一种基板处理设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基板处理设备，是针对一具有一暂时基板及一半导体元件的晶圆进行处理，该基板处理设备包含一第一半部、一第二半部及一液体供应单元，该第一半部包含一工作平台，该第二半部包含一具有一第一表面的上盖以及多个第二孔洞，该液体供应单元用于提供一液体，其中，该晶圆置放于该工作平台且该半导体元件的一第二表面和该第一表面相距一足以让该液体流动于该第二表面时和该第一表面接触而对该第二表面产生一吸附力的距离，进而让该暂时基板与该半导体元件之间形成一剥离力而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。

【技术实现步骤摘要】

本技术为涉及一种基板处理设备，尤指一种具有低制造成本的基板处理设备。
技术介绍
半导体元件是目前许多电器及电子产品不可或缺的元件之一，于制造过程中需经由精密设备及多项制作步骤方可完成。如美国专利技术专利公告第US 8,334,461号，提出一种布线板，用于安装一电子组件，且包含多个布线层、一导线形成区域以及一周围区域，该布线层具有设置于其间的一绝缘层，该导线形成区域是由电子元件所欲装设的一区域而对应的部分来定义，该周围区域围绕该导线形成区域。或如中国台湾专利公告第I407536号，提出一种半导体元件的散热座的制作方法，包含形成一覆盖于一暂时基板的一表面上的导电层；将一半导体晶片通过至少一金属凸块接合于该导电层，其中该金属凸块介于该半导体晶片与该导电层之间；形成一金属基板于该导电层上，其中该金属基板填满该半导体晶片与该导电层之间的一间隙；移除该暂时基板。又如中国台湾专利公告第I297537号，提出一种半导体元件的嵌入式金属散热座，包括一金属薄层、至少一半导体元件、一金属散热座以及二电极垫，该金属薄层具有相对的一第一表面以及一第二表面，该半导体元件嵌设在该金属薄层的该第一表面中且具有电性相反的二电极，该金属散热座接合于该金属薄层的该第二表面，该二电极垫分别对应于该些电极且设在该半导体元件周围的该金属薄层的该第一表面上并与一外部电路电性连接，其中该些电极通过至少二导线而分别与对应的该些电极垫电性连接。另如中国台湾专利公告第I405257号，提出一种分离基板与半导体层的方法，包含下列步骤，提供一暂时基板；形成一图案化二氧化硅层位于该暂时基板上；成长一半导体层位于该图案化二氧化硅层上；形成一金属镜面于该半导体层上；第一次蚀刻该图案化二氧化硅层；第二次蚀刻该暂时基板与该半导体层的界面以移除该暂时基板。于以上先前技术之中，美国专利技术专利公告第US 8,334,461号是当欲形成布线板前需先通过湿式蚀刻方式处理而使用大量的湿蚀剂将暂时基材完全去除，然此方法需耗费大量湿蚀剂进而使制作成本提高；另，中国台湾专利公告第I407536号是通过研磨或激光剥除方式移除暂时基板，然而研磨方式需把整片暂时基板研磨殆尽而产生耗费制程时间的问题，而激光剥除方式需通过精密且昂贵又耗电的设备来进行处理，更可能于处理过程中破坏半导体的结构而使制作成本提高；另，中国台湾专利公告第I297537号由于金属薄层和光电元件是藉由胶带而贴设在暂时基板上，因此将胶带移除即可使金属薄层及光电元件与暂时基板分开，然而此分离方式容易使胶带的高分子残留于暂时基板或元件，将造成污染；另，中国台湾专利公告第I405257号也采用湿式蚀刻将暂时基板与半导体层分离，故同样具有类似提高制作成本的问题和缺点。
技术实现思路
本技术的主要目的，在于解决现有半导体制程中，因需耗费大量化学药剂或需通过精密且昂贵又耗电的设备来将暂时基板完全移除，进而提高制作成本的问题。为达上述目的，本技术提供一种基板处理设备，是针对一具有一暂时基板以及一形成于该暂时基板一侧的半导体元件的晶圆进行处理，该基板处理设备包含有一第一半部、一第二半部及一液体供应单元，该第一半部包含有一工作平台及一设置于该工作平台的第一孔洞，该第二半部设置于该第一半部上方，包含有一对应于该工作平台以形成一容置该晶圆的容置空间的上盖以及多个设置于该上盖的第二孔洞，该上盖具有一位于该工作平台上方且供该第二孔洞设置的第一表面，该液体供应单元分别与该第一孔洞及该第二孔洞连通并提供一液体至该容置空间，其中，该晶圆置放于该工作平台且该半导体元件的一第二表面和该第一表面相距一足以让该液体流动于该第二表面时和该第一表面接触而对该第二表面产生一吸附力的距离，进而让该暂时基板与该半导体元件之间形成一剥离力而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。由以上可知，本技术相较于现有技艺可达到的功效在于，利用该液体供应单元提供的该液体，当该液体于流动状态时，将于该第一表面和该第二表面之间的一狭长空间内形成稳定层流，而定义出一流场，根据伯努利(Bernoulli)效应，该晶圆上下之间将产生一压力差，而使该流场对该第二表面形成一动态向上吸附力；当该液体于静止状态时，处于该狭长空间内的该液体将根据毛细管作用而对该第二表面形成一静态向上吸附力，而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。因此，不需藉由大量化学药剂以浸泡方式处理晶圆，亦不需通过精密且昂贵又耗电的设备处理晶圆，故制造成本可大幅降低。附图说明图1A，为本技术一实施例的基板处理设备示意图。图1B，为图1A的局部放大示意图。图2，为本技术另一实施例的基板处理设备示意图。具体实施方式涉及本技术的详细说明及
