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本发明公开了一种基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型及坏块处理方法，动态块模型包括多个通道、多个LBT块模型，每个通道包括多个片选通道；每个LBT块模型包括多个物理块；多个LBT块模型排列为多行；每个片选通道对应一列物理块...
该专利属于湖南国科微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南国科微电子股份有限公司授权不得商用。

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