MEMS器件三维封装互连材料制造技术

本发明专利技术公开了MEMS器件三维封装互连材料，属于MEMS互连材料领域。该互连材料的纳米PrSn3含量为0.05～0.5％，纳米Cu6Sn5含量为0.5～1.5％，亚微米Cu颗粒含量为0.05～0.5％，Ag纳米线为0.5～2.0％，Bi含量为40～60％，其余为Sn。使用纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒，Ag纳米线，预先将Sn/Bi粉末混合均匀，添加钎剂混合，制备膏状的互连材料，然后加入亚微米Cu颗粒和Ag纳米线，最后添加纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒。采用高能超声搅拌制备成焊膏使用。本互连材料具有较低的低熔点和较高的性能，可用于MEMS器件的互连。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种MEMS器件三维封装互连材料，属MEMS互连材料领域。该互连材料主要用于MEMS一类电子器件高可靠性需求的领域，是一种具有高性能的新型互连钎料。
技术介绍
MEMS是利用微机械加工工艺制作具有机械特性的传感器系统，该系统包括传感器和执行器等微机械部件以及电子集成电路，一般采用硅或非硅材料作为机械结构，以获得优异的机械性能。在MEMS器件封装中，微小互连焊点扮演者机械支撑和电气连接的角色，在MEMS器件可靠性中起着重要的作用。为了实现MEMS器件的低温连接，诸多研究者选用了钎焊材料在250℃低温条件下进行连接，传统的SnPb钎料因为183℃的低温和高性能被认为是最佳的互连材料，但是由于Pb的毒性，国内外的研究者和企业决定剔出Pb，选择无铅钎料进行连接。在系列的无铅钎料中，SnAgCu钎料被推荐为替代传统SnPb的最优选择，但是在服役期间SnAgCu内部会出现组织粗大、抗蠕变性能低、使用寿命较短的缺陷。对于MEMS器件而言，焊点数量较多且尺寸较小，在服役期间极容易因为组织的恶化出现焊点性能的下降。降低MEMS器件的可靠性。在探讨无铅钎料研究中，合金化是互连材料改性的主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件三维封装互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：纳米PrSn3含量为0.05～0.5％，纳米Cu6Sn5含量为0.5～1.5％，亚微米Cu颗粒含量为0.05～0.5％，Ag纳米线为0.5～2.0％，Bi含量为40～60％，其余为Sn。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件三维封装互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：纳米PrSn3含量为0.05～0.5％，纳米Cu6Sn5含量为0.5～1.5％，亚微米Cu颗粒含量为0.05～0.5％，Ag纳米线为0.5～2.0％，Bi含量为40～60％，其余为Sn。2.一种用于权利要求1所述的MEMS器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，刘志权，郭永环，钟素娟，
申请(专利权)人：江苏师范大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32