电光相位调制系统技术方案

本发明专利技术实施例提供一种电光相位调制系统，包括：电光晶体、射频电路以及光源，其中，电光晶体的光入射面与光出射面平行，电光晶体的上电极面与下电极面平行，光入射面与光出射面位于上电极面与下电极面之间，且光入射面与上电极面之间的夹角为布儒斯特角；射频电路的两个电极分别与上电极面和下电极面连接，用于向上电极面和下电极面发送射频信号，以使上电极面和下电极面之间形成电场方向垂直与上电极面的电场；光源位于光入射面一侧，光源产生的光束与光入射面的夹角为布儒斯特角。用于减少剩余幅度调制，进而提高相位调制的精确度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施例涉及激光控制
，尤其涉及一种电光相位调制系统。
技术介绍
由于电光相位调制技术具有较高的灵敏度，因此，电光相位调制技术广泛应用于原子光谱、超稳激光等
，目前，一般通过电光相位调制器实现电光相位调制，电光相位调制器的核心部件为电光晶体。目前，电光相位调制分为横向电光相位调制和纵向电光相位调制，在横向电光调制中，需要保证电场方向和电光晶体内部的光束方向垂直，一般通过如下方式实现：通过射频电路在长方体状的电光晶体的上表面和下表面发送射频信号，使得上表面和下表面之间形成电场方向垂直与上表面的电场，然后将光源发出的光束垂直于光入射面入射至该电光晶体内部，使得进入到电光晶体内部的光束方向与电场方向垂直。在上述方式中，当光束到达光出射面(与光入射面平行)时，光出射面会对光束进行反射，并将光束反射至光入射面，光入射面对接收到的反射光束进行再次反射，导致电光晶体内部的光束在光入射面和光出射面之间来回反射，进而引起剩余幅度调制，剩余幅度调制对相位调制的精确度造成不良的影响，且剩余幅度调制越高，对相位调制的精确度的影响越大。在现有技术中，为了降低剩余幅度调制，一般在电光晶体的光入射面和光出射面上镀光透膜，通过光透膜减少光束在光入射面和光出射面之间来回反射，然而，通过光透膜并不能完全避免光束在光入射面和光出射面之间来回反射，使得光入射面和光出射面之间仍然存在来回反射的光束，进而引起剩余幅度调制，进而影响相位调制的精确度。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电光相位调制系统，减少了剩余幅度调制，进而提高了相位调制的精确度。本专利技术实施例提供一种电光相位调制系统，包括：电光晶体、射频电路以及光源，其中，所述电光晶体的光入射面与光出射面平行，所述电光晶体的上电极面与下电极面平行，所述光入射面与所述光出射面位于所述上电极面与所述下电极面之间，且所述光入射面与所述上电极面之间的夹角为布儒斯特角；所述射频电路的两个电极分别与所述上电极面和所述下电极面连接，用于向所述上电极面和所述下电极面发送射频信号，以使所述上电极面和所述下电极面之间形成电场方向垂直与所述上电极面的电场；所述光源位于所述光入射面一侧，所述光源产生的光束与所述光入射面的夹角为布儒斯特角。本专利技术实施例提供的电光相位调制系统，包括：电光晶体、射频电路以及光源，电光晶体的光入射面与光出射面平行，电光晶体的上电极面与下电极面平行，光入射面与光出射面位于上电极面与下电极面之间，且光入射面与上电极面之间的夹角为布儒斯特角，射频电路的两个电极分别与上电极面和下电极面连接，用于向上电极面和下电极面发送射频信号，以使上电极面和下电极面之间形成电场方向垂直与上电极面的电场，光源位于光入射面一侧，光源产生的光束与光入射面的夹角为布儒斯特角；在该电光相位调制系统中，由于光束进入到电光晶体时的入射角为布儒斯特角，且光入射面与上电极面之间的夹角为布儒斯特角，因此，进入到电光晶体的折射光与电光晶体的上电极面平行，使得折射光的方向与电光晶体中的电场的方向垂直，满足了横向电光调制的条件，进一步的，电光晶体中的折射光与光出射面之间夹角为布儒斯特角(非直角)，因此，在光出射面发生反射的少量光束不会反射到光入射面，避免了光束在光入射面和光出射面之间来回反射，有效减少了剩余幅度调制，进而提高了相位调制的精确度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的电光相位调制系统的结构示意图一；图2为本专利技术提供的光束传输过程示意图一；图3为本专利技术提供的电光相位调制系统的结构示意图二；图4为本专利技术提供的光束传输过程示意图二；图5为本专利技术提供的检测剩余幅度调制的系统结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例所涉及的电光相位调制系统应用于横向电光相位调制，该电光相位调制系统可以对光束的相位进行调制，本专利技术提供的电光相位调制系统旨在解决现有技术中，在进行电光相位调制过程中由于产生较大剩余幅度调制而影响相位调制的精确度的问题。