一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统技术方案

技术编号:13898719 阅读:49 留言:0更新日期:2016-10-25 10:07
本发明专利技术公开了一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统,其特征在于:主要由控制芯片U3,二极管D2,检测探头Q1,检测探头Q2,串接在检测探头Q1和二极管D2的P极之间的电阻R2,串接在检测探头Q1和控制芯片U3的VIN管脚之间的电阻R1等组成。本发明专利技术可以对输出控制芯片的电流信号进行放大处理,使控制芯片更好的对信号进行识别,并输出准确的控制信号,因此极大的提高本发明专利技术对水泵的控制精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及自动控制领域,具体是指一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统
技术介绍
现代农业技术的应用为社会带来了巨大的经济、社会、以及生态效益。随着社会的发展,人们节水的意识逐渐增强,为了达到节水的目的,人们通常采用自动灌溉控制系统来控制水泵对农作物进行灌溉,以提高灌溉用水效率。然而,目前农业灌溉还存在一定的问题,即其采用的自动灌溉控制系统的控制精度较低,无法准确的控制水泵工作,达不到人们的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决目前自动灌溉控制系统的控制精度低的缺陷,提供一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统。本专利技术的目的通过下述技术方案现实:一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统,主要由控制芯片U3,二极管D2,检测探头Q1,检测探头Q2,串接在检测探头Q1和二极管D2的P极之间的电阻R2,串接在检测探头Q1和控制芯片U3的VIN管脚之间的电阻R1,N极与检测探头Q1相连接、P极与控制芯片U3的TON管脚相连接的二极管D1,正极与控制芯片U3的BOOT管脚相连接、负极与控制芯片U3的LX管脚相连接的电容C4,串接在控制芯片U3的NC管脚和GND管脚之间的电阻R3,与控制芯片U3的ISEN管脚相连接的信号放大电路,与二极管D2的N极相连接的电源电路,以及串接在电源电路和控制芯片U3的LX管脚之间的开关电路组成;所述控制芯片U3的GND管脚接地;所述信号放大电路与检测探头Q2相连接。进一步的,所述信号放大电路由场效应管MOS,三极管VT3,三极管VT4,负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极作为该信号放大电路的输入端的电容C6,串接在电容C6的负极和三极管VT4的发射极之间的电阻R7,一端与场效
应管MOS的源极相连接、另一端与三极管VT4的发射极相连接的同时接地的电位器R8,正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的电容C7,正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极经电阻R9后与三极管VT4的发射极相连接的电容C8,串接在场效应管MOS的漏极和三极管VT3的集电极之间的电阻R10,N极与三极管VT4的发射极相连接、P极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D3,串接在场效应管MOS的漏极和三极管VT4的集电极之间的电阻R11,正极与三极管VT4的集电极相连接、负极作为该信号放大电路的输出端的电容C9,负极与电位器R8的控制端相连接、正极经电阻R12后与电容C9的负极相连接的电容C11,以及正极与三极管VT4的基极相连接、负极与电容C11的正极相连接的电容C10组成;所述三极管VT3的基极与电容C8的负极相连接;所述信号放大电路的输入端与检测探头Q2相连接、其输出端则与控制芯片U3的ISEN管脚相连接。所述电源电路由变压器T,二极管整流器U,稳压芯片U1,稳压芯片U2,正极与稳压芯片U1的IN管脚相连接、负极与二极管整流器U的正极输出端相连接的电容C1,正极与稳压芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的电容C2,以及正极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接、负极接地的电容C3组成;所述稳压芯片U1的OUT管脚还与二极管D2的N极相连接、其GND管脚接地;所述稳压芯片U2的OUT管脚还与开关电路相连接、其GND管脚接地、其IN管脚则与二极管整流器U的正极输出端相连接;所述二极管整流器U的负极输出端接地;所述二极管整流器U的输入端分别与变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端相连接;所述变压器T的原边电感线圈作为电源输入端。所述开关电路由与非门A1,与非门A2,三极管VT1,三极管VT2,水泵M,串接在与非门A1的输出端和三极管VT1的基极之间的电阻R6,串接在与非门A1的负极和与非门A2的输出端之间的电阻R5,一端与与非门A2的负极相连接、另一端接地的电阻R4,串接在三极管VT1的集电极和稳压芯片U2的OUT管脚之间的继电器K,以及正极与三极管VT1的发射极相连接、负极与三极管VT2的集电极相连接的电容C5组成;所述与非门A2的正极与控制芯片
