显示装置制造方法及图纸

一种显示装置的一阵列基板具有至少一像素结构，像素结构包含一第一导电层、一第二导电层及一氧化物半导体层。第一导电层具有沿一第一方向延伸的一走线部，走线部具有一第一侧及与第一侧相对的一第二侧。第二导电层设置于第一导电层之上，并具有二接触部，该些接触部分别对应设置于第一侧及第二侧。氧化物半导体层设置于第一导电层与第二导电层之间，其中，氧化物半导体层分别接触该些接触部，并沿第一方向具有一第一宽度，该些接触部的其中之一与第一导电层具有一重叠区，该重叠区沿第一方向具有最大的一第二宽度，第一宽度小于第二宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种平面显示装置。
技术介绍
随着科技的进步，平面显示面板已经广泛地被运用在各种领域，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、可携式多媒体装置、笔记本电脑、液晶电视及液晶屏幕等等。以液晶显示面板为例，习知一种液晶显示面板包含一薄膜晶体管基板、一彩色滤光基板及一液晶层，薄膜晶体管基板与彩色滤光基板相对而设，而液晶层夹置于薄膜晶体管基板与彩色滤光基板之间。其中，薄膜晶体管基板具有多个像素设置于一基板上，并可藉由控制所述像素而控制液晶层的液晶分子的转向而使显示面板显示影像。另外，由于市场的快速竞争，使得较高解析度及较高显示品质的显示装置一直是业界持续追求的目标之一。因此，如何提供一种显示装置，可使像素结构的尺寸较小而应用于较高解析度的产品，并具有较高显示品质，已成为重要课题之一。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术的目的为提供一种可使像素结构的尺寸较小而应用于较高解析度的产品，并具有较高显示品质的显示装置。为达上述目的，依据本专利技术的一种显示装置，包括一阵列基板、一对向基板以及一显示介质层。阵列基板具有至少一像素结构，像素结构包含一第一导电层、一第二导电层及一氧化物半导体层。第一导电层具有沿一第一方向延伸的一走线部，走线部具有一第一侧及与第一侧相对的一第二侧。第二导电层设置于第一导电层之上，并具有二接触部，所述接触部分别对应设置于第一侧及第二侧。氧化物半导体层设置于第一导电层与第二导电层之间，氧化物半导体层的两端分别接触所述接触部，并沿第一方向具有一第一宽度，所述接触部的其中之一与第一导电层具有一重叠区，重叠区沿第一方向具有最大的一第二宽度，第一宽度小于第二宽度。显示介质层设置于阵列基
板与对向基板之间。在一实施例中，第一导电层还具有一突出部，突出部由走线部的第二侧延伸凸出。在一实施例中，走线部与所述接触部的其中之一具有部分重叠，突出部与所述接触部的其中另一具有部分重叠。在一实施例中，氧化物半导体层具有一连接部及位于连接部两侧的二端部，连接部沿第一方向的宽度小于所述端部的其中之一沿第一方向的宽度。在一实施例中，像素结构更包含一第一绝缘层，第一绝缘层设置于氧化物半导体层与第二导电层之间，第一绝缘层具有对应于所述接触部的两开口，且所述接触部经由所述开口与氧化物半导体层接触。在一实施例中，所述开口的其中之一使氧化物半导体层的其中之一末端完全露出。在一实施例中，第一绝缘层覆盖氧化物半导体层的其中另一末端。在一实施例中，像素结构更包含一第二绝缘层及一电极，第二绝缘层设置于第二导电层上，电极设置于第二绝缘层上，且电极通过第二绝缘层的一通孔连接所述接触部的其中之一。在一实施例中，像素结构更包含一遮光棒，遮光棒设置于第一导电层的第一侧，且通孔对应位于遮光棒与走线部之间。在一实施例中，第二导电层更具有沿一第二方向延伸的一导线部，导线部与所述接触部的其中另一连接，且第一方向与第二方向实质上垂直。承上所述，因本专利技术的显示装置中，像素结构的第二导电层具有二接触部分别对应设置于第一导电层的走线部的第一侧及第二侧，而氧化物半导体层设置于第一导电层与第二导电层之间，且其两端分别接触所述接触部。另外，氧化物半导体层沿第一方向的第一宽度小于所述接触部的其中之一与第一导电层的重叠区沿第一方向最大的第二宽度。因此，藉由本专利技术的像素结构的设计，使得像素结构的尺寸较小而应用于较高解析度的产品，并具有较佳的电性表现而具有较高的显示品质。附图说明图1A为本专利技术较佳实施例的一种显示装置的示意图；图1B为图1A的显示装置中，多个像素结构的示意图；图1C为图1B中，一个像素结构的放大示意图；图1D为图1C中，沿直线A-A的剖视示意图；图1E为本专利技术的显示装置1的另一示意图；图2为本专利技术另一实施态样的像素结构的示意图；图3A至图3E分别为本专利技术不同态样的像素结构的示意图。具体实施方式以下将参照相关图式，说明依本专利技术较佳实施例的显示装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。请参照图1A至图1D所示，其中，图1A为本专利技术较佳实施例的一种显示装置1的示意图，图1B为图1A的显示装置1中，多个像素结构P的示意图，图1C为图1B中，一个像素结构P的放大示意图，而图1D为图1C中，沿直线A-A的剖视示意图。于图示中显示了一第一方向D1、一第二方向D2及一第三方向D3，第一方向D1、第二方向D2及第三方向D3实质上两两相互垂直。其中，第一方向D1可与扫描线的延伸方向实质上平行，第二方向D2可与数据线的延伸方向实质上平行，而第三方向D3分别为实质垂直第一方向D1与第二方向D2的另一方向。