【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
本专利技术的关键点在于利用半张量积的二阶段模糊控制算法实现对LED芯片上蜡过程压力的实时监测控制，创造性的在压力控制系统中加入了位移的监测，采用位移和压力两种方式监测活塞的运动和活塞上承受的力，根据活塞的位移和活塞上承受的压力情况实时的作出决策，选择需要调节的阀门和比例阀的开度大小，使压力系统保持在一定范围内，满足LED芯片生产的要求。
【技术特征摘要】
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