一种连续性生产氟硅酸钠的方法技术

技术编号:1406856 阅读:224 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种连续性生产氟硅酸钠的方法。本发明专利技术可采用一个多格合成槽,在多格合成槽各格的隔板或隔墙上设置开口连通,第1格与最后1格之间不开口、不连通。原料氟硅酸和卤水同时计量加入第1格中,进行搅拌反应。在搅拌作用下,反应料浆进入第2格,该格中,可以补加氟硅酸或/和卤水,进一步反应和养晶,然后,反应料浆依次进入第3格、直到最后一格进行养晶。本发明专利技术还可以采用一个单格合成槽并同时设置多个养晶槽,在单格合成槽及各个养晶槽锥底位置开口出料。原料氟硅酸和卤水同时计量加入单格合成槽中,进行搅拌反应。然后进入第1养晶槽,该槽中可补加氟硅酸或/和卤水,进一步反应和养晶。然后,反应料浆依次进入第2个养晶槽、直到最后一个养晶槽进行养晶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氟硅酸钠的生产方法,更具体地说,本专利技术涉及一种连续性 生产氟硅酸钠的方法。附图说明鉴于本专利技术对照附图描述更为简洁清楚,因此,首先对附图的内容进行 简要说明。图l为"间歇式生产氟硅酸钠工艺"流程示意图2为现有技术中"连续性生产氟硅酸钠工艺"流程示意图3为本专利技术"连续性生产氟硅酸钠一一多格合成槽工艺"所釆用的多格合成槽一一优选正圆柱分格形状及正(长)方体分格组合形状(优选4格、3格、2格)的平面示意图4为本专利技术"连续性生产氟硅酸钠一一多格合成槽工艺"流程示意图 (以三格槽为例);图5为本专利技术"连续性生产氟硅酸钠一一养晶槽工艺"流程示意图(以 设置两个养晶槽为例)。
技术介绍
采用氟硅酸(H2SiF6)与工业氯化钠、卤水(NaCl溶液)或芒硝(Na2S04) 为原料生产氟硅酸钠时,在合成槽中,仏SiF6与NaCl溶液(或Na2S(V溶液) 发生反应,生成氟硅酸钠沉淀结晶和稀盐酸(或稀硫酸)母液,化学反应式 如下H2SiF6 +2NaCl ==== Na2SiF6 | + 2HC1 H2SiF6 +Na2S04 ==== Na2SiF6 | + H2S04 现有技术中,氟硅酸钠的生产,长期以来都是釆用间歇式生产工艺,即在单格合成槽中,先加入计量过的H2SiF6,再计量加入NaCl溶液或Na2S0r溶 液,搅拌反应一定时间,养晶一定时间后,停搅拌,在单格合成槽中进行澄 清,分离出上层母液,接着加水洗涤沉淀2~3次(每次洗涤后进行澄清, 分离出上层洗液)。洗涤后得到氟硅酸钠沉淀,转移到离心机摔干,然后进 行干燥,得到氟硅酸钠产品。单格合成槽再重复进行合成反应及洗涤操作, 母液和洗液经中和后排放。"间歇式生产氟硅酸钠工艺"流程如图l所示。间歇式生产氟硅酸钠的方法,其优点是可以稳定控制合成反应时间和 养晶时间,>品结晶寿命一致,结晶粒度大而均匀,产品质量好。但其存在 的缺点是工艺落后,生产效率低,劳动强度大,只适合于小规模、作坊式 生产,不适合现代化的大规模生产。近两年来,出现了个别氟硅酸钠生产装置,釆用了连续性生产工艺。即 在单格合成槽中,同时计量加入氟硅酸和卤水,搅拌反应、停留一定时间后, 反应料浆从合成槽中出来,进入一级增稠器进行沉降,分离出上层母液,一 级增稠器底流料浆用泵送入调浆槽,加水调浆、洗涤,然后进入二级增稠器 进行沉降,分离出上层洗液,二级增稠器底流料浆进入连续式离心机摔干, 然后送入气流干燥机干燥,得到氟硅酸钠产品。母液和洗液经中和后排放。 现有技术中"连续性生产氟硅酸钠工艺"流程如图2所示。图2所示的、现有技术中"连续性生产氟硅酸钠工艺"与"间歇式生产 氟硅酸钠工艺"相比,自动化程度较高,工艺比较先进,生产效率提高,装 置产能大,操作比较简单。但是,由于仍然采用了单格合成槽来进行连续性 生产,在单格合成槽的同 一空间内,既要实现原料H2SiF6、NaCl溶液(或Na2S04溶液)的加入,又要实现Na2SiF6沉淀结晶的生成和长大,还要实现反应产 物的移出,这种方法就无法避免多量刚生成的细碎结晶走短路,混入从合成 槽移出的反应产物中。从合成槽中移出的、细碎的Na2SiF6结晶进入后续工 序,在增稠器中沉降困难,在离心机中摔干困难,使装置产能下降,还影响 液固分离和洗涤过程,易造成产品游离酸超标,易造成增稠器上层母液、洗 液夹带Na2SiF6产品较多,收率降低,消耗增高,易污染环境。过于细碎的Na2SiF6结晶在采用气流干燥机进行干燥时,还易造成干燥尾气过细粉尘含量高,捕收、除尘困难,效率下降,使产品损失,还污染环境。