Si衬底LED外延片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种Si衬底LED外延片，涉及具有特殊晶体结构的器件技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型GaN层、InGaN/GaN多重量子阱发光层、电子阻挡层和Mg掺杂P型GaN层。所述外延片提高了内量子效率；同时减少压电极化电场，增加电子和空穴的波函数交叠，使得辐射复合概率增加，进一步提高了内量子效率。

【技术实现步骤摘要】
201521094173

【技术保护点】
一种Si衬底LED外延片，其特征在于：包括Si衬底（1）和位于Si衬底（1）上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层（2）、非故意掺杂U型GaN层（3）、Si掺杂N型GaN层（4）、InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）、电子阻挡层（6）和Mg掺杂P型GaN层（7）；所述InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）包括9～15 对InGaN阱层（5‑3）和GaN垒层（5‑2）结构；所述InGaN阱层（5‑3）的厚度为 2纳米‑4纳米；每层InGaN阱层（5‑3）的上下两侧分别设有3埃～5埃的InN层（5‑1）；GaN垒层（5‑2）的厚度为9～12纳米。

【技术特征摘要】
1.一种Si衬底LED外延片，其特征在于：包括Si衬底（1）和位于Si衬底（1）上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层（2）、非故意掺杂U型GaN层（3）、Si掺杂N型GaN层（4）、InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）、电子阻挡层（6）和Mg掺杂P型GaN层（7）...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，房玉龙，王波，袁凤坡，潘鹏，汪灵，白欣娇，周晓龙，王静辉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13