一种声电混合激励人工耳蜗植入体执行端制造技术

本发明专利技术公开了一种耳蜗的植入体执行端和电极阵列、微驱动薄膜制备方法与集成方法，植入体执行端包括：人工耳蜗薄膜电极阵列，作为电激励源植入人工耳蜗的顶部；压电微驱动薄膜，作为声激励源位于所述人工耳蜗的底部；以及驱动电路，与所述人工耳蜗薄膜电极阵列和压电微驱动薄膜连接，用于接收体外声处理模块所输入的包含声音信息的信号并产生相应的驱动信号以驱动所述人工耳蜗薄膜电极阵列和所述压电微驱动薄膜。本发明专利技术具有如下优点：利用压电薄膜微驱动器代替助听器的扬声器部分，完成声电混合激励人工耳蜗的两种激励源完全可植入化设计，减轻患者佩戴的不便。

【技术实现步骤摘要】
201610348989

【技术保护点】
一种声电混合激励人工耳蜗的植入体执行端，其特征在于，包括：人工耳蜗薄膜电极阵列，作为电激励源植入人工耳蜗的顶部；压电微驱动薄膜，作为声激励源位于所述人工耳蜗的底部；以及驱动电路，与所述人工耳蜗薄膜电极阵列和压电微驱动薄膜连接，用于接收体外声处理模块所输入的包含声音信息的信号并产生相应的驱动信号以驱动所述人工耳蜗薄膜电极阵列和所述压电微驱动薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种声电混合激励人工耳蜗的植入体执行端，其特征在于，包括：人工耳蜗薄膜电极阵列，作为电激励源植入人工耳蜗的顶部；压电微驱动薄膜，作为声激励源位于所述人工耳蜗的底部；以及驱动电路，与所述人工耳蜗薄膜电极阵列和压电微驱动薄膜连接，用于接收体外声处理模块所输入的包含声音信息的信号并产生相应的驱动信号以驱动所述人工耳蜗薄膜电极阵列和所述压电微驱动薄膜。2.根据权利要求1所述的声电混合激励人工耳蜗的植入体执行端，其特征在于，所述人工耳蜗薄膜电极阵列包括：基底parylene薄膜层；形成在所述parylene薄膜层之上的电极导线层；形成在电极导线层之上的parylene隔离层，其中，所述parylene隔离层设置有开口；通过所述开口引出的电极，其中，所述电极与所述电极导线层连接；以及覆盖于所述parylene薄膜层、所述电极导线层和所述隔离层之上的parylene封装层。3.根据权利要求1所述的声电混合激励人工耳蜗的植入体执行端，其特征在于，所述压电微驱动薄膜包括：硅基底；位于所述硅基底之上的SiO2层；位于所述SiO2层之上的Si3N4层；位于所述Si3N4层之上的底电极；位于所述底电极之上的PZT薄膜层；位于所述PZT薄膜层之上的顶电极；以及覆盖于所述硅基底、所述SiO2层、所述Si3N4层、所述底电极层、所述PZT薄膜层和所述顶电极层之上的parylene封装层。4.根据权利要求1所述的声电混合激励人工耳蜗的植入体执行端，其特征在于，所述人工耳蜗薄膜电极阵列和所述压电微驱动薄膜在同晶圆上通过一次流片加工集成器件。5.根据权利要求1-4任一项所述的声电混合激励人工耳蜗的植入体执行端，其特征在于，所述人工耳蜗薄膜电极阵列用于产生1kHz以上的听力，所述压电微驱动薄膜用于产生2kHz以下的听力。6.一种制备如权利要求2所述的人工耳蜗薄膜电极阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：A1：在硅基底上沉积parylene薄膜层；A2：在所述parylene薄膜层之上沉积Au/Cr合金并剥离图案化作为电极导线层；A3：在所述电极导线层之上沉积parylene隔离层；A4：刻蚀所述parylene隔离层形成开口；A5：对所述开口沉积Pt/Ti合金并剥离图案化作为电极；A6：在所述parylene薄膜parylene薄膜层、所述电极导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤政，罗川，徐雨辰，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11