基于MEMS的扬声器实现制造技术

本发明专利技术公开了基于MEMS的扬声器实现。微机电系统(MEMS)设备包括基底、支持结构、功能元件和包括导电元件的导电路径；其中功能元件被包括在多个功能层中，多个功能层彼此间隔开；其中支持结构配置成向多个功能层提供结构支持；其中每个功能层经由与功能层相关的导电路径耦合到导电接口；以及其中支持结构包括横向蚀刻停止元件。

【技术实现步骤摘要】
背景MEMS扬声器可用在各种设备中。存在对提供MEMS扬声器的有效制造过程的增长的需要。概述根据本专利技术的实施方式，可提供MEMS设备，其可包括基底、支持结构、功能元件和包括导电元件的导电路径；其中功能元件被包括在多个功能层中，多个功能层彼此间隔开；其中支持结构配置成向多个功能层提供结构支持；其中每个功能层经由与该功能层相关的导电路径耦合到导电接口；以及其中支持结构可包括横向蚀刻停止元件。蚀刻停止元件可以是电绝缘的。每个支持结构可包括可以是导电的横向蚀刻停止元件。横向蚀刻停止元件可通过钝化层图案与位于横向蚀刻停止元件之下的功能层电绝缘。支持结构的横向蚀刻停止元件可位于多个功能层之间而不电耦合多个功能层。每个支持结构可包括侧壁，侧壁可包括可以是电绝缘的一个或多个横向蚀刻停止元件。每个支持结构的侧壁还可包括属于一功能层的一个或多个导电元件。给定支持结构可包括可被包括在多个功能层内的第一部分和可位于多个功能层之间的第二部分。每个导电路径可至少部分地在支持结构内形成。与不同的功能层相关的导电路径可在不同的支持结构内形成。每个导电路径可包括属于功能层的水平导电元件和位于功能层之间的垂直导电元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微机电系统(MEMS)设备，包括基底、支持结构、功能元件和包括导电元件的导电路径；其中所述功能元件被包括在多个功能层中，所述多个功能层彼此间隔开；其中所述支持结构配置成向所述多个功能层提供结构支持；其中每个功能层经由与所述功能层相关的导电路径耦合到导电接口；其中所述支持结构包括横向蚀刻停止元件。

【技术特征摘要】
2015.03.17 US 62/134,1691.一种微机电系统(MEMS)设备，包括基底、支持结构、功能元件和包括导电元件的导电路径；其中所述功能元件被包括在多个功能层中，所述多个功能层彼此间隔开；其中所述支持结构配置成向所述多个功能层提供结构支持；其中每个功能层经由与所述功能层相关的导电路径耦合到导电接口；其中所述支持结构包括横向蚀刻停止元件。2.如权利要求1所述的MEMS设备，其中所述蚀刻停止元件是电绝缘的。3.如权利要求1所述的MEMS设备，其中每个支持结构包括导电的横向蚀刻停止元件。4.如权利要求3所述的MEMS设备，其中所述支持结构的所述横向蚀刻停止元件位于所述多个功能层之间而不电耦合所述多个功能层。5.如权利要求3所述的MEMS设备，其中每个横向蚀刻停止元件通过钝化层元件与位于所述横向蚀刻停止元件之下的功能层电绝缘。6.如权利要求1所述的MEMS设备，其中每个支持结构包括侧壁，所述侧壁包括电绝缘的一个或多个横向蚀刻停止元件。7.如权利要求6所述的MEMS设备，其中每个支持结构的所述侧壁还包括属于一功能层的一个或多个导电元件。8.如权利要求1所述的MEMS设备，其中给定支持结构包括被包括在所述多个功能层内的第一部分和位于所述多个功能层之间的第二部分。9.如权利要求1所述的MEMS设备，其中每个导电路径至少部分地在所述支持结构内形成。10.如权利要求9所述的MEMS设备，其中与不同的功能层相关的导电路径在不同的支持结构内形成。11.如权利要求1所述的MEMS设备，其中每个导电路径包括属于所述功能层的水平导电元件和位于所述功能层之间的垂直导电元件。12.如权利要求1所述的MEMS设备，其中所述支持结构包括由所述横向蚀刻停止元件定界限的核心段。13.如权利要求12所述的MEMS设备，其中所述一个或多个核心段由从正硅酸乙酯、氧化硅和非掺杂硅石玻璃(USG)中选择的材料制成。14.如权利要求1所述的MEMS设备，其中所述多个功能层中的功能层的数量超过三。15.如权利要求1所述的MEMS设备，其中所述MEMS回路包括膜、障蔽物和遮挡板。16.如权利要求15所述的MEMS设备，其中所述膜、所述障蔽物和所述遮挡板属于所述多个功能层中的不同功能层。17.如权利要求15所述的MEMS设备，其中所述膜、所述障蔽物和所述遮挡板位于具有封闭侧面的空间内。18.如权利要求1所述的MEMS设备，其中第一功能元件属于第一功能层，而第二功能元件属于第二功能层。19.如权利要求1所述的MEMS设备，其中某个功能层包括多个功能元件。20.如权利要求19所述的MEM...

【专利技术属性】
技术研发人员：海姆·库珀施密特，莫迪·马格利特，阿迪·巴拉姆，
申请(专利权)人：DSP集团有限公司，
类型：发明
国别省市：以色列;IL