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新型高强度抗腐蚀电连接器元件制造技术

技术编号:13512888 阅读:37 留言:0更新日期:2016-08-11 18:36
本发明专利技术公开了新型高强度抗腐蚀电连接器元件,所述电连接器元件按重量百分比包括Mg0.2%,Si 2.0%,Cu4.0%,Mn0.2%,Fe0.2%,Zr0.1%,Er0.1%,Cr0.01%,Ni0.01%,Ti0.1%,Al余量。所述电连接器元件经过(1)熔炼;(2)加入Al‑5Ti‑B、Al‑lOSr和RE三种金属细化变质剂添加细化变质剂;(3)在100MPa的条件下静置2h形成铸锭;(4)五道热轧,在超声波振动下三道冷轧;(5)利用C和V激光改性和(6)十八烷基三氯硅烷溶液表面处理后得到成品。本发明专利技术利用多种手段对电连接器元件的材料进行改性和处理,使得电连接器元件在恶劣的工作条件下腐蚀仍能保持氧化膜的完整,避免金属失效,满足当今工业发展的要求。

【技术实现步骤摘要】
201610217740

【技术保护点】
新型高强度抗腐蚀电连接器元件,包括连接螺帽、壳体、绝缘体和接触件,其特征在于,所述连接螺帽按重量百分比包括Mg0.2%,Si 2.0%,Cu4.0%,Mn0.2%,Fe0.2%,Zr0.1%,Er0.1%,Cr0.01%,Ni0.01%,Ti0.1%,Al余量。

【技术特征摘要】
1.新型高强度抗腐蚀电连接器元件,包括连接螺帽、壳体、绝缘体和接触件,其特征在于,所述连接螺帽按重量百分比包括Mg0.2%,Si 2.0%,Cu4.0%,Mn0.2%,Fe0.2%,Zr0.1%,Er0.1%,Cr0.01%,Ni0.01%,Ti0.1%,Al余量。2.根据权利要求1所述的新型高强度抗腐蚀电连接器元件,其特征在于,所述连接螺帽为由以下步骤制成的:(1)于300℃下预热熔炼中使用的加热炉和纯铝1~2h;(2)预热后的纯铝在减压状态下熔炼温度为750℃的加热炉中完全熔化后加入单晶硅颗粒,单晶硅颗粒熔化后加入铝铜中间合金、铝锰中间合金、铝铬中间合金、铝镍中间合金、铝铁中间合金、铝锆中间合金以及少量稀土元素铒,并保温一段时间至中间合金完全熔化,充分搅拌后将加热炉升温,加入铝钛中间合金至铝钛中间合金完全熔化,降温至750℃,扒渣,加入纯镁,在真空的条件下保温30~40min;(4)加入Al-5Ti-B、Al-lOSr和RE三种金属细化变质剂,三者加入的重量百分比比例为8:1:3;(5)加入精炼剂充分反应,除气、除渣,;(6)熔炼好的金属液浇注到已经预热至300℃左右的坩埚中在100MPa的条件下静置2h,形成铸锭;(7)所述铸锭切割成合适尺寸后于550...

【专利技术属性】
技术研发人员:董超超
申请(专利权)人:董超超
类型:发明
国别省市:浙江;33

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