一种微米级半导体传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种微米级半导体传感器及其制备方法，属于半导体传感器制造技术领域。本发明专利技术的微米级半导体传感器的制备方法包括如下步骤：在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到铝光刻硅板；采用刻蚀剂对得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶，即得。本发明专利技术的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微米级半导体传感器及其制备方法，属于半导体传感器制造

技术介绍
半导体刻蚀工艺主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。其中，干法刻蚀主要包括离子束溅射刻蚀(物理作用)、等离子体刻蚀(化学作用)、反应离子刻蚀(物理化学作用)；湿法刻蚀主要包括化学刻蚀、电解刻蚀。湿法刻蚀的优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。湿法刻蚀的缺点是钻刻严重、会产生大量的化学废液。公开号为CN1710705A的中国专利技术专利(公开日期为2005年12月21日)公开了一种硅湿法刻蚀工艺，并具体公开了在洁净的硅片上溅射Cr膜，在Cr掩膜上利用光刻工艺制备图形，在(NH4)2Ce(NO3)5溶液中对掩膜层进行刻蚀，然后使用氢氧化钾溶液对刻蚀后的硅片进行湿法刻蚀，再取出掩膜层即得。该湿法刻蚀存在着刻蚀效率低、刻蚀坑槽表面不光滑，絮状物不易清洗干净等问题。而且湿法刻蚀为各向同性，加工精度相对较差，对于小的特征尺寸的半导体刻蚀并不适用。干法刻蚀的优点是各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程不引入污染物，洁净度高。但是干法刻蚀的缺点是成本太高，不利于大规模生产。对于126kV-1100kV高压电路上的高压SF6断路器，其使用的多电极传感器对传感器的加工精度有着很高的要求，开发一种能够满足该传感器产品要求的制备方法意义重大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种加工精度高、成本低微米级半导体传感器的制备方法。本专利技术的目的还在于提供一种上述方法制备的微米级半导体传感器。为了实现以上目的，本专利技术的微米级半导体传感器的制备方法的技术方案如下：一种微米级半导体传感器的制备方法，包括如下步骤：1)在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到铝光刻硅板；2)采用刻蚀剂对步骤1)得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，去除光刻胶，即得。本专利技术的微米级半导体传感器的制备方法，采用先在硅板表面溅射铝膜，然后对铝光刻，之后通过湿法刻蚀硅板，得到的传感器电极加工精度高，能够满足微米级半导体传感器的质量需求。在铝光刻之后，对于硅板来说，光刻、剥离等刻蚀工艺无法准确控制深度，一般在刻蚀通孔或者刻蚀到物质交接处时采用光刻或者剥离，刻蚀速度可以较快；在刻蚀盲孔的时候，一般采用控制度较高但速度较慢的刻蚀方式，以满足对深度以及底面光滑程度的要求。步骤2)中的刻蚀剂为C4F8与SF6，使用时，先将C4F8以100sccm的流量通入5s，然后将SF6以100sccm的流量通入8s。步骤1)中在显影后进行坚膜，所述坚膜的条件为：温度为110℃，坚膜时间为10min。步骤1)中铝膜的厚度可以视具体的传感器类型和结构来定，一般的为1μm。步骤2)中在去除光刻胶后，在微米级半导体传感器的引出极和收集极表面镀上Ti/Ni/Au镀膜，在微米级半导体传感器的阴极表面溅射铝膜，采用铝刻蚀液进行铝电极阵列刻蚀。由于金属之间的粘附性，可以采用直接在硅板表面进行溅射铝膜，在铝膜进行刻蚀的时候保留一定厚度的铝，这样铝电极全部能够电导通。由于剥离及干刻工艺只能控制其形状按照掩膜版设计，深度为固定的金属深度，无法保留部分铝层做导电用，故对于该层铝膜的刻蚀，不能采用剥离、干刻方式，只能采用湿法刻蚀。本专利技术的制备方法中两次进行铝膜的溅射和刻蚀，第一次溅射的铝膜主要用来进行图形的转移，湿法刻蚀时采用铝作为图形转移的介质；第二次溅射的铝膜是在阴极表面刻蚀电极用，即在阴极表面使用湿法刻蚀铝膜的办法进行微米级铝金属电极的加工，刻蚀时保留一定的厚度的铝膜作为导电层使用。