现步骤摘要】

本公开的各方面通常涉及电池系统,诸如用于便携式设备的电池。
技术介绍
电池系统已经被设计为允许电子设备独立于来自主电源的电力操作。通常,这些电池系统采取电池组的形式,该电池组包括用于电池的控制电路以及包括使电池电耦接回电子设备的一组引线。可以在MasanoriKobayashi的在2007年2月7日提交并且在2008年8月21日公布的标题为“SemiconductorIntegratedCircuit”的日本专利申请公开No.P2008-192959A、MasatoshiSugimoto的在2007年11月22日提交并且在2009年6月11日公布的标题为“Over-CurrentProtectingCircuitandBatteryPack”的日本专利申请公开No.P2009-131020A以及Yamaguchi等人的在2008年5月19日提交并且在2009年12月3日公布的标题为“VoltageSettingCircuit,MethodforSettingVoltage,SecondaryBatteryProtectingCircuit,andSemiconductorIntegratedCircuitDevice”的日本专利申请公开No.P2009-283507A中找到常规系统和设备的示例,这些专利申请中的每一个的公开在此通过引用全部并入本文。
技术实现思路
本技术的一个实施例解决的一个技术问题是防止电池组过热。嵌入式电池系统的实施例可以包括:嵌入式电池、与嵌入式电池耦接的电池控制电路、与电池控制电路耦接的放电场效应晶体管(FET)和与电池控制电路耦接的充电FET。该系统还可以包括与电池耦接的正电池端子和与嵌入式电池耦接的负电池端子以及与复位电路耦接的复位端子,该复位电路与电池控制电路耦接。复位电路和电池控制电路可以被包括在与放电FET、充电FET和嵌入式电池耦接的单个半导体芯片中。嵌入式电池系统的实施例可以包括下列中的一个、全部或者一些:除了放电FET和充电FET以外可以不包括其它FET。复位电路可以被配置为响应于从复位端子接收复位信号,关断至少放电FET。可以包括配置为由用户按压的硬件开关以及该硬件开关与复位端子耦接并且被配置为在由用户按压预定时间段时向复位电路发送复位信号。复位电路可以被配置为通过复位端子从耦接至电池的负载或者充电器接收复位信号。复位电路可以被配置为当外部电力信号施加至复位端子时通过复位端子接收复位信号。可以从与正电池端子和负电池端子耦接的电力模块集成电路(IC)发送外部电力信号。复位电路可以被配置为通过关断至少放电FET以测试嵌入式电池的操作。该系统还可以包括测试开关和复位开关,其中当关合测试开关时,复位端子被配置为允许测试系统测试嵌入式电池系统,以及当关合复位开关时,复位端子被配置为接收复位信号以及将复位信号转发至复位电路。测试开关可以被配置为响应于在正电池端子处接收测试电流感测信号、测试电压信号或者测试电流感测信号和测试电压信号两者而关合,其中测试电流感测信号或者测试电压信号可以被配置为高于嵌入式电池的过度充电电压电平。该系统还可以包括熔丝阵列、配置为响应于从复位端子接收复位信号而关断至少放电FET的复位逻辑电路以及至少一个测试熔丝,该至少一个测试熔丝与熔丝阵列和复位逻辑电路耦接并且可以被配置为在接收测试熔丝修整信号以及嵌入式电池系统的测试序列结束时将测试/复位开关从测试位置移动到复位位置。用于嵌入式电池的电池控制系统的实施例可以包括配置为与嵌入式电池耦接的电池控制电路、与电池控制电路耦接的放电FET和与电池控制电路耦接的充电FET。该系统还可以包括与电池耦接的正电池端子和与电池控制电路耦接的负电池端子以及与复位电路耦接的复位端子,该复位电路与电池控制电路耦接。复位电路和电池控制电路可以被包括在与放电FET和充电FET耦接的单个半导体芯片中。电池控制系统的实施例可以包括下列中的一个、全部或者一些:除了放电FET和充电FET以外可以不包括其它FET。复位电路可以被配置为响应于从复位端子接收复位信号,关断至少放电FET。可以包括配置为由用户按压的硬件开关,以及该硬件开关与复位端子耦接并且被配置为在由用户按压预定时间段时向复位电路发送复位信号。复位电路可以被配置为通过复位端子从耦接至电池控制电路的负载或者充电器接收复位信号。复位电路可以被配置为当外部电力信号施加至复位端子时通过复位端子接收复位信号。可以从与正电池端子和负电池端子耦接的电力模块IC发送外部电力信号。复位电路可以被配置为通过关断至少放电FET以测试嵌入式电池的操作。该系统还可以包括测试开关和复位开关,其中当关合测试开关时,复位端子被配置为允许测试系统测试嵌入式电池系统,以及当关合复位开关时,复位端子被配置为接收复位信号以及将复位信号转发至复位电路。测试开关可以被配置为响应于在正电池端子处接收测试电流感测信号、测试电压信号或者测试电流感测信号和测试电压信号两者而关合,其中测试电流感测信号或者测试电压信号被配置为高于嵌入式电池的过度充电电压电平。该系统可以包括熔丝阵列、配置为响应于从复位端子接收复位信号而关断至少放电FET的复位逻辑电路以及至少一个测试熔丝,该至少一个测试熔丝与熔丝阵列和复位逻辑电路耦接并且可以被配置为在接收测试熔丝修整信号以及嵌入式电池系统的测试序列结束时将测试/复位开关从测试位置移动到复位位置。本技术的一个实施例的一个技术效果是减少电池组的过热。通过描述和附图以及权利要求,上述以及其它方面、特征和优点将对本领域普通技术人员是清晰的。附图说明将在下文中结合附图对实施例进行描述,其中相似的附图标记指示相似的元件,以及:图1是包括复位集成电路(IC)的常规电池系统的电路图;图2是电池复位系统的第一实施例的电路图;图3是电池复位系统的第二实施例的电路图;图4是图3的系统的复位信号和场效应晶体管(FET)活动的信号图;图5是用于图3中图示的系统实施例的电池复位电路的实施例的电路图;图6是电池复位系统的第三实施例的电路图;图7是图6的系统的复位信号和FET活动的信号图;图8是用于图6中图示的系统实施例的电池复位电路的实施例的电路图;图9是电池复位系统的第四实施例的电路图;图10是图9的系统的复位信号和FET活动的信号图;图11是用于图9中图示的系统实施例的电池复位电路的实施例的电路图;图12是具有测试端子的电池复位系统的实施例的电路图;图13是具有测试开关和复位开关以允许复位端子暂时被用作测试端子的电池复位系统的实施例的电路图;图14是可以用于图13的系统实施例的电池复位电路的第一实施例的电路图;图15是可以用于图13的系统实施例的电池复位电路的第二实施例的电路图;图16是可以用于图13的系统实施例的电池复位电路的第三实施例的电路图;图17是可以用于图13的系统实施例的电池复位电路的第四实施例的电路图;图18是图13的系统实施例的正常复位操作的示例性信号图;图19是图13的系统实施例的测试操作的示例性信号图;图20是具有测试端子的电池复位系统的实施例的电路图;图21是具有被设计为将开关从测试位置移动至复位位置以允许复位端子被暂时用作测试端子的至少一个熔丝、熔丝阵列和复位逻辑的电池复本文档来自技高网...
用于嵌入式电池的电池控制系统

