氧化铜纳米管阵列的制备方法技术

技术编号:1430403 阅读:442 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
氧化铜纳米管阵列的制备方法,其特征是首先以氢氧化钠、过硫酸铵和铜箔为原料,以水为溶剂,于0-30℃下反应,制备出氢氧化铜纳米管阵列;进而以氢氧化铜纳米管阵列为前驱体,通过在惰性气氛保护下或是在真空状态中加热获得氧化铜纳米管阵列。本发明专利技术方法简单、条件温和、成本低廉、可大面积生产出粗细均匀、整齐有序的CuO纳米管结构阵列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
利用物理和化学的方法生长各种纳米尺度的物质单元,以这种物质单元作基元按一定的规律排列起来,形成一维、二维、三维的阵列,组成一个纳米结构体系,它不仅具有纳米微粒的特征,如量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应等,还存在由纳米结构组成引起的新的效应,如量子耦合效应和协同效应等。其次这种纳米结构体系很容易通过外场(电、磁、光及辐射场等)实现对其性能的表征,这就是纳米器件的设计基础。纳米结构阵列的制备与研究将为材料的小型化、智能化、元件的高集成、高密集存储和超快传输提供广阔的应用空间。纳米阵列激光器是21世纪超微型激光器的重要发展方向。此外,纳米结构阵列体系在滤光器件、传感器及电容器等方面亦有应用前景。可见纳米结构阵列体系不仅便于进行基础研究,而且是实现在原子、分子水平上设计和制造微电子器件的基础,是一种很有潜力的新型功能材料。CuO是优良的半导体材料,在光热、光电、传感器、超导、太阳能转换、锂离子充电电池和有机合成催化剂等方面都有着广泛的应用。又由于纳米管特殊的光学、电学、磁学等性质,使CuO纳米管阵列的制备与研究具有重要的意义。目前CuO纳米管结构及其阵列合成本文档来自技高网...

【技术保护点】
氧化铜纳米管阵列的制备方法,其特征是按如下步骤进行:a、以氢氧化钠、过硫酸铵和铜箔为原料,以水为溶剂,于0-30℃下反应制备氢氧化铜(Cu(OH)↓[2])纳米管阵列;b、以氢氧化铜纳米管阵列为前驱体,通过在惰性气氛保护下或 是在真空状态中加热获得氧化铜(CuO)纳米管阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张卫新杨则恒丁筛霞杨世和
申请(专利权)人:合肥工业大学
类型:发明
国别省市:34[中国|安徽]

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