一种低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低噪声放大器，包括：输入级，与通信接收机的天线连接，用于接收所述天线传输的信号；匹配级，与所述输入级连接，所述天线传输的信号同时传输到所述输入级和所述匹配级，所述匹配级用于调节电路的输入匹配；隔离级，与所述输入级连接，用于防止输出端的信号影响所述输入级的信号；负载级，与所述隔离级连接，用于所述天线传输的信号通过所述负载级输出到所述输出端。本实用新型专利技术提供的低噪声放大器，能够实现低电压和低功耗应用，满足增益变换的需求，减小电路版图面积，节约芯片生产的成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种低噪声放大器。
技术介绍
低噪声放大器是通信接收机重要模块之一，主要功能就是将接收到的信号进行放大，以便使后一级的模块处理。低噪声放大器一般位于天线之后，是整个接收系统的第一级，这就要求低噪声放大器必须符合要求：自身必须低噪声；输入匹配比较好，具有尽量小的反射系数。随着技术的发展，电容交叉耦合低噪声放大器已经成为常见的电路(如图1所示)，但是该电路需要四个电感。在集成电路中电感占有极大的面积，大大提高了芯片的生产成本。
技术实现思路
技术问题有鉴于此，本技术要解决的技术问题是，如何提供一种生产成本低且占用面积小的低噪声放大器。解决方案为解决以上技术问题，本技术提供一种低噪声放大器，包括：输入级，与通信接收机的天线连接，用于接收所述天线传输的信号；匹配级，与所述输入级连接，所述天线传输的信号同时传输到所述输入级和所述匹配级，所述匹配级用于调节电路的输入匹配；隔离级，与所述输入级连接，用于防止输出端的信号影响所述输入级的信号；负载级，与所述隔离级连接，用于所述天线传输的信号通过所述负载级输出到所述输出端。在一种可能的实现方式中，所述输入级包括：第一晶体管M1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低噪声放大器，其特征在于，包括：输入级，与通信接收机的天线连接，用于接收所述天线传输的信号；匹配级，与所述输入级连接，所述天线传输的信号同时传输到所述输入级和所述匹配级，所述匹配级用于调节电路的输入匹配；隔离级，与所述输入级连接，用于防止输出端的信号影响所述输入级的信号；负载级，与所述隔离级连接，用于所述天线传输的信号通过所述负载级输出到所述输出端。

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：输入级，与通信接收机的天线连接，用于接收所述天线传输的信号；匹配级，与所述输入级连接，所述天线传输的信号同时传输到所述输入级和所述匹配级，所述匹配级用于调节电路的输入匹配；隔离级，与所述输入级连接，用于防止输出端的信号影响所述输入级的信号；负载级，与所述隔离级连接，用于所述天线传输的信号通过所述负载级输出到所述输出端。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入级包括：第一晶体管(M1)的栅极通过第二电容(C2)耦合到第二晶体管(M2)的源极，所述第一晶体管(M1)的源极连接输入正端(VINP)，所述第二晶体管(M2)的栅极通过第一电容(C1)耦合到所述第一晶体管(M1)的源极，所述第二晶体管(M2)的源极连接到输入负端(VINN)。3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述隔离级包括：第三晶体管(M3)的源极与所述第一晶体管(M1)的漏极耦合，所述第三晶体管(M3)的漏极与第一输出端(VOUTP)连接，第四晶体管(M4)的源极与所述第二晶体管(M2)的漏极耦合，所述第四晶体管(M4)的漏极与第二输出端(VOUTN)连接。4.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述负载级包括：第五晶体管(M5)和第六晶体管(M6)的源极连接到电源(VDD)上，所述第五晶体管(M5)的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅张雄，程远方，
申请(专利权)人：北京联盛德微电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11