白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm。这种白光量子点薄膜电致发光器件，采用厚度为2nm～8nm的红绿混合量子点发光层，从而使得红绿混合量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层而不在红绿混合量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，在蓝光有机发光层的位置形成激子发蓝光，并且激子可以通过能量传递的方式再到达红绿混合量子点发光层上使其发光，这种白光量子点薄膜电致发光器件的发光性能较好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm。这种白光量子点薄膜电致发光器件，采用厚度为2nm～8nm的红绿混合量子点发光层，从而使得红绿混合量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层而不在红绿混合量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，在蓝光有机发光层的位置形成激子发蓝光，并且激子可以通过能量传递的方式再到达红绿混合量子点发光层上使其发光，这种白光量子点薄膜电致发光器件的发光性能较好。【专利说明】
本专利技术涉及薄膜电致发光器件领域，特别是涉及一种。
技术介绍
量子点(quantumdots，QDs)是由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。量子点一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由Π B?VIA或ΙΠΑ?VA元素组成)制成的、稳定直径在2?20nm的纳米粒子。量子点是在纳米尺度上的原子和分子的集合体，既可由一种半导体材料组成，如由118.￥1六族元素(如0(13、0(136、0仉6、21136等)或IIIA.VA族元素(如InP、InAs等)组成，也可以由两种或两种以上的半导体材料组成。作为一种新颖的半导体纳米材料，量子点具有许多独特的纳米性质，并且可以应用作为薄膜电致发光器件的发光层。由于目前高效率的蓝光量子点材料的制备较为困难，制约了蓝光量子点薄膜电致发光器件以及白光量子点薄膜电致发光器件的发展，传统的白光量子点薄膜电致发光器件的发光性能较差。【专利
技术实现思路
】基于此，有必要提供一种发光性能较好的。—种白光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述红绿混合量子点发光层的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm?8nm;所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。在一个实施例中，所述红绿混合量子点发光层的材料为质量比为4:1?5:1的红光量子点和绿光量子点的混合物；所述红光量子点为核壳结构的CdSeOZnS红光量子点或核壳结构的CdSeOCdS红光量子点，所述核壳结构的CdSeOZnS红光量子点的粒径为1nm?15nm，所述核壳结构的CdSeOCdS红光量子点的粒径为1nm?15nm，所述绿光量子点为核壳结构的CdSeOZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSeOZnS绿光量子点的粒径为6nm?15nm，其中，“CdSeOZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSeOCdS” 为CdS包覆CdSe。在一个实施例中，所述蓝光有机发光层的厚度为15nm?30nm;所述蓝光有机发光材料选自氨基取代的联苯乙烯基衍生物、四溴苯酚酞乙酯钾盐、4，4’_(二(9-乙基-3乙烯咔唑联苯和双(4，6-二氟苯基吡啶4，02)吡啶甲酰合铱中的至少一种。在一个实施例中，所述阳极的材料为IT0、FT0、AZ0或ΙΖ0，所述阳极的厚度为80nm?200nm。在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐的混合物，所述空穴注入层的厚度为15nm?25nm。在一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自聚(N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’ -双(苯基)联苯胺)和聚((9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共(4，4’-(^(4-仲-丁基苯基)二苯胺))中的至少一种，所述空穴传输层的厚度为30nm?50nmo在一个实施例中，所述电子传输层的材料选自8-羟基喹啉铝、二苯基邻菲咯啉和N-芳基苯并咪挫中的至少一种，所述电子传输层的厚度为30nm?50nmo在一个实施例中，所述电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯和氟化铯中的至少一种，所述电子注入层的厚度为0.5nm?5nm ο在一个实施例中，所述阴极的材料为铝、银、镁、钡或钙，所述阴极的厚度为80nm?150nmo上述的白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:提供基底并对所述基底进行清洗；在清洗干净的所述基底上形成阳极；在所述阳极上通过溶液旋涂法依次形成空穴注入层、空穴传输层和红绿混合量子点发光层，其中，所述红绿混合量子点发光层的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm?8nm;以及在所述红绿混合量子点发光层上通过真空蒸镀法依次形成蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。这种白光量子点薄膜电致发光器件，首先采用厚度为2nm?Snm的红绿混合量子点发光层，从而使得红绿混合量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层而不在红绿混合量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，然后在红绿混合量子点发光层与电子传输层之间插入HOMO能级相对红绿混合量子点发光层的HOMO能级较低的蓝光有机发光层，空穴由阳极注入后经过空穴注入层、空穴传输层之后可部分穿过红绿混合量子点发光层到达蓝光有机发光层的位置并形成激子发蓝光，并且激子可以通过能量传递(ET,Energy Transfer)的方式再到达红绿混合量子点发光层上使其发光，从而获得白光。相对于传统的白光量子点薄膜电致发光器件，这种白光量子点薄膜电致发光器件的发光性能较好。【附图说明】图1为一实施方式的白光量子点薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为如图1所示的白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法的流程图；图3为实施例1?实施例3制得的白光量子点薄膜电致发光器件的电流效率对比图；图4为实施例1制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图；图5为实施例2制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图；图6为实施例3制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图；图7为对比例制得的量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图。【具体实施方式】下面主要结合附图及具体实施例对白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法作进一步详细的说明。如图1所示的一实施方式的白光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、红绿混合量子点发光层50、蓝光有机发光层60、电子传输层70、电子注入层80以及阴极90。基底10通常选择透过率较高的玻璃。阳极20的材料为铟锡氧化物(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO)。阳极20的厚度为80nm?200nm。空穴注入层30的材料为聚3，4_二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。优选的，空穴注入层30的材料为质量比为3:1的聚3，4_二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。空穴注入层30的厚度为15nm?25nm。空穴传输层40的材料选自聚(N，N’ -双(4-丁基苯基)-N，N ’ -双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)和聚((9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共(4，4’-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))(TFB)中的至少一种。空穴传输层40的厚度为30nm?50nm。红绿混合量子点发光层5 O的材料为红光量子点和绿光量子点的混合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述红绿混合量子点发光层的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm；所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹进，周洁，谢婧薇，魏翔，俞浩健，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31