电容式触控导线结构以及电容式触控面板制造技术

本发明专利技术提供一种电容式触控导线结构以及电容式触控面板，其中，电容式触控导线结构，其特征在于，包括玻璃基板、附着于玻璃基板一板面的二氧化硅膜层以及附着于二氧化硅膜层并用于与ITO薄膜导体层电连接的金属引线，金属引线包括依次附着层叠的连接过渡层、用于与ITO薄膜导体层电连接的导电层以及用于防止导电层氧化的氧化保护层，连接过渡层连接附着于二氧化硅膜层，其中，导电层为由铜制成的导电层，连接过渡层是由钼或钼镍合金制成的连接过渡层。本发明专利技术通过铜材制成的导电层降低了金属引线的线阻，再通过二氧化硅膜层与连接过渡层较好地附着在一起，从而避免金属引线从二氧化硅膜层脱落。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于触控领域，尤其涉及一种电容式触控导线结构以及电容式触控面板。
技术介绍
电容式触摸面板的实现原理主要是利用了玻璃基板上的ITO(氧化铟锡)薄膜导体层，其中，ITO薄膜导体层具有ITO图案区，而ITO图案区包括X轴和Y轴的电极矩阵，X轴和Y轴电极矩阵之间互相耦合形成互电容，驱动控制器TX和信号接收器RX分别通过金属引线与电极矩阵的X轴和Y轴连接，驱动控制器TX发出激励信号通过金属引线传输到ITO图案区。电容式触摸面板的容值感应部件是sensor向电极与Y轴纵向电极，用来感应触摸点。金属引线一端与X轴横向电极、Y轴纵向电极，另一端与驱动控制器、接收器相连，负责传导电信号。目前金属引线主要是玻璃基材的MOALMO(钼铝钼)引线，该MOALMO膜层的总厚度在膜层较厚，随着近几年触摸屏的发展以及行业内竞争压力的加剧，触摸屏产品都在朝着大尺寸、超窄边框、低成本的方向发展，采用MOALMO做引线的产品，一般线宽都在30-20um，当我们将MOALMO做引线做的更长，线宽低于15um时，此时的MOALMO线阻就会大于2KΩ，这时触控反馈的信号，经由引线传输到接收器时就会变得十分微弱，就会影响到触控产品的灵敏度。考虑到这种问题，要想将引线宽度控制在15um以内，线阻还必须小于2KΩ，那就务必选择一种电阻率尽量低的材料作为导电引线，自然界金属中除银(Ag)外铜的电阻率最低，所以选择铜为引线必然会更加有利问题的解决。目前采用单层铜作导电引线的产品主要有ITOfilm或metalmeshfilm，他们主要都是以film为基底。但是单层铜膜不能直接镀在玻璃上，主要是因为一方面Cu高温下容易与硅反应生成很高接触电阻的CuSi3化合物，另一方面SiO2与金属铜热膨胀系数相差数倍，在材料膨胀或收缩时极易引起应力集中，容易脱落引起不良，所以一直以来铜并不能用在以玻璃为基底的产品中。因此，亟需提供一种既能够降低金属引线的线阻，以及确保金属引线与玻璃基板之间的吸附力的并适用于电容式触摸面板的电容式触控导线结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种电容式触控导线结构，其旨在解决基于现有的金属引线的线阻过大，以及金属引线与玻璃基板之间的吸附力不足的问题。本专利技术是这样实现的：一种电容式触控导线结构，包括玻璃基板、附着于所述玻璃基板一板面的二氧化硅膜层以及附着于所述二氧化硅膜层并用于与ITO薄膜导体层电连接的金属引线，所述金属引线包括依次附着层叠的连接过渡层、用于与所述ITO薄膜导体层电连接的导电层以及用于防止所述导电层氧化的氧化保护层，所述连接过渡层连接附着于所述二氧化硅膜层，其中，所述导电层由铜制成的导电层，所述连接过渡层是由钼或钼镍合金制成的连接过渡层。可选地，所述连接过渡层是由70％-80％钼和20％-30％镍制成的连接过渡层。可选地，所述玻璃基板中附着所述二氧化硅膜层的板面的表面粗糙度为0.16～0.32nm。可选地，所述二氧化硅膜层的厚度为可选地，所述连接过渡层的厚度为可选地，所述导电层的厚度为可选地，所述氧化保护层是由70％-80％钼和20％-30％镍制成的氧化保护层。