一种带水膜清洗机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带水膜清洗机，包括依次排列连接的刻蚀槽、第一去离子水喷淋槽、碱洗槽、第二去离子水喷淋槽、HF酸洗槽、第三去离子水喷淋槽和风干槽，所述清洗机的入口处设有水膜喷淋模块，水膜喷淋模块与刻蚀槽相连接，水膜喷淋模块由喷淋头和旋转台组成，喷淋头包括第一组喷淋头和第二组喷淋头，第一组喷淋头和第二组喷淋头分别位于旋转台两侧。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有如下有益效果：旋转台两侧喷淋头对硅片的四条边喷淋去离子水，由于有去离子水水的稀释，硅片正面边缘的PN结不会被全部刻蚀掉，也看不到明显的刻蚀痕，从而减少对电池光电转换效率的影响，也减少了电池的外观不良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种带水膜刻蚀清洗机。
技术介绍
太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junct1n)上，形成新的空穴-电子对(V-E pair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。由于是利用各种势皇的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，故又称太阳能电池或光伏电池，是太阳能电池阵电源系统的重要组件。太阳能电池主要有晶硅(Si)电池，三五族半导体电池(GaAs，Cds/Cu2S，Cds/CdTe，Cds/InP，CdTe/Cu2Te)，无机电池，有机电池等，其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧.厘米以上的P型单晶硅，包括正面绒面、正面p_n结、正面减反射膜、正背面电极等部分。晶硅太阳能电池的制造工艺有6个主要步骤，分别为制绒，扩散，去磷硅玻璃和背结，镀膜，丝网印刷，烧结。其中去磷硅玻璃和背结采用化学刻蚀的原理，业界使用的是刻蚀清洗机。该清洗机由7个槽构成，分别为刻蚀槽，DI喷淋槽，碱槽，DI喷淋槽，HF酸槽，DI喷淋槽，风干槽。刻蚀槽的作用是去除硅片背面和边缘的N型硅;HF酸槽的作用是去除硅片正面的磷硅玻璃。前述的刻蚀清洗机会刻蚀掉硅片正面边缘的PN结，影响电池的光电转换效率，同时硅片边缘会出现刻蚀痕，影响电池的外观合格率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种硅片看不到明显的刻蚀痕，从而减少对电池光电转换效率的影响，也减少了电池的外观不良率的带水膜清洗机。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种带水膜清洗机，包括依次排列连接的刻蚀槽、第一去离子水喷淋槽、碱洗槽、第二去离子水喷淋槽、HF酸洗槽、第三去离子水喷淋槽和风干槽，所述清洗机的入口处设有水膜喷淋模块，水膜喷淋模块与刻蚀槽相连接，水膜喷淋模块由喷淋头和旋转台组成，喷淋头为第一组喷淋头和第二组喷淋头，第一组喷淋头和第二组喷淋头分别位于旋转台两侧。作为上述方案的改进，所述第一组喷淋头位于旋转台左侧。作为上述方案的改进，所述第二组喷淋头位于旋转台右侧。作为上述方案的改进，所述第一组喷淋头和第二组喷淋头均由两排喷淋头组成，两排喷淋头之间的距离为154mm-156mm。作为上述方案的改进，所述旋转台下端设有电机，旋转台与电机转轴固定连接。实施本技术实施例，具有如下有益效果:硅片进入清洗机后，旋转台左侧的第一组喷淋头对硅片的两条边喷上去离子水，硅片到达旋转台后旋转90度，再由旋转台右侧的第二组喷淋头对硅片的另外两条边上也喷淋去离子水，硅片的四条边喷淋去离子水后，再进入刻蚀槽，由于有去离子水水的稀释，硅片正面边缘的PN结不会被全部刻蚀掉，也看不到明显的刻蚀痕，从而减少对电池光电转换效率的影响，也减少了电池的外观不良率。【附图说明】图1是本技术结构不意图。【具体实施方式】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述。