【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料制备工艺
,具体地涉及一种光电材料CsPbBr3的制备方法。
技术介绍
CsPbBr3半导体材料是一种新型的光电材料,具有载流子迁移率高、扩散长度长、光吸收能力强、发光效率高以及光稳定性好等优点。由于其良好的光电性能,CsPbBr3的制备及其光电性能研究成为近几年的研究热点。目前,研究者已经采用CsPbBr3制备了太阳能电池,LED,单光子探测器,以及CsPbBr3量子点激光器。CsPbBr3在光电及光伏领域有着潜在的巨大应用价值。CsPbBr3在有水环境下极不稳定,会迅速和水反应生成CsPb2Br5。因此,常规的制备CsPbBr3材料的方法是在无水条件下进行的。常见的做法是将CsBr和PbBr2分别溶解于DMF、DMSO等有机溶剂中形成溶液,然后将两种溶液混合,从而得到CsPbBr3。这种制备方法工艺简单,但是要用到价格较为昂贵的有机试剂。同时,无水的制备环境具有很大的局限性,限制了CsPbBr3的批量化生产。因此,开发原料价格低廉,且能在水溶液中制备CsPbBr3的方法具有重要的意义。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷和不足,本专 ...
【技术保护点】
一种光电材料CsPbBr3的制备方法,其特征在于,将含有Pb2+的HBr水溶液与含有Cs+的HBr水溶液经溶液法反应得到沉淀物,将沉淀物洗涤干燥处理后即得光电材料CsPbBr3。
【技术特征摘要】
1.一种光电材料CsPbBr3的制备方法,其特征在于,将含有Pb2+的HBr水溶液与含有Cs+的HBr水溶液经溶液法反应得到沉淀物,将沉淀物洗涤干燥处理后即得光电材料CsPbBr3。2.如权利要求1所述的光电材料CsPbBr3的制备方法,其特征在于,所述的Cs2+与Pb2+的摩尔比为(2~10):1。3.如权利要求1或2所述的光电材料CsPbBr3的制备方法,其特征在于,所述的溶液法的反应温度为30~50℃,溶液法的反应时间为1~10h。4.如权利要求1或2所述的光电材料CsPbBr3的制备方法,其特征在于,所述的沉淀物用无水乙醇或无水乙醚洗涤。5.如权利要求1或2所述的光电材料CsPbBr3的制备方法,其特征在于,所述的洗涤后的沉淀物在30~60℃...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏兴华,白鸽,张静,周杰,包吉明,王振军,赵鹏,
申请(专利权)人:长安大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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