下面通过具体实施例对电光相位调制系统进行详细说明。图1为本专利技术提供的电光相位调制系统的结构示意图一，请参照图1，该系统可以包括：电光晶体101、射频电路102以及光源103，其中，电光晶体101的光入射面ADHE与光出射面BFGC平行，电光晶体的上电极面ABCD与下电极面EFGH平行，光入射面ADHE与光出射面BFGC位于上电极面ABCD与下电极面EFGH之间，且光入射面ADHE与上电极面ABCD之间的夹角为布儒斯特角；射频电路102的两个电极分别与上电极面ABCD和下电极面EFGH连接，用于向上电极面ABCD和下电极面EFGH发送射频信号，以使上电极面ABCD和下电极面EFGH之间形成电场方向垂直与上电极面的电场；光源103位于光入射面一侧，光源产生的光束与光入射面的夹角为布儒斯特角。布儒斯特角与光源发出光束的波长和电光晶体的属性(例如折射率)有关，当光源固定(即光源发出光束的波长固定)、电光晶体固定时，布儒斯特
角为一个固定的角度；进一步的，为了便于对电光晶体的生产加工，电光晶体的第一横截面CGHD与第二横截面BFEA平行，第一横截面CGHD和第二横截面BFEA位于上电极面ABCD与下电极面EFGH之间、以及光入射面ADHE和光出射面BFGC之间，第一横截面CGHD与上电极面ABCD垂直，第一横截面CGHD与光入射面ADHE垂直。在本专利技术实施例中，光源可以为激光器，电光晶体可以为铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体、磷酸钛氧钾晶体中的一种，当然在实际应用过程中，电光晶体还可以为其它材质，本专利技术对此不作具体限定；进一步的，为了保证电光相位调制系统的精确性，电光晶体的加工参数可以如下：相对面的平行度为0.02毫米，表面粗糙度为0.012微米，透光率为98％。下面，结合图2所示的光束在电光晶体中的传输过程，对图1实施例所示的电光相位调制系统进行详细说明。图2为本专利技术提供的光束传输过程示意图一，其中，图2中的电光晶体与图1中的电光晶体一样，为了便于描述，图2中的电光晶体以平面图表示。在射频电路102通电后，在电光晶体101的上电极面和下电极面之间形成电场方向垂直与上电极面的电场，光源103产生的光束S1与光入射面的夹角为布儒斯特角θ，光束S1在进入电光晶体后发生折射得到折射光S2，由于光入射面和上电极面之间的夹角为布儒斯特角，且光束S1与光入射面之间的夹角为布儒斯特角，因此，折射光S2的传输方向与上电极面平行，进而使得折射光S2的传输方向与上电极面和下电极面之间的电场方向垂直，满足了横向电光调制的条件。在折射光S2到达光出射面时，大部分的折射光S2从光出射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光相位调制系统，其特征在于，包括：电光晶体、射频电路以及光源，其中，所述电光晶体的光入射面与光出射面平行，所述电光晶体的上电极面与下电极面平行，所述光入射面与所述光出射面位于所述上电极面与所述下电极面之间，且所述光入射面与所述上电极面之间的夹角为布儒斯特角；所述射频电路的两个电极分别与所述上电极面和所述下电极面连接，用于向所述上电极面和所述下电极面发送射频信号，以使所述上电极面和所述下电极面之间形成电场方向垂直与所述上电极面的电场；所述光源位于所述光入射面一侧，所述光源产生的光束与所述光入射面的夹角为布儒斯特角。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电光相位调制系统，其特征在于，包括：电光晶体、射频电路以及光源，其中，所述电光晶体的光入射面与光出射面平行，所述电光晶体的上电极面与下电极面平行，所述光入射面与所述光出射面位于所述上电极面与所述下电极面之间，且所述光入射面与所述上电极面之间的夹角为布儒斯特角；所述射频电路的两个电极分别与所述上电极面和所述下电极面连接，用于向所述上电极面和所述下电极面发送射频信号，以使所述上电极面和所述下电极面之间形成电场方向垂直与所述上电极面的电场；所述光源位于所述光入射面一侧，所述光源产生的光束与所述光入射面的夹角为布儒斯特角。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述电光晶体的第一横截面与第二横截面平行，所述第一横截面和所述第二横截面位于所述上电极面与所述下电极面之间、以及所述光入射面和所述光出射面之间，所述第一横截面与所述上电极面垂直，所述第一横...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜海峰，邰朝阳，张颜艳，张龙，闫露露，赵文宇，张首刚，
申请(专利权)人：中国科学院国家授时中心，
类型：发明
国别省市：陕西;61