【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料制备领域,涉及一种气相反应制备纳米级钼粉的方法。
技术介绍
Mo为第六副族元素,拥有体心立方晶体结构,晶胞参数为0.3147nm,密度10.22g/cm3,熔点2610℃。Mo和它的合金化合物目前已经广泛地应用于化学、冶金和电子工业,高的熔点,低的热膨胀系数和高的热电导率使得Mo成为半导体材料、熔渣电极和抗腐蚀材料的重要组成部分。目前,相比普通材料来说,纳米材料已经被证实拥有更加优异的性能,例如超细纳米钼粉可以广泛地应用于电子设备的电导薄膜,可以用来生产纳米级工具钢如M50钢种,而且还可以用来制备性能更加优异的MoSi2材料等等。因此,目前纳米Mo的合成和制备已经受到了很多专家的青睐。现在,制备纳米Mo粉的方法有很多,如微波等离子体气相沉积法,H2还原机械活化的MoO3粉末,自蔓延高温合成法,石墨碳还原机械活化的MoO3粉末,H2还原气态MoCl5法和H2还原纯净的MoO3蒸汽法等等。这些方法虽然可以制备出超细的纳米钼粉,但是成本较高。本专利采用廉价的工业级三氧化钼为原料,在高温下通入氢气还原气态三氧化钼,既可以免去净化三氧化钼的过程,又可以制备出纯净的纳米钼粉,是制备纳米钼粉的一种简便实用的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种采用高温气气反应制备超细纳米钼粉材料的方法。采用工业级三氧化钼为原材料,在温度为950-1500℃的范围内,使三氧化钼挥发为气态,然后再与氢气 ...
【技术保护点】
一种直接利用工业级三氧化钼制备纳米级钼粉的方法;其特征在于所用原材料为工业级三氧化钼,将其挥发为气态后与还原气体接触,在高温炉中进行还原反应,得到纳米级材料,得到的产物由于含水,需要在氢气气氛下,100℃进行烘干,即可得纯净钼粉,所述工艺包括以下步骤:1)将工业级三氧化钼在温度为950‑1500℃高温挥发成气态三氧化钼;2)挥发出来的气态三氧化钼与还原气体接触直接发生反应,三氧化钼被迅速还原为纳米级超细钼粉。
【技术特征摘要】
1.一种直接利用工业级三氧化钼制备纳米级钼粉的方法;其特征在于所用
原材料为工业级三氧化钼,将其挥发为气态后与还原气体接触,在高温炉中进行
还原反应,得到纳米级材料,得到的产物由于含水,需要在氢气气氛下,100℃
进行烘干,即可得纯净钼粉,所述工艺包括以下步骤:
1)将工业级三氧化钼在温度为950-1500℃高温挥发成气态三氧化钼;
2)挥发出来的气态三氧化钼与还原气体接触直接发生反应,三氧化钼被迅<...
【专利技术属性】
技术研发人员:张国华,王璐,周国治,
申请(专利权)人:北京科技大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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