技术实现思路
，现就配合图式说明如下：请搭配参阅图1A所示，为本技术一实施例的基板处理设备示意图，本技术为一种基板处理设备1，是针对一具有一暂时基板101以及一形成于该暂时基板101一侧的半导体元件102的晶圆10进行处理，该基板处理设备1包含有一第一半部11、一第二半部12及一液体供应单元13，该第一半部11包含有一工作平台111以及一第一孔洞112，该第一孔洞112设置于该工作平台111，该第二半部12设置于该第一半部11上方，包含有一上盖121以及多个设置于该上盖121的第二孔洞122，该上盖121具有一位于该工作平台111上方且供该第二孔洞122设置的第一表面121a，该上盖121和该工作平台111之间形成一容置该晶圆10的容置空间14。该液体供应单元13与该第一孔洞112及该第二孔洞122连通并提供一液体至该容置空间14，于本技术中，该液体可为水或一高挥发性低黏滞系数的溶剂，例如异丙醇(Isopropyl Alcohol，简称IPA)。于本技术中该第二孔洞122是以三个做举例说明，但可配合使用需求会有不同数量的孔洞，并不以本案的举例为限。于本实施例中，更包含有一设置于该工作平台111的升降旋转件113、一连接于该上盖121的升降件123、一与该第一孔洞112连通的抽真空单元15、一与该第一孔洞112及该第二孔洞122连通并提供一气体至该容置空间14的气体供应单元16以及一电性连接于该液体供应单元13、该抽真空单元15以及该气体供应单元16的控制单元17，于本技术中，该气体可为空气。于实际应用时，先将该晶圆10置放于该工作平台111与该上盖121之间的该容置空间14中，该升降件123控制该上盖121对应于该工作平台111上操作，该控制单元17控制该气体供应单元16、该液体供应单元13以及该抽真空单元15进行运作，例如控制该抽真空单元15对该容置空间14抽真空，于本技术中，该抽真空单元15可于该第一孔洞112与该晶圆10的该暂时基板101之间形成一真空状态进而使该晶圆10固定于该工作平台111上。又或者控制该气体供应单元16分别通过该第一孔洞112及该第二孔洞122输入该气体以进行清洁的动作。另外，该控制单元17更可控制该液体供应单元13提供该液体对该晶圆10进行处理，其中处理方式为通过该第二孔洞122提供该液体于该半导体元件102的一第二表面102a上，其中，该上盖121的该第一表面121a与该半导体元件102的该第二表面102a相距一足以让该液体流动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备，是针对一具有一暂时基板以及一形成于该暂时基板一侧的半导体元件的晶圆进行处理，其特征在于，该基板处理设备包含有：一第一半部，包含有一工作平台及一设置于该工作平台的第一孔洞；一设置于该第一半部上方的第二半部，包含有一对应于该工作平台以形成一容置该晶圆的容置空间的上盖以及多个设置于该上盖的第二孔洞，该上盖具有一位于该工作平台上方且供该第二孔洞设置的第一表面；以及一分别与该第一孔洞及该第二孔洞连通并提供一液体至该容置空间的液体供应单元；其中，该晶圆置放于该工作平台且该半导体元件的一第二表面和该第一表面相距一足以让该液体流动于该第二表面时和该第一表面接触而对该第二表面产生一吸附力的距离，进而让该暂时基板与该半导体元件之间形成一剥离力而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，是针对一具有一暂时基板以及一形成于该暂时基板一侧的半导体元件的晶圆进行处理，其特征在于，该基板处理设备包含有：一第一半部，包含有一工作平台及一设置于该工作平台的第一孔洞；一设置于该第一半部上方的第二半部，包含有一对应于该工作平台以形成一容置该晶圆的容置空间的上盖以及多个设置于该上盖的第二孔洞，该上盖具有一位于该工作平台上方且供该第二孔洞设置的第一表面；以及一分别与该第一孔洞及该第二孔洞连通并提供一液体至该容置空间的液体供应单元；其中，该晶圆置放于该工作平台且该半导体元件的一第二表面和该第一表面相距一足以让该液体流动于该第二表面时和该第一表面接触而对该第二表面产生一吸附力的距离，进而让该暂时基板与该半导体元件之间形成一剥离力而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，更包含一分别与该第一孔洞及该第二孔洞连通并提供一气体的气体供应单元。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王义正，
申请(专利权)人：奇勗科技股份有限公司，王义正，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71