【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种检测系统,具体是指一种温度检测系统。
技术介绍
在工业生产过程和科研工作中,很多时候都需要对生产设备或者生产环境的温度进行检测并根据需求对温度进行控制,从而提高生产效率和产品的质量。然而,现有的温度检测系统在对检测信号处理时容易使检测信号失真,从而导致其无法准确的检测出温度值,无法满足生产需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前的温度检测系统在对检测信号处理时容易使检测信号失真的缺陷,提供一种温度检测系统。本专利技术的目的用以下技术方案实现:一种温度检测系统,主要由处理芯片U1,温度传感器U,串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路,正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4,串接在处理芯片U1的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10,正极与处理芯片U1的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电容C5,负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片U1的IN-管脚相连接的电容C3,以及与处理芯片U1的OUT管脚相连接的射极输出电路组成;所述处理芯片U1的V-管脚与电容C3的正极相连接;所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。进一步的,所述基极触发电路由三极管VT1,三极管VT2,场效应管MOS,正极与三极管VT1的发射极相连接、负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片U1的IN+管脚相连接的电容C1,N极经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接、P极顺次经电容C2和电阻R1后与三极管V ...
【技术保护点】
一种温度检测系统,其特征在于,主要由处理芯片U1,温度传感器U,串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路,正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4,串接在处理芯片U1的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10,正极与处理芯片U1的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电容C5,负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片U1的IN‑管脚相连接的电容C3,以及与处理芯片U1的OUT管脚相连接的射极输出电路组成;所述处理芯片U1的V‑管脚与电容C3的正极相连接;所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。
【技术特征摘要】
1.一种温度检测系统,其特征在于,主要由处理芯片U1,温度传感器U,串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路,正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4,串接在处理芯片U1的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10,正极与处理芯片U1的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电容C5,负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片U1的IN-管脚相连接的电容C3,以及与处理芯片U1的OUT管脚相连接的射极输出电路组成;所述处理芯片U1的V-管脚与电容C3的正极相连接;所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。2.根据权利要求1所述的一种温度检测系统,其特征在于:所述基极触发电路由三极管VT1,三极管VT2,场效应管MOS,正极与三极管VT1的发射极相连接、负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片U1的IN+管脚相连接的电容C1,N极经电阻R5后与场效应管MO...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:成都特普瑞斯节能环保科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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