【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法。
技术介绍
在显示
,平板显示技术已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube,简称CRT)显示器。平板显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)是目前液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,简称AMOLED)中的主要驱动元件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构,制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种,其中,低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,简称LTPS)材料是其中较为优选的一种,由于低温多晶硅的原子规则排列,载流子迁移率高,对电压驱动式的液晶显示装置而言,低温多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率,可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动,在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积,增加透光面积,得到更高的亮度和解析度;对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言,低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。目前,在LTPS的制作中,低温结晶化的方法分为利用激光的方法和非激光的方法。其中,非激光结晶化的金属诱 ...
【技术保护点】
一种基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供衬底基板(10),在衬底基板(10)上沉积缓冲层(20),在缓冲层(20)上沉积金属诱导层(35);步骤2、在金属诱导层(35)上沉积非晶硅薄膜(36),利用金属诱导层(35)对非晶硅薄膜(36)进行金属诱导结晶化,在金属诱导结晶化过程中,金属诱导层(35)诱导非晶硅薄膜(36)自下向上结晶形成多晶硅薄膜(30),金属诱导层(35)向上迁移至多晶硅薄膜(30)的顶部并与其结合形成金属硅化物层(31);步骤3、提供一半色调掩膜板(90),采用该半色调掩膜板(90)对所述多晶硅薄膜(30)进行图案化处理,得到有源层(33),所述有源层(33)包括位于两端的源极接触部(331)与漏极接触部(332)、及位于所述源极接触部(331)与漏极接触部(332)之间的沟道部(333),其中,所述源极接触部(331)与漏极接触部(332)上的金属硅化物层(31)被保留,所述沟道部(333)上的金属硅化物层(31)被蚀刻掉;步骤4、在所述有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积栅极绝缘层(40),在所述栅极绝缘层(4 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供衬底基板(10),在衬底基板(10)上沉积缓冲层(20),在缓冲层(20)上沉积金属诱导层(35);步骤2、在金属诱导层(35)上沉积非晶硅薄膜(36),利用金属诱导层(35)对非晶硅薄膜(36)进行金属诱导结晶化,在金属诱导结晶化过程中,金属诱导层(35)诱导非晶硅薄膜(36)自下向上结晶形成多晶硅薄膜(30),金属诱导层(35)向上迁移至多晶硅薄膜(30)的顶部并与其结合形成金属硅化物层(31);步骤3、提供一半色调掩膜板(90),采用该半色调掩膜板(90)对所述多晶硅薄膜(30)进行图案化处理,得到有源层(33),所述有源层(33)包括位于两端的源极接触部(331)与漏极接触部(332)、及位于所述源极接触部(331)与漏极接触部(332)之间的沟道部(333),其中,所述源极接触部(331)与漏极接触部(332)上的金属硅化物层(31)被保留,所述沟道部(333)上的金属硅化物层(31)被蚀刻掉;步骤4、在所述有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积栅极绝缘层(40),在所述栅极绝缘层(40)上沉积并图案化第一金属层,得到对应于所述沟道部(333)上方的栅极(45);步骤5、在所述栅极(45)、及栅极绝缘层(40)上沉积层间绝缘层(50),在所述层间绝缘层(50)上沉积并图案化第二金属层,得到源极(61)与漏极(62)。2.如权利要求1所述的基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法,其特征在于,所述步骤4还包括:以栅极(45)为遮蔽层,对所述有源层(30)的源极接触部(331)与漏极接触部(332)进行P型重掺杂;所述步骤5中,所述有源层(35)、栅极(45)、源极(61)、及漏极(62)共同构成PMOS器件。3.如权利要求2所述的基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法,其特征在于,所述步骤4中进行P型重掺杂时,向所述源极接触部(331)与漏极接触部(332)中掺入的离子为硼离子或镓离子。4.如权利要求1所述的基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法,其特征在于,所述步骤4还包括:以栅极(45)为遮蔽层,对所述有源层(30)的源极接触部(331)与漏极接触部(332)进行N型重掺杂;所述步骤5中,所述有源...
【专利技术属性】
技术研发人员:李松杉,刘兆松,徐源竣,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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