如图1所示，一种带水膜清洗机，包括依次排列连接的刻蚀槽1、第一去离子水喷淋槽2、碱洗槽3、第二去离子水喷淋槽4、HF酸洗槽5、第三去离子水喷淋槽6和风干槽7，所述清洗机的入口处设有水膜喷淋模块8，水膜喷淋模块8与刻蚀槽I相连接，水膜喷淋模块8由喷淋头和旋转台81组成，喷淋头包括第一组喷淋头82和第二组喷淋头83，第一组喷淋头82和第二组喷淋头83分别位于旋转台81两侧。优选地，第一组喷淋头82位于旋转81台左侧;第二组喷淋头83位于旋转台81右侧。优选地，第一组喷淋头82和第二组喷淋头83由两排喷淋头组成，两排喷淋头之间的距离为154mm-156mm。优选地，旋转台81下端设有电机，旋转台81与电机转轴固定连接。优选地，刻蚀槽里的溶液为HF酸和硝酸的混合液，所述硝酸的质量分数为60% -80%，HF酸的质量分数为20%-40%。优选地，碱槽里的溶液为NaOH溶液或KOH溶液，质量分数为5%-10%。本技术的一种带水膜清洗机的工作原理如下:硅片进入清洗机后，旋转台81左侧的第一组喷淋头82对硅片的两条边喷上去离子水，硅片到达旋转台81后旋转90度，再由旋转右侧的第二组喷淋头83对硅片的另外两条边上也喷淋去离子水，硅片的四条边喷淋去离子水后，再进入刻蚀槽，由于有去离子水水的稀释，硅片正面边缘的PN结不会被全部刻蚀掉，也看不到明显的刻蚀痕，从而减少对电池光电转换效率的影响，也减少了电池的外观不良率。然后硅片依次到达第一去离子水喷淋槽2、碱洗槽3、第二去离子水喷淋槽4、HF酸洗槽5、第三去离子水喷淋槽6和风干槽7进行处理，完成硅片的清洗。最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。【主权项】1.一种带水膜清洗机，包括依次排列连接的刻蚀槽、第一去离子水喷淋槽、碱洗槽、第二去离子水喷淋槽、HF酸洗槽、第三去离子水喷淋槽和风干槽，其特征在于:所述清洗机的入口处设有水膜喷淋模块，水膜喷淋模块与刻蚀槽相连接，水膜喷淋模块由喷淋头和旋转台组成，喷淋头包括第一组喷淋头和第二组喷淋头，第一组喷淋头和第二组喷淋头分别位于旋转台两侧。2.如权利要求1所述一种带水膜清洗机，其特征在于，所述第一组喷淋头位于旋转台左侧。3.如权利要求1所述一种带水膜清洗机，其特征在于，所述第二组喷淋头位于旋转台右侧。4.如权利要求1所述一种带水膜清洗机，其特征在于，所述第一组喷淋头和第二组喷淋头均由两排喷淋头组成，两排喷淋头之间的距离为154_-156_。5.如权利要求1所述一种带水膜清洗机，其特征在于，所述旋转台下端设有电机，旋转台与电机转轴固定连接。【专利摘要】本技术公开了一种带水膜清洗机，包括依次排列连接的刻蚀槽、第一去离子水喷淋槽、碱洗槽、第二去离子水喷淋槽、HF酸洗槽、第三去离子水喷淋槽和风干槽，所述清洗机的入口处设有水膜喷淋模块，水膜喷淋模块与刻蚀槽相连接，水膜喷淋模块由喷淋头和旋转台组成，喷淋头包括第一组喷淋头和第二组喷淋头，第一组喷淋头和第二组喷淋头分别位于旋转台两侧。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：旋转台两侧喷淋头对硅片的四条边喷淋去离子水，由于有去离子水水的稀释，硅片正面边缘的PN结不会被全部刻蚀掉，也看不到明显的刻蚀痕，从而减少对电池光电转换效率的影响，也减少了电池的外观不良率。【IPC分类】H01L31/18【公开号】CN205335280【申请号】CN201521142334【专利技术人】方结彬, 秦崇德, 石强, 黄玉平, 何达能, 陈刚 【申请人】广东爱康太阳能科技有限公司【公开日】2016年6月22日【申请日】2015年12月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带水膜清洗机，包括依次排列连接的刻蚀槽、第一去离子水喷淋槽、碱洗槽、第二去离子水喷淋槽、HF酸洗槽、第三去离子水喷淋槽和风干槽，其特征在于：所述清洗机的入口处设有水膜喷淋模块，水膜喷淋模块与刻蚀槽相连接，水膜喷淋模块由喷淋头和旋转台组成，喷淋头包括第一组喷淋头和第二组喷淋头，第一组喷淋头和第二组喷淋头分别位于旋转台两侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，秦崇德，石强，黄玉平，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44