一种CSP LED制造技术

一种CSP LED，其包括芯片、以及荧光胶层，所述芯片包括顶面、底面、位于所述顶面和所述顶面之间且与所述顶面和底面连接的侧面，所述底面上设有电极，所述荧光胶层覆盖于所述顶面和侧面，其特征在于：所述CSP LED还包括设置于所述荧光胶层四周的挡胶白墙，所述白墙内嵌有金属箔片。本实用新型专利技术通过在挡胶白墙嵌入金属箔片，提高了白墙的强度；通过白墙与荧光胶四周侧面都接触，荧光胶覆盖了LED芯片的四个侧面和顶面，增强了胶体、芯片和白墙间结合力，使CSP LED灯珠质量大大提高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED封装技术，尤其是指一种CSPLED。
技术介绍
CSP(ChipScalePackage)封装，即为芯片级封装。其具有体积小、重量轻、输入/输出端数多、电性能好、热性能好，而且CSP电路跟其它封装的电路一样，是可以进行测试、老化筛选的，提高了电路的可靠性。但是在封装过程中，现有的LED封装技术中，使得CSPLED灯珠结构的结合力不够，非常容易造成荧光胶、芯片和白墙三者之间脱落；而且，由于白墙的强度不高，在切割单元时或者使用时非常容易裂开。
技术实现思路
本技术为解决上述问题而提供了一种CSPLED。一种CSPLED技术方案如下：一种CSPLED，其包括芯片、以及荧光胶层，所述芯片包括顶面、底面、位于所述顶面和所述顶面之间且与所述顶面和底面连接的侧面，所述底面上设有电极，所述荧光胶层覆盖于所述顶面和侧面，其特征在于：所述CSPLED还包括设置于所述荧光胶层四周的挡胶白墙，所述白墙内嵌有金属箔片。优选地，所述金属箔片高度低于白墙高度。优选地，所述金属箔片嵌于所述白墙中心位置。优选地，所述金属箔片为铜箔片。优选地，所述金属箔片为铝箔片。优选地，所述白墙为回字形闭环结构，所述金属箔片为口字形封闭结构。优选地，所述白墙为圆环形结构，所述金属箔片为圆圈结构。优选地，所述白墙、荧光胶层和芯片电极的一端面在同一平面，白墙和荧光胶顶端面齐平。优选地，白墙与荧光胶接触面为垂直面。优选地，白墙与荧光胶接触面为斜直面。本专利技术的有益效果是：通过在挡胶白墙嵌入金属箔片，提高了白墙的强度；通过使白墙顶端面和荧光胶顶端面齐平，且白墙与荧光胶体四周侧面都接触，荧光胶体覆盖了LED芯片的四个侧面和顶面，增强了胶体、芯片和白墙间结合力，使CSPLED灯珠质量大大提高。附图说明图1为第一和第二实施例CSPLED的正剖面视图结构图。图2为第一实施例图1所示CSPLED的俯视图。图3为第二实施例图1所示CSPLED的俯视图。图4为第三和第四实施例CSPLED的正剖面视图结构图。图5为第三实施例图4所示CSPLED的俯视图。图6为第四实施例图4所示CSPLED的俯视图。图中标识说明1.白墙5.白墙2.铜箔6.铝箔片3.荧光胶7.荧光胶4.芯片8.芯片41.半导体晶片81.半导体晶片42.芯片电极82.芯片电极具体实施方式为阐述本技术的思想及目的，下面将结合附图和具体实施例对本技术做进一步的说明。实施例1如图1～2所示，其为实施例1的CSPLED示意图，包括LED芯片4、白墙1、荧光胶3，LED芯片4包括半导体晶片41和设于半导体晶片41下端面的芯片电极42，LED芯片4的半导体晶片41四个侧面和顶面都为发光面，在四个侧面和顶面的发光面都被荧光胶3所覆盖上，以加强发光效果和发光更充分。