【技术保护点】
一种用于嵌入式电池的电池控制系统,其特征在于包括:电池控制电路,被配置为与嵌入式电池耦接;放电场效应晶体管FET,与所述电池控制电路耦接;充电FET,与所述电池控制电路耦接;与电池耦接的正电池端子和与所述电池控制电路耦接的负电池端子;与复位电路耦接的复位端子,所述复位电路与所述电池控制电路耦接;其中所述复位电路和所述电池控制电路被包括在与所述放电FET和充电FET耦接的单个半导体芯片中。

【技术特征摘要】
2015.07.31 US 14/814,6621.一种用于嵌入式电池的电池控制系统,其特征在于包括:电池控制电路,被配置为与嵌入式电池耦接;放电场效应晶体管FET,与所述电池控制电路耦接;充电FET,与所述电池控制电路耦接;与电池耦接的正电池端子和与所述电池控制电路耦接的负电池端子;与复位电路耦接的复位端子,所述复位电路与所述电池控制电路耦接;其中所述复位电路和所述电池控制电路被包括在与所述放电FET和充电FET耦接的单个半导体芯片中。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,除了所述放电FET和充电FET以外不包括其它FET。3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述复位电路被配置为响应于从所述复位端子接收复位信号,关断至少所述放电FET。4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,被配置为由用户按压的硬件开关与所述复位端子耦接,以及所述硬件开关被配置为在由所述用户按压预定时间段时向所述复位电路发送复位信号。5.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述复位电路被配置为通过所述复位端子从耦接至所述电池控制电路的负载和充电器中的一个接收复位信号。6.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述复位电路被配置为在外部电...

【专利技术属性】
技术研发人员:仁木雅雨宫圭司林安昭山本克己
申请(专利权)人:半导体元件工业有限责任公司
类型:新型
国别省市:美国;US

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