自洁式绝缘子制造技术

技术编号:13763293 阅读:99 留言:0更新日期:2016-09-28 00:52
一种自洁式绝缘子,包括:依次焊接的钢帽、绝缘子本体、钢脚,且所述钢帽、所述绝缘子本体、所述钢脚共中轴线;其中,所述绝缘子本体与所述铁帽的连接处设置有圆环,且所述绝缘子本体、所述钢帽、所述钢脚、所述圆环的表面均设有一第一纳米二氧化硅层。其优点是:绝缘子本体与铁帽之间圆环的设置,增加了爬电距离,避免大面积闪络事故的发生;同时,将绝缘子整体结构的表面两层纳米二氧化硅层的设置,使得纳米二氧化硅层在阳光、氧气的作用下分解大气污秽,并在雨水的冲刷下达到自清洁目的,避免绝缘子二次涂刷PRTV或带电冲击。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及输电线路
,具体地说是一种自洁式绝缘子
技术介绍
随着电力建设投资日益增长,每年新增绝缘子(瓷、玻璃、复合)串不断增多,其中玻璃绝缘子占总量的38.1%,500千伏及以上线路用绝缘子玻璃材质占92%。而在线路运行中,绝缘子会受到工业污秽或自然界盐碱、飞尘等污染。玻璃绝缘子受污后在雾天和毛毛雨天爬电现象严重,使绝缘子泄漏电流急剧增加,绝缘子的闪络电压大大降低;甚至可能在工作电压下发生闪络,污闪若是在工作电压下发生的,常常会造成大面积和长时间的污闪事故及停电事故。目前采用绝缘子表面喷涂PRTV憎水防污材料或每年清洗的方式进行防污处理,避免大面积闪络事故发生。但是绝缘子喷涂PRTV需完全清洁绝缘子表面污秽,并在铁塔高空完成作业,往往造成喷涂安全风险高,喷涂效果不理想的情况。
技术实现思路
为了克服上述技术缺陷的不足,本技术设计一种结构简单、操作方便,爬电距离大、防污能力强的自洁式绝缘子。本技术一种自洁式绝缘子,包括:依次焊接的钢帽、绝缘子本体、钢脚,且所述钢帽、所述绝缘子本体、所述钢脚共中轴线;其中,所述绝缘子本体与所述铁帽的连接处设置有圆环,且所述绝缘子本体、所述钢帽、所述钢脚、所述圆环的表面均设有一第一纳米二氧化硅层。本技术一种自洁式绝缘子,其优点是:绝缘子本体与铁帽之间圆环的设置,增加了爬电距离,避免大面积闪络事故的发生;同时,将绝缘子整体结构的表面两层纳米二氧化硅层的设置,使得纳米二氧化硅层在阳光、氧气的作用下分解大气污秽,并在雨水的冲刷下达到自清洁目的,避免绝缘子二次涂刷PRTV或带电冲击。附图说明图1为自洁式绝缘子的半剖结构示意图;其中标号为:1、钢帽,2、绝缘子本体,3、钢脚,4、圆环,5、第一纳米二氧化硅层,6、粘合层,7、第二纳米氧化硅层。具体实施方式本技术一种自洁式绝缘子,包括:依次焊接的钢帽1、绝缘子本体2、钢脚3,且所述钢帽1、所述绝缘子本体2、所述钢脚3共中轴线;其中,所述钢帽1与所述绝缘子本体2的连接处设置有圆环4,且所述绝缘子本体2、所述钢帽1、所述钢脚3、所述圆环4的表面均设有一第一纳米二氧化硅层5。进一步地,所述绝缘子本体2、所述钢帽1、所述钢脚3之间均采用水泥粘接固定;优选地,所述圆环4的直径不小于所述绝缘子本体2的直径,且所述圆环4与所述绝缘子本体2边缘的垂直距离小于20mm,可有效增加爬电距离。优选地,所述绝缘子本体2、所述钢帽1、所述钢脚3、所述圆环4表面设置的所述第一纳米二氧化硅层5是采用弧控溅浅射镀膜的方式完成的。优选地,所述第一纳米二氧化硅层5的厚度为3~15um;优选地,所述第一纳米二氧化硅层5的上表面通过粘合层6粘附有一第二纳米氧化硅层7,无需二次喷涂,寿命长,自洁效果佳;所述第二纳米氧化硅层7的厚度为10~25um,提高绝缘子的憎水性能、增强耐磨性、并提高自洁效能。优选地,所述粘合层6为F级胶水组成;优选地,所述圆环4内侧与所述绝缘子本体2、所述钢帽1的间隙处涂覆有一液态硅橡胶层,使得所述圆环4固定于所述绝缘子本体2与所述钢帽1,从而避免所述圆环4的移动,提高工作效率。优选地,所述圆环4采用固态硅橡胶制备,增加爬电距离,提高污闪电压。以上所述仅为本技术的较佳实施例,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自洁式绝缘子,包括:依次焊接的钢帽(1)、绝缘子本体(2)、钢脚(3),且所述钢帽(1)、所述绝缘子本体(2)、所述钢脚(3)共中轴线;其特征在于:所述绝缘子本体(2)与所述钢帽(1)的连接处设置有圆环(4),且所述绝缘子本体(2)、所述钢帽(1)、所述钢脚(3)、所述圆环(4)的表面均设有一第一纳米二氧化硅层(5)。

【技术特征摘要】
1.一种自洁式绝缘子,包括:依次焊接的钢帽(1)、绝缘子本体(2)、钢脚(3),且所述钢帽(1)、所述绝缘子本体(2)、所述钢脚(3)共中轴线;其特征在于:所述绝缘子本体(2)与所述钢帽(1)的连接处设置有圆环(4),且所述绝缘子本体(2)、所述钢帽(1)、所述钢脚(3)、所述圆环(4)的表面均设有一第一纳米二氧化硅层(5)。2.根据权利要求1所述自洁式绝缘子,其特征在于:所述第一纳米二氧化硅层(5)的上表面通过粘合层(6...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈智陈俊武谢毅
申请(专利权)人:武汉晟华元玻璃科技有限公司
类型:新型
国别省市:湖北;42

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