【技术实现步骤摘要】
本技术涉及检测设备研究领域，具体地，涉及一种水浸检测装置。
技术介绍
传统水浸检测电路有许多缺点，例如待机功耗高，工作电流大，使用温度范围窄，抗干扰性能不好等缺点。现有基于电阻检测的模块要么基于变送器技术，应用于工业场所，使用12V或24VDC供电，要么使用在民用场所，使用220-V交流供电；大都需要配合专用探头；类似模块或产品的探测端，电源端，输出端一般都需要兼容不同电压等级，必须使用电压隔离，防护与转换电路，导致模块或产品尺寸和功耗很大。综上所述，本申请专利技术人在实现本申请实施例中技术技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：在现有技术中，现有的传统水浸检测电路存在功耗大、尺寸大、抗干扰性能较低的技术问题。
技术实现思路
本技术提供了一种水浸检测装置，解决了现有的传统水浸检测电路存在功耗大、尺寸大、抗干扰性能较低的技术问题，实现了水浸检测装置功耗低，尺寸小，抗干扰性能强的技术效果。为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种水浸检测装置，所述装置包括：单片机型号为PIC12LF1822、功耗控制电路、检测电路、告警指示电路，其中，所述功耗控制电路、所述检测...
【技术保护点】
一种水浸检测装置，其特征在于，所述装置包括：单片机、功耗控制电路、检测电路、告警指示电路，其中，所述功耗控制电路、所述检测电路、所述告警指示电路均与所述单片机连接。
【技术特征摘要】
1.一种水浸检测装置，其特征在于，所述装置包括：单片机、功耗控制电路、检测电路、告警指示电路，其中，所述功耗控制电路、所述检测电路、所述告警指示电路均与所述单片机连接。2.根据权利要求1所述的水浸检测装置，其特征在于，所述功耗控制电路具体包括：电阻R1、电阻R2、第一金氧半场效晶体管、微控制器，其中，第一金氧半场效晶体管为N型，电阻R1的一端与输入端连接，所述电阻R1的另一端与第一金氧半场效晶体管的G级连接，电阻R2一端接地，所述电阻R2的另一端与第一金氧半场效晶体管的G极连接，微控制器一端与第一金氧半场效晶体管的G极连接，微控制器另一端与第一金氧半场效晶体管的D极连接，第一金氧半场效晶体管的S极与输出端连接。3.根据权利要求1所述的水浸检测装置，其特征在于，所述检测电路具体包括：探针1、探针2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、第二金氧半场效晶体管、电阻R6、电阻R7、电阻R8、第三金氧半场效晶体管，第二和第三金氧半场效晶体管均为P型，电阻R3一端与探针2连接，电阻R3另一端与第二金氧半场效晶体管的G极连接，电阻R4一端与第二金氧半场效晶体管的G极连接，电阻R4另一端与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与第二金氧半场效晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭诣煌，田大伟，
申请(专利权)人：成都红剑科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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