【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种配方及其制作工艺，特别是一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺。
技术介绍
现有的真空断路器绝缘套筒多为陶瓷制品，其绝缘性能是决定一个真空断路器好坏的关键因素，较好的绝缘性能能够有效的提升真空断路器的安全性能和使用寿命，由于需要适应越来越严苛的行业标准，绝缘套筒需要在材料以及工艺上不断的进行创新，才能使其绝缘性能更好，而且现有绝缘套筒的合格品的烧制成功率还是较低，废品较多。
技术实现思路
鉴于
技术介绍
的不足，本专利技术所要解决的问题是要提供一种能够提高绝缘套筒的绝缘性能，且烧制的合格品率更高的真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺。为此，本专利技术是采用如下方案来实现的：一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%-5%的K2O、3%-3.5%的Na2O、65%-70%的SiO2、15%-30%的Al2O3、0.05%-0.1%的Fe2O3、0.05%-0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。作为优选，具体的加工工艺流程为：a)将所需比例的材料进行称重配制，放入研磨机中进行研磨；b)将研磨好的材料粉末过筛，过筛时其材料颗粒细度要小于200目/吋筛，其残余率应在1.5%以内；c)塑型成功后应放置在阴凉通风处十二个小时使其干燥；d)上釉烧制时，釉坯涂抹需均匀，釉坯厚度控制在0.3mm—0.4mm；e)出窑后需检查釉面是否平整光洁，有无釉滴、真空和气泡。最后静置，直到完全冷却。本方案的有益效...
【技术保护点】
一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%‑5%的K2O、3%‑3.5%的Na2O、65%‑70%的SiO2、15%‑30%的Al2O3、0.05%‑0.1%的Fe2O3、0.05%‑0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。
【技术特征摘要】
1.一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%-5%的K2O、3%-3.5%的Na2O、65%-70%的SiO2、15%-30%的Al2O3、0.05%-0.1%的Fe2O3、0.05%-0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。2.根据权利要求1所述的真空断路...
【专利技术属性】
技术研发人员：施成达，蔡荣，郭雷，
申请(专利权)人：西一电气有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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