一种用于低压差线性稳压器的抑制过冲电路制造技术

本发明专利技术公开一种用于低压差线性稳压器的抑制过冲电路，包括依次连接的运算电压检测电路单元、过冲抑制电路单元和偏置电路单元；所述电压检测电路单元用于检测输出电压变化；所述偏置电路单元为过冲抑制电路单元提供偏置电压；所述过冲抑制电路单元用于产生输出电容的放电电流，从而抑制输出过冲。本发明专利技术用于低压差线性稳压器的抑制过冲电路具有结构简单，低功耗，响应快的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于低压差线性稳压器的抑制过冲电路
本专利技术涉及电源管理
，具体涉及到一种用于低压差线性稳压器的抑制过冲电路。
技术介绍
低压差线性稳压器(简称LDO)具有结构简单、低输入输出电压、低噪声等优点，因而被广泛应用在便携式电子产品设备中。随着当今电子产品的发展，对LDO的性能也提出了新的要求：更低的功耗，更好的瞬态响应，更高的集成度。针对负载变化很大的应用场合，要求LDO对瞬态响应非常快，尽可能在负载变化的时候保持输出电压的稳定。对于应用LDO较多的便携式产品中，负载电流突变的情况很普通，所以对LDO的负载瞬态响应的研究越来越受到重视。传统的LDO的电路结构如图1所示，需在输出端Vout额外增加一个大的输出电容Cout，其电容的值达到μF级。这种结构虽然稳定，而且负载瞬态响应好，但是增加的外围输出电容使得芯片的使用更加复杂，LDO的零极点不容易控制。如图2所示，现阶段，无片外电容型的LDO结构由于节省了片外的大电容，结构简单，成为了研究的热点。在无片外电容型的LDO的设计中，由于在输出端没有大电容，在负载变化时，其输出相对于传统LDO受到的影响更大，因此设计时要尤其注意LDO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于低压差线性稳压器的抑制过冲电路，其特征在于，包括依次连接的运算电压检测电路单元、过冲抑制电路单元和偏置电路单元；所述电压检测电路单元用于检测输出电压变化；所述偏置电路单元为过冲抑制电路单元提供偏置电压；所述过冲抑制电路单元用于产生输出电容的放电电流，从而抑制输出过冲。

【技术特征摘要】
1.一种用于低压差线性稳压器的抑制过冲电路，其特征在于，包括依次连接的运算电压检测电路单元、过冲抑制电路单元和偏置电路单元；所述电压检测电路单元用于检测输出电压变化；所述电压检测电路单元包括电容Cm，电容Cm的第一端与低压差线性稳压器的输出端连接，电容Cm的第二端与过冲抑制电路单元连接；所述偏置电路单元为过冲抑制电路单元提供偏置电压；所述过冲抑制电路单元用于产生输出电容的放电电流，从而抑制输出过冲；所述过冲抑制电路单元部分包括NMOS管M1、M5和M6，还包括PMOS管M2和M3，M1的栅极接所述电容Cm的第二端，M1的源极接地，M1的漏极接M2的漏极，M2...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭洪舟，李毓鳌，曾衍瀚，王阳，张鑫，唐诗豪，
申请(专利权)人：广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院，中山大学，中山大学花都产业科技研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44