一种基于光纤腐蚀的微盘谐振腔的制作工艺制造技术

技术编号:13380552 阅读:92 留言:0更新日期:2016-07-21 12:15
本发明专利技术为一种基于光纤腐蚀的微盘谐振腔的制作工艺,其特征在于包括以下步骤:取一段光纤,去除光纤末端一段涂覆层,并将光纤末端端面切平;对光纤末端面及末端部内包层重新涂覆保护层,其末端中间的光纤内包层不涂覆保护层;将光纤末端垂直静置于浓度为氢氟酸溶液中,氢氟酸溶液对内包层进行腐蚀;将光纤从氢氟酸溶液中取出,用去离子水冲洗;沿光纤轴线向光纤末端方向垂直切割,本发明专利技术有益效果一是利用成本低的氢氟酸溶液腐蚀来制作微盘谐振腔,因此工艺步骤简单,设备投资低;二是微盘谐振腔其材料与光纤相同,可以用于窄线宽及单频光纤激光器的模式选择。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于光纤腐蚀的微盘谐振腔的制作工艺,其特征在于包括以下步骤:步骤一、取一段光纤,去除光纤末端一段涂覆层,并将光纤末端端面切平,末端留有100‑1000微米去除掉涂覆层的光纤;步骤二、对光纤末端面及末端部100‑1000微米的光纤内包层重新涂覆保护层,其末端中间200‑400微米的光纤内包层不涂覆保护层;步骤三、将光纤末端垂直静置于浓度为氢氟酸溶液中,氢氟酸溶液与内包层进行化学反应从而对内包层进行腐蚀,同时氢氟酸溶液会沿着内包层与保护层的交界处渗入保护层,并与保有护层内的内包层进行化学反应从而对其进行腐蚀,腐蚀时间约3‑10小时,利用光纤径向腐蚀速度差,使内包层腐蚀成抛物线形状;步骤四、将光纤从氢氟酸溶液中取出,用去离子水冲洗,冲洗时间为一分钟,再置于1mol/L 的碳酸钠溶液中浸泡一分钟,然后再用去离子水超声清洗,冲洗时间为一到两分钟,再用无水乙醇浸泡48小时后再经超声清洗,去除保护层;步骤五、沿光纤轴线向光纤末端方向保留15‑25微米未被腐蚀的光纤并垂直切割,得到微盘谐振腔;步骤六、沿光纤轴向光纤前端方向保留1‑2厘米带涂覆层光纤并垂直切割,即得到微盘谐振腔底座。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张启航
申请(专利权)人:山东海富光子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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