【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双边迟滞比较器，其特征在于，包括电流源I1、电流源I2、PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、可变电阻R1、PMOS管MP3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、PMOS管MP4、比较器、BUFFER和反相器X；所述电流源I1输出端与PMOS管MP1的源极连接，还与PMOS管MP2的源极连接，所述PMOS管MP1的漏极与NMOS管MN1的漏极和栅极连接，PMOS管MP1的漏极还与NMOS管MN2的栅极连接，所述NMOS管MN1的源极接地，所述NMOS管MN2的漏极与PMOS管MP2的漏极连接，还与NMOS管MN3的栅极连接，PMOS管MP2的栅极接参考电压，所述NMOS管MN3的漏极与电阻R1的一端连接，源极接地，所述电阻R1的另一端与电流源I2的输出端连接，所述电流源I2的输出端与PMOS管MP3的源极连接，还与NMOS管MN4的源极连接，所述NMOS管MN3的漏极还与NMOS管MN5的源极连接，还与PMOS管MP4的源极连接，所述PMOS管MP3的漏极与PMOS管MP4的漏极连接，所述NMOS管MN4的漏极与NMOS管MN5的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文灿，周媛媛，林峰，叶松，
申请(专利权)人：福建睿矽微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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