而且,细碎的结晶难以满足用户(尤其是欧洲巿场用户)对Na2SiF6产品"粒度不能过 细,有下限指标限制"的要求,过细的产品比表面积大,包装后,在储运过 程中还易结块。这些不足之处迫切地需要加以克服和改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的缺点,提供一种连续性生产氟硅酸钠 的新方法。本专利技术的目的通过下述技术方案予以实现。*除非另有说明,本专利技术中所釆用的百分浓度均为质量百分浓度。 本专利技术提供了,该方法采用"连续性生 产氟硅酸钠一一多格合成槽工艺"或者"连续性生产氟硅酸钠一一养晶槽工 艺"两种技术方案均可以实现。l.采用"连续性生产氟硅酸钠一一多格合成槽工艺"时,包括以下步骤 (1)氟硅酸钠合成槽采用一个多格合成槽,所述的这个多格合成槽由任 意形状和任意数目的单格组合而成,优选正圆柱分格形状及正(长)方体分 格组合形状,优选2、 3或4格。分格后单格容积的大小可以不同(即不等 分结构),也可以相同(即等分结构),优选不等分结构。在不等分结构中, 由于第l格内要完成加料及合成反应,该格的容积设计得大一些,故各个单 格容积大小的优选方案为第1格容积大,其余各单格容积小且相同。两格槽第一格容积占总容积的55%~70% (优选55%~65% );三格槽 第一格容积占总容积的35%~60% (优选45%~55% );四格槽第一格容积 占总容积的28%~45% (优选30%~40%)。根据装置设计能力不同,多格合 成槽总容积(各单格容积之和)大小不同, 一般在2 M3~70 M3,总有效容 积(各单格有效容积之和) 一般在1.6 M3~56M3,优选总有效容积为2 M3~ 40 M3。(2 )所述的多格合成槽为进行防腐处理的钢槽或者混凝土槽。多格合成 槽的各格之间为串联关系。在多格合成槽各格的隔板或隔墙上,距离槽子底面0~0. 5m的位置(优选0~0. 2m)开任意形状的口连通(优选正方形口、 长方形口和圆形口),根据装置设计能力不同及合成槽总有效容积不同,其 开口截面积大小不同, 一般在O. 04 M2~1.50M2,优选O. 06 M2~1.00M2。 第l格与最后l格之间不开口、不连通。在靠近槽子底部位置开口,是为了 保证进入下一隔槽的结晶为粒度大的结晶。(3)原料氟硅酸和卣水同时计量加入第1格中,在搅拌下进行反应, 反应料浆在搅拌作用下进入第2格,该格中,可以补加氟硅酸或/和卤水, 消除SiF,或Na +的过饱和度,进行进一步反应和养晶,然后,反应料浆依 次进入第3格、直到最后一格进行消化、养晶。最后一格出来的反应料浆总 量中的1/6 ~ 2/5 (优选1/5 ~ 1/3 )作为返浆(晶种),用循环泵送回第1格, 其余5/6-3/5 (优选4/5~2/3)的料浆进入下一道工序。本专利技术釆用的"连续性生产氟硅酸钠一一多格合成槽工艺"所确定的生 产方法,其余部分与图2现有技术中"连续性生产氟硅酸钠工艺"相同。本专利技术釆用的"连续性生产氟硅酸钠一一多格合成槽工艺"流程如图4 所示(以三格槽为例)。2.采用"连续性氟硅酸钠生产一一养晶槽工艺"时,包括以下步骤(1 )氟硅酸钠合成槽采用一个单格合成槽,同时设置多个单格养晶槽(简 称养晶槽,下同)。单格合成槽为任意形状,优选正圆柱带圆锥底形状以及正(长)方体带四棱锥底形状。设置的养晶槽为任意形状、任意数目,优选 正圆柱带圆锥底形状以及正(长)方体带四棱锥底形状。优选养晶槽数目为 1、 2或3个。由于单格合成槽内要完成加料及合成反应,故单格合成槽及养 晶槽容积大小的优选方案为单格合成槽的容积大,各养晶槽的容积小且相 同。养晶本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种连续性生产氟硅酸钠的方法,其特征在于:氟硅酸钠合成槽采用一个多格合成槽,所述的多格合成槽由任意形状和任意数目的单格组合而成,多格合成槽的各格之间为串联关系;在多格合成槽各格的隔板或隔墙上,距离槽子底面0~0.5m的位置开任意形状的口连通,第1格与最后1格之间不开口、不连通;原料氟硅酸和卤水同时计量加入多格合成槽的第1格中,进行搅拌反应,在搅拌作用下,反应料浆进入第2格,进行进一步反应和消化、养晶,然后反应料浆依次进入第3格、直到最后一格进行消化、养晶后,进入下一步工序。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴向东王煜资学民赵剑波
申请(专利权)人:云南三环中化化肥有限公司
类型:发明
国别省市:53[中国|云南]

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