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电激发光装置制造方法及图纸

技术编号:13779664 阅读:57 留言:0更新日期:2016-10-04 12:50
本发明专利技术公开了一种电激发光装置,其包括一光学反射的内凹结构及一或多个功能层,光学反射的内凹结构具有一第一表面及一第二表面,第一表面与第二表面具有一夹角,且第一表面及该第二表面具有光学反射性质,功能层具有一发光层,设置于光学反射的内凹结构上,其中至少一通电发光区被定义于第一表面上。特别地是,第一表面之宽度与位于光学反射的内凹结构中的功能层之厚度的比例是小于200。本发明专利技术的电激发光装置及其应用具有改善其出光效率的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电激发光装置,特别是关于一种改善出光效率及其应用的有机发光组件(OLED)。
技术介绍
由于有机发光组件(OLED)具有许多如高效率、广视角、反应速度快、低成本潜力等优点,故从邓清云博士与VanSlyke博士于1987年发表第一篇探讨有机发光组件的效率与实用性的报导后,OLED技术不仅已成为重要的次世代显示器技术,由于效率不断地提升,在照明应用上也逐渐成为现实可行。无論是在显示器或照明的应用中,OLED的外部量子效率EQE(external quantum efficiency,EQE)都至为关键;而此EQE又取决于组件内部载子复合发光之内部量子效率(internal quantum efficiency,IQE)以及组件内部发光真正能萃取到组件外部的组件出光效率(optical out-coupling efficiency)。目前透过适当地组合/选用组件电极、载子传输层(carrier transport layers)包括电洞传输层(hole-transport layers-HTL)及电子传输层(electron-transport layers-ETL)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电激发光装置,包括:一光学反射的内凹结构,具有一第一表面、一第二表面及一第三表面,该第一表面与该第二表面具有一夹角,该第一表面与该第三表面大致平行,且该第一表面及该第二表面具有光学反射性质;以及,一个功能层,具有一发光层,设置于该光学反射的内凹结构上,其中至少一通电发光区被定义于该第一表面上;其中,该第一表面之最大宽度与位于该光学反射的内凹结构中的该功能层之厚度具有一第一比例,该第一比例是小于一第一定值,该第一定值是200、150、100或50。

【技术特征摘要】
2015.03.11 US 62/177,2731.一种电激发光装置,包括:一光学反射的内凹结构,具有一第一表面、一第二表面及一第三表面,该第一表面与该第二表面具有一夹角,该第一表面与该第三表面大致平行,且该第一表面及该第二表面具有光学反射性质;以及,一个功能层,具有一发光层,设置于该光学反射的内凹结构上,其中至少一通电发光区被定义于该第一表面上;其中,该第一表面之最大宽度与位于该光学反射的内凹结构中的该功能层之厚度具有一第一比例,该第一比例是小于一第一定值,该第一定值是200、150、100或50。2.如申请专利范围第1项所述的电激发光装置,其特征在于:该功能层更包括一图案化绝缘层,该图案化绝缘层位于该光学反射的内凹结构及该功能层之其他层之间,且该通电发光区是由图案化绝缘层所定义。3.如申请专利范围第1项所述的电激发光装置,其特征在于:该功能层具有一弯折处,形成在该第一表面及该第二表面之夹角上,当由该通电发光区出射之光于该功能层中行进,光经由该弯折处会被改变方向而出光。4.如申请专利范围第1项所述的电激发光装置,其特征在于:该功能层具有一第一区及一第二区,该第一区位于该第一表面上,该第二区位于该第二表面上,当由该通电发光区出射之光于该功能层中行进,光经由该第一区及该第二区之厚度变化,会被改变方向而出光。5.如申请专利范围第1项所述的电激发光装置,其特征在于:更包括一折射率匹配层,该折射率匹配层位于该功能层上,且近乎填满该光学反射的内凹结构,以覆盖该第一表面及该第二表面。6.如申请专利范围第5项所述的电激发光装置,其特征在于:该第一表面之最大宽度与位于该光学反射的内凹结构中的该功能层及该折射率匹配层之总厚度具有一第二比例,该第二比例是小于一第二定值,该第二定值是60或30。7.如申请专利范围第5项所述的电激发光装置,其特征在于:当由该通电发光区出射之光于该功能层及该折射率匹配层中行进,光被改变方向而出光前,光在该功能层及该折射率匹配层中的反射之次數及光学损耗是被减少。8.如申请专利范围第5项所述的电激发光装置,其特征在于:该功能层及该折射率匹配层之折射率是与该发光层之折射率相差在±0.2的范围内,或是高于该发光层之折射率,且该功能层及该折射率匹配层相对于由该通电发光区出射之光的波长范围,其透明度大于75%。9.如申请专利范围第5项所述的电激发光装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴忠帜林俊佑李伟恺焦闵林晃岩苏国栋
申请(专利权)人:吴忠帜
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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