所述铝刻蚀液由体积比为16:1:1:2的磷酸、硝酸、醋酸、水混合得到，所述磷酸质量分数不低于85％，所述硝酸的质量分数为65-68％，所述醋酸的质量分数不低于99.5％。刻蚀温度为45℃。步骤1)中的溅射采用磁控溅射方式。所述掩膜版为Cr板。所述掩膜版采用proteldxp软件绘制掩膜版图形。掩膜版包括为五寸版的大圆和四寸板的小圆。对掩膜版进行划分的十字光标的线宽为1mm。所述掩膜版制作为正胶掩膜版。所述曝光后，掩膜版正胶见光分解，分解后的物质冲洗掉，将掩膜版上的图形保留下来；掩膜版负胶见光交联，交联物质稳定，未交联的部分被冲洗掉，实现图形从掩膜版到硅片表面的转移。本专利技术的微米级半导体传感器的技术方案如下：一种微米级半导体传感器，采用上述的制备方法制得。本专利技术的微米级半导体传感器包括阴极、引出极和收集极。上述微米级半导体传感器包括依次设置的收集极、引出极、阴极，收集极包括收集极硅层，收集极硅层朝向引出极的一侧表面具有方形凹槽，收集极硅层朝向引出极的一侧的表面及方形凹槽的内表面均镀覆有收集极Ti/Ni/Au镀膜；引出极包括引出极硅层以及镀覆在引出极两面的引出极Ti/Ni/Au镀膜，引出极中心与收集极方形凹槽对应位置设置有圆形通孔，引出极与收集极之间设置有聚酯薄膜绝缘层，薄膜绝缘层设置与引出极两端与收集极两端对应的位置处；阴极包括阴极硅层以及设置在阴极硅层两个表面的铝膜，铝膜表面一体设置有微米级铝电极阵列，阴极两端分别设置有圆形通孔，阴极与引出极之间设置有聚酯薄膜绝缘层，薄膜绝缘层设置在阴极两端与引出极两端分别对应的位置处。上述方形凹槽的槽深为200μm。本专利技术的微米级半导体传感器的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。本专利技术的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集极内表面以及引出极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，阴极表面直接采取湿法刻蚀工艺，加工出微米级金属电极，起放电作用。在引出极与收集极分别加一电压，使引出极与阴极之间、引出极与收集极之间分别产生电场，阴极发生电离，引出极吸收电子，收集极收集正离子产生电流，这样减少了离子对阴极电极的碰撞，延长了传感器使用寿命。在同一电压、温度下，不同的气体浓度对应不同的收集极电流，当达到单值时，即可使用此传感器来测量气体浓度。附图说明图1为本专利技术实施例1中的微米级半导体传感器的结构示意图；图2为图1中的微米级半导体传感器翻转后的结构示意图；图3为本专利技术实施例1中的微米级半导体传感器的制备方法流程图；图4为本专利技术实施例1中的微米级半导体传感器的制备过程示意图；图5为本专利技术实施例1中的微米级半导体传感器的制备方法中掩膜版结构示意图。具体实施方式下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到铝光刻硅板；2)采用刻蚀剂对步骤1)得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶，即得。

【技术特征摘要】
1.一种微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩
膜版，显影，得到铝光刻硅板；
2)采用刻蚀剂对步骤1)得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶，即得。
2.如权利要求1所述的微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤2)
中的刻蚀剂为C4F8与SF6，使用时，先将C4F8以100sccm的流量通入5s，然后将SF6以
100sccm的流量通入8s。
3.如权利要求1所述的微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤1)
中在显影后进行坚膜，所述坚膜的温度为110℃，坚膜的时间为10min。
4.如权利要求1所述的微米级半导体传感器的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：张一茗，王小华，闫广超，宋亚凯，穆广祺，荣命哲，郭煜敬，谭盛武，袁端磊，王礼田，李少华，曹明德，蒋晓旭，高群伟，张文涛，尉镔，张明礼，刘璐，宋述停，吕品雷，
申请(专利权)人：平高集团有限公司，国家电网公司，国网山西省电力公司，西安交通大学，
类型：发明
国别省市：河南;41