U3的LX管脚相连接、其输出端与三极管VT2的基极相连接;所述三极管VT2的发射极接地;所述与非门A1的正极接地、其输出端与与非门A2的正极相连接;所述继电器K的常开触点K-1则串接在水泵的供电主线路上。所述稳压芯片U1和稳压芯片U2均为7809稳压芯片,所述控制芯片U3为A6210集成芯片。本专利技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果:(1)本专利技术采用A6210集成芯片作为控制芯片,并结合逻辑门对水泵进行控制,相比传统的控制系统采用机械式开关来控制,本专利技术的误动作率更低,能够更准确的控制水泵工作。(2)本专利技术拥有稳定的工作电源,极大的提高本专利技术的稳定性。(3)本专利技术可以对输出控制芯片的电流信号进行放大处理,使控制芯片更好的对信号进行识别,并输出准确的控制信号,因此极大的提高本专利技术对水泵的控制精度。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的信号放大电路的结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示,本专利技术主要由控制芯片U3,二极管D2,检测探头Q1,检测探头Q2,串接在检测探头Q1和二极管D2的P极之间的电阻R2,串接在检测探头Q1和控制芯片U3的VIN管脚之间的电阻R1,N极与检测探头Q1相连接、P极与控制芯片U3的TON管脚相连接的二极管D1,正极与控制芯片U3的BOOT管脚相连接、负极与控制芯片U3的LX管脚相连接的电容C4,串接在控制芯片U3的NC管脚和GND管脚之间的电阻R3,与控制芯片U3的ISEN管脚相连接的信号放大电路,与二极管D2的N极相连接的电源电路,以及串
接在电源电路和控制芯片U3的LX管脚之间的开关电路组成;所述控制芯片U3的GND管脚接地;所述信号放大电路与检测探头Q2相连接。为了更好的实施本专利技术,所述控制芯片U3优选A6210集成芯片来实现。其中,该电源电路由变压器T,二极管整流器U,稳压芯片U1,稳压芯片U2,电容C1,电容C2以及电容C3组成。连接时,电容C1的正极与稳压芯片U1的IN管脚相连接、其负极与二极管整流器U的正极输出端相连接。电容C2的正极与稳压芯片U1的OUT管脚相连接、其负极接地。电容C3的正极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接、其负极接地。同时,所述稳压芯片U1的OUT管脚还与二极管D2的N极相连接、其GND管脚接地。所述稳压芯片U2的OUT管脚还与开关电路相连接、其GND管脚接地、其IN管脚则与二极管整流器U的正极输出端相连接。所述二极管整流器U的负极输出端接地。所述二极管整流器U的输入端分别与变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端相连接。所述变压器T的原边电感线圈作为电源输入端并接220V市电。为了更好的实施本专利技术,所述稳压芯片U1和稳压芯片U2均采用7809稳压芯片来实现。另外,所述开关电路由与非门A1,与非门A2,三极管VT1,三极管VT2,水泵M,电阻R4,电阻R5,电阻R6,电容C5以及继电器K组成。连接时,电阻R6串接在与非门A1的输出端和三极管VT1的基极之间。电阻R5串接在与非门A1的负极和与非门A2的输出端之间。电阻R4的一端与与非门A2的负极相连接、其另一端接地本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统,其特征在于:主要由控制芯片U3,二极管D2,检测探头Q1,检测探头Q2,串接在检测探头Q1和二极管D2的P极之间的电阻R2,串接在检测探头Q1和控制芯片U3的VIN管脚之间的电阻R1,N极与检测探头Q1相连接、P极与控制芯片U3的TON管脚相连接的二极管D1,正极与控制芯片U3的BOOT管脚相连接、负极与控制芯片U3的LX管脚相连接的电容C4,串接在控制芯片U3的NC管脚和GND管脚之间的电阻R3,与控制芯片U3的ISEN管脚相连接的信号放大电路,与二极管D2的N极相连接的电源电路,以及串接在电源电路和控制芯片U3的LX管脚之间的开关电路组成;所述控制芯片U3的GND管脚接地;所述信号放大电路与检测探头Q2相连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统,其特征在于:主要由控制芯片U3,二极管D2,检测探头Q1,检测探头Q2,串接在检测探头Q1和二极管D2的P极之间的电阻R2,串接在检测探头Q1和控制芯片U3的VIN管脚之间的电阻R1,N极与检测探头Q1相连接、P极与控制芯片U3的TON管脚相连接的二极管D1,正极与控制芯片U3的BOOT管脚相连接、负极与控制芯片U3的LX管脚相连接的电容C4,串接在控制芯片U3的NC管脚和GND管脚之间的电阻R3,与控制芯片U3的ISEN管脚相连接的信号放大电路,与二极管D2的N极相连接的电源电路,以及串接在电源电路和控制芯片U3的LX管脚之间的开关电路组成;所述控制芯片U3的GND管脚接地;所述信号放大电路与检测探头Q2相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于信号放大电路的自动灌溉控制系统,其特征在于:所述信号放大电路由场效应管MOS,三极管VT3,三极管VT4,负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极作为该信号放大电路的输入端的电容C6,串接在电容C6的负极和三极管VT4的发射极之间的电阻R7,一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端与三极管VT4的发射极相连接的同时接地的电位器R8,正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的电容C7,正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极经电阻R9后与三极管VT4的发射极相连接的电容C8,串接在场效应管MOS的漏极和三极管VT3的集电极之间的电阻R10,N极与三极管VT4的发射极相连接、P极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D3,串接在场效应管MOS的漏极和三极管VT4的集电极之间的电阻R11,正极与三极管VT4的集电极相连接、负极作为该信号放大电路的输出端的电容C9,负极与电位器R8的控制端相连接、正极经电阻R12后与电容C9的负极相连接的电容C11,以及正极与三极管VT4的基极相连接、负极与电容C11的正极相连接的电容C10组成;所述三极管VT3的基极与电容C8的负...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:成都特普瑞斯节能环保科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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