可选地，所述氧化保护层的厚度为可选地，所述二氧化硅膜层为通过磁控溅射的方法形成的二氧化硅膜层。可选地，所述连接过渡层为通过磁控溅射的方法形成的连接过渡层，所述导电层为通过磁控溅射的方法形成的导电层，所述氧化保护层为通过磁控溅射的方法形成的氧化保护层。本专利技术还提供一种电容式触控面板，包括上述的电容式触控导线结构。基于此结构，导电层为由铜制成的导电层，铜比铝的电阻率小，因此，利用铜制作导电层，有利于降低金属引线的线阻。而由于铜在高温环境下容易与硅反应生成具有高接触电阻的CuSi3化合物，且二氧化硅与铜的热膨胀系数相差数倍，因此，如果由铜制成的导电层直接沉积附着到二氧化硅膜层，当出现膨胀或收缩时，二氧化硅膜层与导电层之间容易出现位移差，也即是二氧化硅膜层与导电层的位移量不一致，再基于此位移差会导致二氧化硅膜层与导电层引起应力集中等，并使得二氧化硅膜层与导电层之间发生脱落的现象，进而导致金属引线从二氧化硅膜层脱落，所以导电层并不能直接沉积附着到二氧化硅膜层上。而钼与二氧化硅之间具有较一致的热膨胀系数，因此，二氧化硅膜层与连接过渡层之间具有较好的附着力，能够保二氧化硅膜层与连接过渡层较好地附着在一起，从而避免金属引线从二氧化硅膜层脱落。因此，基于本专利技术实施例的结构，通过铜材制成的导电层降低了金属引线的线阻，再通过二氧化硅膜层与连接过渡层较好地附着在一起，从而避免金属引线从二氧化硅膜层脱落，从而解决基于现有的金属引线的线阻过大，且金属引线与玻璃基板之间的吸附力不足的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的电容式触控导线结构；图2是本专利技术实施例提供的电容式触控导线结构的制备方法；图3是本专利技术实施例提供的电容式触控面板的剖视图；图4是本专利技术实施例提供的电容式触控面板的俯视图。附图标号说明：标号名称标号名称10玻璃基板20二氧化硅膜层30金属引线31连接过渡层32导电层33氧化保护层40ITO薄膜导体层具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式触控导线结构，其特征在于，包括玻璃基板、附着于所述玻璃基板一表面的二氧化硅膜层、以及附着于所述二氧化硅膜层上并用于与ITO薄膜导体层电连接的金属引线，所述金属引线包括依次附着层叠的连接过渡层、用于与所述ITO薄膜导体层电连接的导电层、以及用于防止所述导电层氧化的氧化保护层，所述连接过渡层连接附着于所述二氧化硅膜层，其中，所述导电层为由铜制成的导电层，所述连接过渡层是由钼或钼镍合金制成的连接过渡层。

【技术特征摘要】
1.一种电容式触控导线结构，其特征在于，包括玻璃基板、附着于所述玻
璃基板一表面的二氧化硅膜层、以及附着于所述二氧化硅膜层上并用于与ITO
薄膜导体层电连接的金属引线，所述金属引线包括依次附着层叠的连接过渡层、
用于与所述ITO薄膜导体层电连接的导电层、以及用于防止所述导电层氧化的
氧化保护层，所述连接过渡层连接附着于所述二氧化硅膜层，其中，所述导电
层为由铜制成的导电层，所述连接过渡层是由钼或钼镍合金制成的连接过渡层。
2.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述连接过渡
层是由70％-80％钼和20％-30％镍制成的连接过渡层。
3.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述玻璃基板
中附着所述二氧化硅膜层的板面的表面粗糙度为0.16～0.32nm。
4.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亮，蒋蔚，陈凯，黄受林，刘锡刚，许东东，黄海东，
申请(专利权)人：深圳力合光电传感股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44