半导体装置制造方法及图纸

通过在与第一IGBT单元组(12)的第一栅极(8)连接的第一栅极流道(14)和与第二IGBT单元组(13)的第二栅极(9)连接的第二栅极流道(15)之间连接电容器(18)，能够使半导体装置(100)的导通、关断时的di/dt平缓。如此，能够提供减小栅极驱动电力，从而能够抑制导通、关断时的电流、电压的波动的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201580003528

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：半导体基板、设置于所述半导体基板的具有MOS型开关元件的活性区、以包围所述活性区的方式设置的耐压结构区、以及设置在所述活性区与所述耐压结构区之间或所述活性区之间的栅极流道，所述活性区具有所述MOS型开关元件的栅极直接连接到所述栅极流道的第一单元组和所述MOS型开关元件的栅极经由di/dt缓和元件连接到所述栅极流道的第二单元组。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.10 JP 2014-1422621.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：半导体基板、设置于所述半导体基板的具有MOS型开关元件的活性区、以包围所述活性区的方式设置的耐压结构区、以及设置在所述活性区与所述耐压结构区之间或所述活性区之间的栅极流道，所述活性区具有所述MOS型开关元件的栅极直接连接到所述栅极流道的第一单元组和所述MOS型开关元件的栅极经由di/dt缓和元件连接到所述栅极流道的第二单元组。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述di/dt缓和元件为电容器。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述di/dt缓和元件为电容器和与...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤茂树，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP