一种控制器制造技术

本发明专利技术提供了一种控制器，所述控制器包括：坏块管理单元，用于获取坏块列表，将所述坏块列表存储至随机存储器RAM；坏块映射单元，利用坏块映射方法确定当前块Block的操作地址不在所述坏块列表中时，则确定所述当前块Block是好块；检错纠错单元，用于在所述控制器进行读写操作时，对读写数据进行检错纠错；其中，所述RAM输出ram_dout与及RAM地址ram_addr位于同一个时钟周期；如此，所述RAM输出ram_dout与及RAM地址ram_addr位于同一个时钟周期，所以可以在一个时钟周期内确定出坏块，进而提高了读写操作的速度；且所述检错纠错单元可以在数据长度为512字节中纠正出1位错，检测出2位错，提高了检错纠错效率，进一步确保了NAND FLASH芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于数据存储
，尤其涉及一种控制器。
技术介绍
Flash Memory属于一种非挥发性存储器，在国内也通常被叫作闪存(闪速存储器)。作为一种优良的单管存储器，它的优点在于体积小、功耗低、速度快、成本低。近年来，Flash Memory已成为集成电路(IC，Integrated Circuit)技术发展的主要驱动器，主要包含有NOR、NAND、DiNOR、AND等多种技术架构，其中以NAND FLASH和NOR FLASH这两种架构在市场的使用率最高。虽然NAND FLASH技术逐渐成熟，但在NAND FLASH芯片的使用上还是有着一些复杂性，比如：没有采用独立的数据线和地址线，所有的指令、地址和数据信息共同复用一个I/O口，以及在使用中有可能出现位反转(bit-flipping)、需要坏块(bad blocks)管理等问题。这些问题导致NAND FLASH芯片整体的读写速度和数据可靠性降低。基于此，目前亟需一种NAND FLASH控制器，以能对坏块进行管理，对数据进行纠错检错，以使NAND FLASH芯片在运行过程中能够快速确定坏块并提高纠错检错率，进而保证NAN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制器，其特征在于，所述控制器包括：坏块管理单元，用于获取坏块列表，将所述坏块列表存储至随机存储器RAM；坏块映射单元，利用坏块映射方法确定当前块Block的操作地址不在所述坏块列表中时，则确定所述当前块Block是好块；检错纠错单元ECC，用于在所述控制器进行读写操作时，对读写数据进行检错纠错；其中，所述RAM输出ram_dout与及RAM地址ram_addr位于同一个时钟周期。

【技术特征摘要】
1.一种控制器，其特征在于，所述控制器包括：坏块管理单元，用于获取坏块列表，将所述坏块列表存储至随机存储器RAM；坏块映射单元，利用坏块映射方法确定当前块Block的操作地址不在所述坏块列表中时，则确定所述当前块Block是好块；检错纠错单元ECC，用于在所述控制器进行读写操作时，对读写数据进行检错纠错；其中，所述RAM输出ram_dout与及RAM地址ram_addr位于同一个时钟周期。2.如权利要求1所述的控制器，其特征在于，所述坏块映射单元还用于：利用坏块映射方法确定当前块Block的操作地址处于所述坏块列表，则确定所述当前块Block是坏块，跳过所述当前块Block进行写/擦操作。3.如权利要求2所述的控制器，其特征在于，所述坏块映射方法包括：RAM顺序比较法及单周期组合逻辑法。4.如权利要求3所述的控制器，其特征在于，所述RAM顺序比较法包括：将所请求的块地址req_addr与所述坏块列表中的坏块地址逐一比较；其中，所述坏块地址按照从小到大的顺序存放至所述RAM中。5.如权利要求3所述的控制器，其特征在于，所述单周期组合逻辑法包括：将所述坏块列表标记为阵列A储存至一组寄存器中；根据所述请求的块地址req_addr，按...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢凯毅，谢元禄，张坤，刘璟，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11