【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
在聚合物基材上的薄膜晶体管，其包括：栅电极（200）；栅极绝缘膜（300），其被栅电极（200）覆盖，所述栅极绝缘膜（300）包含甲基硅氧烷；半导体沟道层（500），所述半导体沟道层（500）面向栅电极（200）放置，所述栅极绝缘膜（300）插入在它们之间，所述半导体沟道层（500）包含至少一种金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体包括Hf、In、Ga或Zn及其混合物中的至少一种的氧化物；源漏图案（450），其包括连接至半导体层（500）的源电极和与源电极分离并连接至半导体层（500）的漏电极,其中，所述半导体层（500）具有接触源电极的源极部分、接触漏电极的漏极部分和位于源极部分和漏极部分之间的沟道部分；其中，栅电极（200）和源电极与栅电极（450）包含Al、Ti、Mo、AlNd、叠层金属电极Ti/Al/Ti或透明导电氧化物中的至少一种，所述透明导电氧化物选自铟锡氧化物、铟掺杂的氧化锌、铝掺杂的氧化锌、氟锡氧化物、锑锡氧化物和其混合物；聚合物基材（100），其包含热塑性聚合物膜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：ECW欧，S桑卡兰，KMS马，C赫斯勒，A施密特，
申请(专利权)人：科思创德国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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