基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型及坏块处理方法技术

本发明专利技术公开了一种基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型及坏块处理方法，动态块模型包括多个通道、多个LBT块模型，每个通道包括多个片选通道；每个LBT块模型包括多个物理块；多个LBT块模型排列为多行；每个片选通道对应一列物理块，且该列物理块为多个LBT块模型相同位置的物理块。本发明专利技术将分散在不同通道不同CE下的NAND Flash的物理块组合在了一起，操作的时候只需要调用LBT表就可以操作物理块降低了多通道多CE操作的复杂度，可以更加高效、方便地进行坏块管理。在存储设备（如SSD、U盘等）中可以得到很好的应用。

【技术实现步骤摘要】
基于多通道主控的多CENANDFlash动态块模型及坏块处理方法
本专利技术涉及一种基于多通道主控的多CENANDFlash动态块模型及坏块处理方法。
技术介绍
针对现在存储介质越来越大的空间需求与速度需求，多通道主控与多CE的存储介质的出现是时代的必然，这也对存储介质的坏块管理带来了负担，目前的坏块管理在块模型的建设中都是静态的，并且对多通道与多CE的支持不是特别友好。如果在存储介质的使用过程中出现新的坏块，只能舍弃该坏块所在的LBT块模型，那么静态的块模型将不再管用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种基于多通道主控的多CENANDFlash动态块模型及坏块处理方法。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种基于多通道主控的多CENANDFlash动态块模型，包括多个通道、多个LBT块模型，每个通道包括多个片选通道；每个LBT块模型包括多个物理块；多个LBT块模型排列为多行；每个片选通道对应一列物理块，且该列物理块为多个LBT块模型相同位置的物理块。本专利技术还提供了一种利用上述模型处理坏块的方法，当第n-1个通道的第i-1个片选通道在第m-1个LBT块模型中出现坏块的时候，将第n个通道的第i个片选通道在第m个LBT块模型中的非坏块向上移动到第n-1个通道的第i-1个片选通道的第m-1个LBT块模型中，保证第m-1个LBT块模型的完整性，依此类推，继续处理其余坏块，直至处理完所有的坏块；对于最后一个LBT块模型中剩余的物理块，若满足容量优先，则将该剩余的物理块集合起来建立一个新的静态块模型；若满足性能优先，则对于剩余的物理块，搁置不用。本专利技术中，处理完所有坏块的判断标准为：LBT块模型个数的最大值LBT_max=PB_max-PB_bad；其中，PB_max为一个片选通道下的物理块的最大数量，PB_bad为该片选通道下的坏块个数。保证所有坏块都处理完，进一步保证动模型的有效性。与现有技术相比，本专利技术所具有的有益效果为：本专利技术将分散在不同通道不同CE下的NANDFlash的物理块组合在了一起，操作的时候只需要调用LBT表就可以操作物理块，降低了多通道多CE操作的复杂度，可以更加高效、方便地进行坏块管理。在存储设备（如SSD、U盘等）中可以得到很好的应用。附图说明图1为本专利技术实施例没有坏块的块模型示意图；图2为本专利技术实施例有坏块的块模型示意图。具体实施方式本专利技术实施例图1和图2中，两图都是以4通道主控，4CENANDFlash为基础建立的块模型；最左边的LBT（LogicBlockTable）表示多通道多LBT块模型；每一行LBT块模型内的所有PB（物理块）表示同一块模型；图2中的PB0,PB2,PB4表示坏块；CH0、CH1、CH2、CH3为四个通道，CE0、CE1、CE2、CE3为片选通道。如图1所示，本专利技术中，在没有坏块的情况下，多通道下的多CE的PB0共同组成LBT0,多通道下的多CE的PB1共同组成LBT1,以此类推，多通道下的多CE的PBn共同组成LBTn。当出现坏块的时候，LBT会根据坏块的分布，而动态的调整块模型。调整的基本原则是保证一份LBT的完整性，即LBT包含的物理块个数需要保持恒定。本专利技术实施例中，每个LBT需要保证16个物理块。图2所示，当通道1的CE1在LBT0出现坏块（PB0）的时候，块模型会自动向下取块，进而保证LBT个数的完整性。所以LBT0包含的块由16个PB0变成了15个PB0和一个PB1（如图2所示）。所以其他LBT都需要做出调整，并且LBT的最大值等于一个CE下的PB最大值减去同一CE下的坏块个数，LBT_max=PB_max-PB_bad对于在凑齐了完整的LBT_max以后剩余的块，一般不够一个LBT，有两种处理方式。如果是容量优先，就需要利用起剩余的块，由于不在一个完整的LBT内，所以需要单独操作，这样会降低一定的性能。具体的操作方式为将剩下的不足一个LBT的块集合起来建立一个另外的一个LBT模型，这里叫它Other_LBT，即将剩下的块都映射到Other_LBT里面，这样所有的块都可以用完，保证了容量。如果是性能优先，对于剩余的块，可以搁置不用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型，其特征在于，包括多个通道、多个LBT块模型，每个通道包括多个片选通道；每个LBT块模型包括多个物理块；多个LBT块模型排列为多行；每个片选通道对应一列物理块，且该列物理块为多个LBT块模型相同位置的物理块。

【技术特征摘要】
1.一种基于多通道主控的多CENANDFlash动态块模型，其特征在于，包括多个通道、多个LBT块模型，每个通道包括多个片选通道；每个LBT块模型包括多个物理块；多个LBT块模型排列为多行；每个片选通道对应一列物理块，且该列物理块为多个LBT块模型相同位置的物理块；当第n-1个通道的第i-1个片选通道在第m-1个LBT块模型中出现坏块的时候，将第n个通道的第i个片选通道在第m个LBT块模型中的非坏块向上移动到第n-1个通道的第i-1个片选通道的第m-1个LBT块模型中，保证第m-1个LBT...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪峰，马翼，田达海，彭鹏，杨万云，向平，周士兵，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43