在荧光胶3的四周设有挡胶白墙1，其中，白墙的材料为片状模塑料(SMC)，白墙1为中部设有贯穿通孔的正方体，在白墙1内嵌有铜箔片2，铜箔片2嵌在白墙1的中心位置，铜箔片2高度为白墙1高度的四分之三，白墙1的结构为回字形封闭结构，嵌在白墙1内的铜箔片2为口字形封闭结构，以增强白墙1的强度，同时也增强LED的整体结构。白墙1、荧光胶3和芯片电极42的底端面在同一平面内，以保护芯片电极42。白墙1和荧光胶3顶端面齐平，白墙1与荧光胶3接触面为垂直接触面，以增强芯片4、白墙1、荧光胶3三者之间的结合力。实施例2如图1和图3所示，在实施例1的基础上，白墙1的结构还可以为圆环封闭结构，嵌在白墙1内的铜箔片2可以为圆圈封闭结构。实施例3如图4～5所示，其为第一实施例CSPLED的示意图，包括LED芯片8、白墙5、荧光胶7，LED芯片8包括半导体晶片81和设于半导体晶片81下端面的芯片电极82，LED芯片8的半导体晶片81四个侧面和顶面都为发光面，在四个侧面和顶面的发光面都被荧光胶7所覆盖上，以加强发光效果和发光更充分。在荧光胶7的四周设有挡胶白墙5，其中，白墙的材料为环氧塑封料(EMC)，白墙1为中部设有贯穿通孔的正方体，在白墙5内嵌有铝箔片6，铝箔片6嵌在白墙5的中心位置，铝箔片6高度为白墙5高度的二分之一，白墙5的结构为圆环封闭结构，嵌在白墙5内的铝箔片6为圆圈形封闭结构，以增强白墙5的强度，同时也增强LED的整体结构。白墙5、荧光胶7和芯片电极82的底端面在同一平面内，以保护芯片电极82。白墙5和荧光胶7顶端面齐平，白墙5与荧光胶7接触面为斜直接触面，以增强芯片8、白墙5、荧光胶7三者之间的结合力。实施例4如图4和图6所示，在实施例3的基础上，白墙5的结构还可以为回字形封闭结构，嵌在白墙5内的铝箔片6为口字形封闭结构。以上是对本技术所提供的具体实施例，其有益效果为：通过在挡胶白墙嵌入金属箔片，提高了白墙的强度；通过使白墙顶端面和荧光胶顶端面齐平，且白墙与荧光胶四周侧面都接触，荧光胶覆盖了LED芯片的四个侧面和顶面，增强了胶体、芯片和白墙间结合力，并且保护了芯片电极，使CSPLED灯珠质量大大提高。实施例对本方案进行了详细的介绍，本文中应用了具体个例对本技术的结构原理及实施方式进行了阐述，以上实施例只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CSP LED，其包括芯片、以及荧光胶层，所述芯片包括顶面、底面、位于所述顶面和所述底面之间且与所述顶面和底面连接的侧面，所述底面上设有电极，所述荧光胶层覆盖于所述顶面和侧面，其特征在于：所述CSP LED还包括设置于所述荧光胶层四周的挡胶白墙，所述白墙内嵌有金属箔片。

【技术特征摘要】
1.一种CSPLED，其包括芯片、以及荧光胶层，所述芯片包括顶面、底面、位于所述顶面
和所述底面之间且与所述顶面和底面连接的侧面，所述底面上设有电极，所述荧光胶层覆
盖于所述顶面和侧面，其特征在于：所述CSPLED还包括设置于所述荧光胶层四周的挡胶白
墙，所述白墙内嵌有金属箔片。
2.根据权利要求1所述的CSPLED，其特征在于：所述金属箔片高度低于白墙高度。
3.根据权利要求1所述的CSPLED，其特征在于：所述金属箔片嵌于所述白墙中心位置。
4.根据权利要求1所述的CSPLED，其特征在于：所述金属箔片为铜箔片。
5.根据权利要求1所述的CSP...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦健华，魏冬寒，孙平如，
申请(专利权)人：深圳市聚飞光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44