如图1A所示，显示装置1包括一阵列基板11、一对向基板12以及一显示介质层13。阵列基板11与对向基板12相对设置，而显示介质层13则夹置于阵列基板11与对向基板12之间。阵列基板11与对向基板12可分别包含透光材质，并例如为一玻璃基板、一石英基板或一塑胶基板，并不限定。本实施例的显示装置1可为一液晶显示面板或一有机发光二极管显示面板。于此，以液晶显示面板为例，故显示介质层13为一液晶层。其中，阵列基板11可为一薄膜晶体管基板，而对向基板12可为一彩色滤光基板，且阵列基板11、显示介质层13与对向基板12可组成一液晶显示面板。不过，在不同实施例中，若显示装置1为一有机发光二管体显示面板时，则显示介质层13可为一有机发光二极管层。在一实施例中，若有机发光二极管层发出白光时，则对向基板12可为一彩色滤光基板；在另一实施例中，若有机发光二极管层发出例如红、绿、蓝色光时，则对向基板12可为一保护基板(Cover plate)，以保护有机发光二极管层不受外界水气或异物的污染。如图1B至图1D所示，阵列基板11具有一基板110(图1B、图1C未显示)及至少一像素结构P，像素结构P设置于基板110上。本实施例以具有多个像素结构P
为例，且所述像素结构P可配置成二维矩阵状。像素结构P至少包含一第一导电层111、一第二导电层112及一氧化物半导体层113。于此，第一导电层111、第二导电层112及氧化物半导体层113至少可形成一薄膜晶体管，并为像素的一开关元件。另外，如图1D所示，本实施例的像素结构P更可包括一第一绝缘层114、一第二绝缘层115、一电极116、一遮光棒117及一介电层118。其中，为了清楚说明本专利技术的特点，图1B的电极116以虚线表示，而图1C只显示像素结构P的第一导电层111、第二导电层112、氧化物半导体层113及一遮光棒117，并未显示其他的膜层。如图1C及图1D所示，第一导电层111设置于阵列基板11的基板110上，并具有一走线部1111沿第一方向D1延伸，且走线部1111具有一第一侧S1及与第一侧S1相对的一第二侧S2。本实施例的第一侧S1为图1C的第一导电层111的走线部1111的上侧，而第二侧S2为与第一侧S1相对的另一侧(走线部1111的下侧)。第一导电层111的材质可为金属(例如为铝、铜、银、钼、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。其中，第一导电层111可作为薄膜晶体管的一栅极(未标示)与像素扫描线。介电层118设置于第一导电层111及基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，所述的显示装置包括：一阵列基板，具有至少一像素结构，所述像素结构包含：一第一导电层，具有沿一第一方向延伸的一走线部，所述走线部具有一第一侧及与所述第一侧相对的一第二侧；一第二导电层，设置于所述第一导电层之上，并具有二接触部，所述接触部分别对应设置于所述第一侧及所述第二侧；及一氧化物半导体层，设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，其中，所述氧化物半导体层的两端分别接触所述接触部，并沿所述第一方向具有一第一宽度，所述接触部的其中之一与所述第一导电层具有一重叠区，所述重叠区沿所述第一方向具有最大的一第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；一对向基板；以及一显示介质层，设置于所述阵列基板与所述对向基板之间。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，所述的显示装置包括：一阵列基板，具有至少一像素结构，所述像素结构包含：一第一导电层，具有沿一第一方向延伸的一走线部，所述走线部具有一第一侧及与所述第一侧相对的一第二侧；一第二导电层，设置于所述第一导电层之上，并具有二接触部，所述接触部分别对应设置于所述第一侧及所述第二侧；及一氧化物半导体层，设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，其中，所述氧化物半导体层的两端分别接触所述接触部，并沿所述第一方向具有一第一宽度，所述接触部的其中之一与所述第一导电层具有一重叠区，所述重叠区沿所述第一方向具有最大的一第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；一对向基板；以及一显示介质层，设置于所述阵列基板与所述对向基板之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一导电层还具有一突出部，所述突出部由所述走线部的所述第二侧延伸凸出。3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述走线部与所述接触部的其中之一具有部分重叠，所述突出部与所述接触部的其中另一具有部分重叠。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体层具有一连接部及位于所述连接部两侧的二端部，所述连接部沿所述第一方向的宽度小...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政雄，陈培杰，王兆祥，陈奕静，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71