层叠膜和柔性电子器件制造技术

一种层叠膜，其具有挠性基材、形成在上述基材的至少单侧的表面上的第1薄膜层和形成在第1薄膜层上的第2薄膜层，其中，上述第1薄膜层含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)，上述第2薄膜层含有硅原子、氧原子和氮原子(N)，上述第1薄膜层和第2薄膜层使用辉光放电等离子体形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种层叠膜和柔性电子器件。
技术介绍
为了对膜状的基材赋予功能性，已知在基材的表面形成(层叠)了薄膜层的层叠膜。例如，通过在塑料膜上形成薄膜层而赋予了气体阻隔性的层叠膜适合于饮品和食品、化妆品、洗涤剂等物品的填充包装。近年来，提出了在塑料膜等基材膜的一个表面上形成氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等无机氧化物的薄膜而得到的层叠膜。作为在塑料基材的表面上形成无机氧化物的薄膜的方法，已知真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相沉积法(PVD)、或减压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等化学气相沉积法(CVD)等成膜法。而且，在专利文献1和专利文献2中，记载了通过上述的方法形成了氮化硅、氧氮碳化硅的薄膜层的气体阻隔性的层叠膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-231357号公报专利文献2：日本特开2005-219427号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，上述的气体阻隔性的层叠膜存在由于气体阻隔性提高的影
响而泛黄强的问题。另外，有时基材与薄膜层的粘附性变低，光学特性、粘附性不足。本专利技术鉴于上述情况而作出，课题在于提供一种光学特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠膜，其具有挠性基材、形成在所述基材的至少单侧的表面上的第1薄膜层和形成在第1薄膜层上的第2薄膜层，其中，所述第1薄膜层含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)，所述第2薄膜层含有硅原子、氧原子和氮原子(N)，所述第1薄膜层和第2薄膜层使用辉光放电等离子体形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.26 JP 2013-2686411.一种层叠膜，其具有挠性基材、形成在所述基材的至少单侧的表面上的第1薄膜层和形成在第1薄膜层上的第2薄膜层，其中，所述第1薄膜层含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)，所述第2薄膜层含有硅原子、氧原子和氮原子(N)，所述第1薄膜层和第2薄膜层使用辉光放电等离子体形成。2.根据权利要求1所述的层叠膜，在分别表示在所述第1薄膜层的厚度方向上的、从所述第1薄膜层的表面起的距离与位于所述距离的点的相对于所述第1薄膜层中包含的硅原子、氧原子和碳原子的合计数的硅原子数的比率(硅的原子数比)、氧原子数的比率(氧的原子数比)、碳原子数的比率(碳的原子数比)的关系的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中，满足全部下述条件(i)～(iii)：(i)硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在所述第1薄膜层的厚度方向上的90％以上的区域中满足由下述式(1)表示的条件，氧的原子数比>硅的原子数比>碳的原子数比···(1)(ii)所述碳分布曲线具有至少1个极值，(iii)所述碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为0.05以上。3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，对所述第2薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，由宽扫描能谱计算出...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下恭弘，伊藤丰，中岛秀明，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP