判断晶片是否正常升起的方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种判断晶片是否正常升起的方法及其装置，涉及半导体工艺技术领域，能够判断晶片是否正常升起，若晶片升起异常，停止后续的机械手取片，并对未正常升起的晶片进行调整，以减少机械手撞击晶片而造成晶片损坏等机械手取片失败的几率。该判断晶片是否正常升起的方法，包括：当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值，判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值，若存在，则确认所述晶片未正常升起。本发明专利技术主要用于半导体工艺结束后的晶片取片过程中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种判断晶片是否正常升起的方法及其装置。
技术介绍
在集成电路芯片制造过程中，需要对晶片进行各种类型的加工工艺，例如包括光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积、核心封装等，如图1和图2所示，在很多工艺中，需要先将晶片1放置于半导体加工设备反应腔室内的卡盘2上，然后对晶片1进行工艺操作。卡盘2主要用于对晶片1进行固定，晶片1下方设置有多个顶针3，如图3所示，当工艺结束之后，卡盘2释放对于晶片1的固定，之后多个顶针3托住晶片1升起至预设位置，然后机械手移动至晶片1处进行取片，再将晶片1送至腔室之外。按照固定方式的不同，卡盘2可以分为静电卡盘和机械卡盘。如图1所示，静电卡盘内部埋设有卡盘电极，工艺过程中，对卡盘电极加载直流电压，卡盘电极与晶片之间产生相互吸引的静电力，从而将晶片1固定在卡盘2上，对卡盘电极放电来释放对于晶片1的固定；如图2所示，机械卡盘四周安装有压环，压环在气缸牵引下与晶片1接触，通过机械压力将晶片1固定在卡盘2上，将机械卡盘2的压环升高来释放对于晶片1的固定。然而，卡盘2在释放晶片的过程中可能会出现问题，例如，对于静电卡盘来说，工艺结束之后对卡盘电极放电可能会不充分，导致晶片1上会残余电荷形成电场，仍可能使晶片1吸附在卡盘2上，造成粘片现象，此时顶针3执行升起动作时，可能会造成晶片1倾斜，若这种情况下将机械手移动至晶片处进行取片，机械手会撞击晶片1，<br>导致取片失败；对于机械卡盘来说，由于连续作业，压环与晶片1接触的部分经常被工艺副产物污染，工艺副产物聚集较多时，工艺结束之后，可能会造成晶片1与压环的粘连，将压环升高时可能会带动晶片1倾斜甚至使晶片1被压环粘起，若这种情况下将机械手移动至预设位置处取片，机械手可能会撞击晶片1或者取不到晶片1，导致取片失败。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种判断晶片是否正常升起的方法及其装置，能够判断晶片是否正常升起，若晶片升起异常，停止后续的机械手取片，并对未正常升起的晶片进行调整，以减少机械手撞击晶片而造成晶片损坏等机械手取片失败的几率。为达到上述目的，本专利技术主要提供如下技术方案：一方面，提供一种判断晶片是否正常升起的方法，所述晶片底部为导体或半导体，所述判断方法包括：当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值：判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值；若存在，则确认所述晶片未正常升起。具体地，所述判断全部所述电阻值中是否存在不符合预设异常条件的电阻值具体为：判断全部所述电阻值中是否存在无穷大的电阻值；具体地，所述所述若存在，则确认所述晶片未正常升起具体为：若存在无穷大的电阻值，则确认所述晶片未正常升起。具体地，上述判断晶片是否正常升起的方法，还包括：若全部所述电阻值均为有限值，则确认所述晶片正常升起。具体地，所述测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值具体为：使待测的多个顶针中任意两个顶针中第一顶针接地，使待测的多个顶针中任意两个顶针中第二顶针连接电源输入端；获取所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值，若所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值为零，则确认所述第一顶针与所述第二顶针之间的电阻值为无穷大。具体地，上述判断晶片是否正常升起的方法，还包括：当确认所述晶片为未正常升起时，输出告警信息和停止取片指令。另一方面，提供一种判断晶片是否正常升起的装置，所述晶片底部为导体或半导体，所述判断装置包括：测量模块，用于当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值；判断模块，用于判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值；确认模块，用于若判断模块判断出全部所述电阻值中存在符合预设异常条件的电阻值，则确认所述晶片未正常升起。所述判断模块，具体用于判断全部所述电阻值中是否存在无穷大的电阻值；所述确认模块，具体用于若判断模块判断出存在无穷大的电阻值，则确认所述晶片未正常升起。所述确认模块，还用于若判断模块判断出全部所述电阻值均为有限值，则确认所述晶片正常升起。具体地，所述测量模块包括：回路接入单元，用于在测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值时，使待测的多个顶针中任意两个顶针中第一顶针接地，使待测的多个顶针中任意两个顶针中第二顶针连接电源输入端；电流获取单元，用于在测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值时，获取所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值；所述判断模块具体用于，在测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值时，若所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值为零，则判断所述第一顶针与所述第二顶针之间的电阻值是否为无穷大。具体地，上述判断晶片是否正常升起的装置，还包括：告警模块，用于当确认所述晶片为未正常升起时，输出告警信息和停止取片指令。本专利技术提供的判断晶片是否正常升起的方法及其装置，可以通过两个顶针之间的电阻值为无穷大来判断晶片为未正常升起，若这两个顶针与晶片之间不能够形成回路，说明晶片未与这两个顶针全部接触，即晶片为未正常升起，根据判断结果，此时停止后续的机械手取片，对未正常升起的晶片进行调整，以减少机械手撞击晶片而造成晶片损坏等机械手取片失败的几率。附图说明图1为现有技术中静电卡盘固定晶片时的结构示意图；图2为现有技术中机械卡盘固定晶片时的结构示意图；图3为现有技术中顶针从卡盘上托起晶片时的结构示意图；图4为本专利技术实施例中一种顶针机构的结构示意图；图5为本专利技术实施例中一种半导体加工设备的结构示意图；图6为本专利技术实施例中一种判断晶片是否正常升起的方法的流程图；图7为本专利技术实施例中另一种判断晶片是否正常升起的方法的流程图；图8为本专利技术实施例中一种判断晶片是否正常升起的装置的结构框图；图9为本专利技术实施例中一种测量模块的结构框图；图10为本专利技术实施例中另一种判断晶片是否正常升起的装置的结构示意图；图11为本专利技术实施例中另一种判断晶片是否正常升起的装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。本专利技术实施例提供一种判断晶片是否正常升起的方法，用于顶针机构，如图4和图5所示，上述顶针机构包括顶针底盘4和多个顶针3，顶针3固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种判断晶片是否正常升起的方法，其中，所述晶片底部为导体或半导体，其特征在于，所述方法包括：当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值；判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值；若存在，则确认所述晶片未正常升起。

【技术特征摘要】
1.一种判断晶片是否正常升起的方法，其中，所述晶片底部为导体或半导
体，其特征在于，所述方法包括：
当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之
间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值；
判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值；
若存在，则确认所述晶片未正常升起。
2.根据权利要求1所述的判断晶片是否正常升起的方法，其特征在于，所
述判断全部所述电阻值中是否存在不符合预设异常条件的电阻值包括：
判断全部所述电阻值中是否存在无穷大的电阻值；
所述若存在，则确认所述晶片未正常升起包括：
若存在无穷大的电阻值，则确认所述晶片未正常升起。
3.根据权利要求2所述的判断晶片是否正常升起的方法，其特征在于，所
述判断全部所述电阻值中是否存在无穷大的电阻值之后，所述方法还包括：
若全部所述电阻值均为有限值，则确认所述晶片正常升起。
4.根据权利要求2所述的判断晶片是否正常升起的方法，其特征在于，所
述测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值具体为：
使待测的多个顶针中任意两个顶针中第一顶针接地，使待测的多个顶针中
任意两个顶针中第二顶针连接电源输入端；
获取所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值，若所述第一顶针与
所述第二顶针之间流过的电流值为零，则确认所述第一顶针与所述第二顶针之
间的电阻值为无穷大。
5.根据权利要求1所述的判断晶片是否正常升起的方法，其特征在于，所

\t述若存在，则确认所述晶片未正常升起之后，还包括：
当确认所述晶片未正常升起时，输出告警信息和停止取片指令。
6.一种判断晶片是否正常升起的装置，所述晶片底部为导体或半导体，其
特征在于，所述判断装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：王京，李玉站，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11